一种同频吸透一体化的可重构超表面制造技术

本发明专利技术公开了一种同频吸透一体化的可重构超表面，超表面的几何结构由两个通过由介质衬底隔开的可调电谐振器组成，变容二极管和PIN二极管分别嵌入在介质基底的顶部和底部上。当PIN二极管处于关断状态并且变容二极管被提供反向偏置电压时，AFSS被设计为在垂直入射时是透射性的。相反，当PIN二极管处于接通状态时，AFSS起到了吸收的作用。本发明专利技术打破了传统超表面介质下层多为整块金属地的设计思路，在介质下层引入了谐振结构实现吸波、透射功能的切换，同时在顶层引入变容二极管实现了同一频率下的吸波和透射状态的切换，二极管采用周期性地并联，因此少量的电压足以同时调节大型样机中的所有集总元件，制造简单，容易实现。容易实现。容易实现。

【技术实现步骤摘要】
一种同频吸透一体化的可重构超表面


[0001]本专利技术属于电子信息
，涉及一种同频吸透一体化的可重构超表面。

技术介绍

[0002]随着雷达技术的发展，其对军事口标的探测、侦察、监视和攻击能力飞迷提升，威胁越来越大。因此，要求雷达隐身技术具有更快迷的发展，以提高军事目标的战场生存力和作战效能。雷达隐身技术的主要任务就是将雷达发射出来的探测电磁波散射或吸收掉，使其不能反射被探测雷达接收，实现电磁隐身效果。电磁隐身效果的主要衡量指标是雷达散射面积(RCS,Radar cross section)的缩减程度。缩减军事目标的RCS目前主要有两种思路：一是通过改变目标形状实现RCS缩减的外形隐身技术，如飞行器外形隐身设计；二是对目标采用低散射型罩体结构实现RCS缩减的罩体隐身技术，如频率选择表面天线罩设计、在军事目标上涂吸波材料等。第一中思路由于过度依赖军事目标的特殊外形，同时考虑军事目标的气动性，其所受局限较大，且适应性低。故第二种思路为现在主流的降低RCS的研究方向。在第二种思路中覆盖吸波材料的方法由于其需要依赖材料本身的物理特性，其工作频率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同频吸透一体化的可重构超表面，其特征在于，包括若干个周期性排列的超表面单元；所述超表面单元包括介质基底，在所述介质基底的上表面设有第一金属和第二金属，所述第一金属与所述第二金属之间连接有用于调节介质基底上表面阻抗的变容二极管；在所述介质基底的下表面设有第三金属和第四金属，在所述第三金属与所述第四金属之间设有第五金属，在所述第三金属与所述第五金属之间及所述第四金属与所述第五金属之间均连接有用于调节介质基底下表面阻抗的PIN二极管。2.根据权利要求1所述的同频吸透一体化的可重构超表面，其特征在于，所述第一金属和第二金属对称设置；所述第三金属与所述第四金属对称设置。3.根据权利要求1所述的同频吸透一体化的可重构超表面，其特征在于，所述第一金属和第二金属均为倒L形状。4.根据权利要求1所述的同频吸透一体化的可重构超表面，其特征在于，所述第三金属和所述第四金属均为U型结构。5.根据权利要求1所述的同频吸透一体化的可重构超表面，其特征在于，所述第五金属为类工字形结构。6.根据权利要求1所述的同频吸透一体化的可重构超表面，其特征在于，所述介质基底为介电常数为4.4的FR4介质基板。7.根据权利要求1所述的同频吸透一体化的可重构超表面，其特征在于，获取介质基底上表面阻抗的方法如下：Z
TOP
＝(R
t1
+jwL
t1
+1/jwC
t1
)||Z
var
其中，R
t1
为上表面金属结构的等效金属损耗，L
t1
为上表面金属结构的等效电感，C
t1
为上表面金属结构的间隙电容，Z
var
为变容二极管等效阻抗，j为虚数，w为角频率；获取变容二极管等效阻抗Z
var
的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：衣建甲，姬佳惠，王珺锋，董彩婕，朱丽娜，陈晓明，张安学，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：