【技术实现步骤摘要】
电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
[0001]本专利技术涉及电子照相感光构件以及使用该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
技术介绍
[0002]与电子照相感光构件(下文中,也简称为"感光构件")相关的电子照相处理主要包括充电、曝光、显影和转印四个工序,并且根据需要添加清洁和预曝光的工序。其中,曝光工序为控制感光构件的电荷分布并且将感光构件的表面设置为具有期望的电位分布的工序并且是作为静电潜像形成的核心的工序。
[0003]作为在曝光工序中控制电子照相设备的图像浓度的方法,存在模拟灰度法和数字灰度法两种方法。模拟灰度法为表示从调色剂非显影部(所谓的实白)至调色剂最大显影部(所谓的实黑)的浓度灰度的方法。在模拟灰度法中,调节曝光量。由此,感光构件表面的平均电位为多级值,并且通过调节来控制显影工序中感光构件上的调色剂显影量。同时,在数字灰度法中,通过控制实黑单点的面积率来表示浓度灰度。因此,在数字灰度法中,被光照射的单点区域总是实黑的,并且通过将发光时的光量固定为最大并且将光照射部的感光构件表面电位设定为最小来 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种电子照相感光构件,其包括:支承体;在所述支承体上的电荷产生层;和在所述电荷产生层上的电荷输送层,其特征在于所述电子照相感光构件为有机感光构件,并且满足I
1/2
≤0.170μJ/cm2、AR≤0.370和LR
i
≤780V
·
cm2/μJ,其中,在充电电位V
d
为V
d
=500V的情况下、在23.5℃的温度和50%RH的相对湿度下根据NESA
‑
EV曲线的测量方法获得并且其中横轴表示照射曝光量I
exp
且纵轴表示照射后的表面电位的绝对值V
exp
的I
exp
‑
V
exp
图中,所述图中V
exp
=250V时的光量由I
1/2
表示,所述图中在I
exp
=0.000~3.414
·
I
1/2
的范围内I
exp
与V
exp
的乘积S=I
exp
·
V
exp
的最大值由S
max
表示,所述图中在I
exp
=0.000~0.100
·
I
1/2
的范围内的近似直线与在I
exp
=(5
·
I
1/2
‑
0.100)~5
·
I
1/2
的范围内的近似直线的交点由Q表示,点Q处的光量值由I
i
表示,点Q处的电位值由V
i
表示,并且I
i
与V
i
的乘积由S
i
=I
i
·
V
i
表示,S
i
与S
max
之比由AR=S
i
/S
max
表示,并且通过将V
i
除以I
i
获得的值由LR
i
=V
i
/I
i
表示,并且如下进行所述NESA
‑
EV曲线的测量方法:(1):将所述电子照相感光构件的表面电位设定为0V,(2):将所述电子照相感光构件充电0.005秒以使所述电子照相感光构件的表面电位的绝对值变为V0,(3):在开始充电0.02秒之后,使带电后的电子照相感光构件连续暴露于波长为805nm且强度为25mW/cm2的光t秒以使曝光量变为I
exp
,(4):在开始充电0.06秒之后,测量曝光后的电子照相感光构件的表面电位的绝对值并且测量值由V
exp
表示,(5):在通过改变t以0.001μJ/cm2的间隔将I
exp
从0.000μJ/cm2改变为0.850μJ/cm2的同时重复操作(1)至(4),以获得对应于I
exp
的各值的V
exp
,并且(6):在(3)的操作中设定t=0且I
exp
=0.000μJ/cm2的情况下的V
exp
称为充电电位V
d
,并且设定在进行(2)的操作的情况下的V0以使V
d
的值变为500V,其中V
d
、V
exp
、V
i
、V0的单位为V,I
exp
、I
1/2
、I
i
的单位为μJ/cm2,S、S
i
、S
max
的单位为V
·
μJ/cm2,LR
i
的单位为V
·
cm2/μJ。2.一种电子照相感光构件,其包括:支承体;在所述支承体上的电荷产生层;和在所述电荷产生层上的电荷输送层,其特征在于所述电子照相感光构件为有机感光构件,并且满足I
1/2
≤0.170μJ/cm2、AR≤0.500和LR
i
≤520V
·
cm2/μJ,其中,在充电电位V
d
为V
d
=500V的情况下、在23.5℃的温度和50%RH的相对湿度下根据NESA
‑
EV曲线的测量方法获得并且其中横轴表示照射曝光量I
exp
且纵轴表示照射后的表面电位的绝对值V
exp
技术研发人员:渡口要,牧角康平,加来贤一,辻晴之,
申请(专利权)人:佳能株式会社,
类型:发明
国别省市:
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