像素结构及电子纸屏幕制造技术

技术编号:37232967 阅读:21 留言:0更新日期:2023-04-20 23:15
本实用新型专利技术公开了一种像素结构及电子纸屏幕,其中该像素结构包括:第一像素电极,所述第一像素电极是源漏电极层形成的像素电极;第二像素电极,所述第二像素电极是氧化铟锡层形成的像素电极;连接孔,用于连接第一像素电极和第二像素电极;公共电极,所述公共电极设置在连接孔处;所述公共电极与所述第一像素电极形成交叠区域,在所述交叠区域形成存储电容。本实用新型专利技术可以有效减小像素结构中的金属电极面积,降低像素结构中金属电极面积对NFC信号的影响,提升电子纸屏幕的NFC性能。提升电子纸屏幕的NFC性能。提升电子纸屏幕的NFC性能。

【技术实现步骤摘要】
像素结构及电子纸屏幕


[0001]本技术涉及电子纸屏幕
,尤其涉及一种像素结构及电子纸屏幕。

技术介绍

[0002]本部分旨在为权利要求书中陈述的本技术实施例提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
[0003]为了实现快速联网、短距离刷新等诸多功能,NFC在电子纸屏幕产品中的应用日益广泛。
[0004]现有的电子纸屏幕大多是通过把NFC线圈集成在柔性电路板FPC或者印制电路板PCB上,来实现电子纸屏幕的NFC功能,但是,无论是将NFC线圈集成在FPC上还是PCB上,受物理位置的限制,NFC线圈在发送或接收信号,都需要穿过薄膜晶体管TFT基板,由于TFT基板的像素结构中存在密集的金属电极,NFC信号在穿过TFT基板时,受到金属电极电磁屏蔽和涡流的影响,强度会急剧下降,从而导致现有电子纸屏幕的NFC性能不佳。

技术实现思路

[0005]本技术实施例提供一种像素结构,用以有效减小像素结构中的金属电极面积,降低像素结构中金属电极面积对NFC信号的影响,提升电子纸屏幕的NFC性能,该像素结构包括:
[0006]第一像素电极,所述第一像素电极是源漏电极层形成的像素电极;
[0007]第二像素电极,所述第二像素电极是氧化铟锡层形成的像素电极;
[0008]连接孔,用于连接第一像素电极和第二像素电极;
[0009]公共电极,所述公共电极设置在连接孔处;
[0010]所述公共电极与所述第一像素电极形成交叠区域,在所述交叠区域形成存储电容。
[0011]本技术实施例还提供一种电子纸屏幕,用以有效减小像素结构中的金属电极面积,降低像素结构中金属电极面积对NFC信号的影响,提升电子纸屏幕的NFC性能,该电子纸屏幕包括:
[0012]薄膜晶体管基板,所述薄膜晶体管基板包括像素结构;所述像素结构包括:第一像素电极,所述第一像素电极是源漏电极层形成的像素电极;第二像素电极,所述第二像素电极是氧化铟锡层形成的像素电极;连接孔,用于连接第一像素电极和第二像素电极;公共电极,所述公共电极设置在连接孔处;所述公共电极与所述第一像素电极形成交叠区域,在所述交叠区域形成存储电容;
[0013]印刷电路板;
[0014]柔性电路板;其中,印刷电路板和柔性电路板位于薄膜晶体管基板的下方;
[0015]集成在印刷电路板或柔性电路板上的NFC线圈;所述NFC线圈用于发送或接收NFC信号,所述NFC信号穿过薄膜晶体管基板。
[0016]本技术实施例中,像素结构包括第一像素电极,所述第一像素电极是源漏电极层形成的像素电极;第二像素电极,所述第二像素电极是氧化铟锡层形成的像素电极;连接孔,用于连接第一像素电极和第二像素电极;公共电极,所述公共电极设置在连接孔处;所述公共电极与所述第一像素电极形成交叠区域,在所述交叠区域形成存储电容。这样,通过在像素结构的连接孔处设置公共电极,可以使得源漏电极层形成的像素电极和公共电极在连接孔处形成交叠区域,在该交叠区域既可以形成存储电容,又可以通过连接孔将源漏电极层形成的像素电极和氧化铟锡层形成的像素电极连接,如此,在确保存储电容不变的前提下,可以有效减小像素结构中的金属电极面积,降低金属电极面积对NFC信号的影响,提升电子纸屏幕的NFC性能。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
[0018]图1a和图1b为现有的电子纸屏幕的结构图;
[0019]图2a和图2b为现有电子纸屏幕的像素结构的示意图;
[0020]图3a和图3b为现有的电子纸屏幕的两种膜层结构的示意图;
[0021]图4a为图2a中连接孔的A

A

处的截面图;图4b为图2b中连接孔的B

B

处的截面图;
[0022]图5为本技术提供的像素结构的示意图;
[0023]图6a为本技术提供的包含PFA的连接孔的像素结构的示意图;图6b为本技术提供的不包含PFA的连接孔的像素结构的示意图;
[0024]图7a为本技术提供的图6a中连接孔的C

C

处的截面图;图7b为本技术提供的图6b中连接孔的D

D

处的截面图。
具体实施方式
[0025]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合附图对本技术实施例做进一步详细说明。在此,本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术,但并不作为对本技术的限定。
[0026]在本说明书的描述中,所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等,均为开放性的用语,即意指包含但不限于。参考术语“一个实施例”、“一个具体实施例”、“一些实施例”、“例如”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。各实施例中涉及的步骤顺序用于示意性说明本申请的实施,其中的步骤顺序不作限定,可根据需要作适当调整。
[0027]为了能够更清楚地理解本技术提供的像素结构及电子纸屏幕,下面先对现有的像素结构及电子纸屏幕进行说明。
[0028]图1a和图1b为现有的电子纸屏幕的结构图,其中,图1a中NFC线圈集成在柔性电路板FPC上,图1b中NFC线圈集成在印刷电路板PCB上。图1a和图1b的电子纸屏幕主要包括PCB、FPC、集成电路芯片IC、薄膜晶体管TFT基板(在玻璃(Glass)基板上形成TFT整列)、电子纸膜FPL、保护膜PS、银(Ag)胶、封边胶等主要部件。如图1a和图1b所示,无论是将NFC线圈集成在FPC上还是PCB上,受物理位置的限制,NFC线圈发送或接受信号,都需要穿过TFT基板,由于TFT基板的像素结构中存在密集的金属电极,NFC信号在穿过的时候,受得金属电极电磁屏蔽和涡流的影响,强度会急剧下降,从而导致现有电子纸屏幕的NFC性能不佳。
[0029]参考图2a和图2b,为现有电子纸屏幕的两种不同的像素结构,图2a为包含PFA(一种有机树脂)的像素结构,图2a中的连接孔为PFA连接孔和PVX(钝化层)连接孔的套孔,图2b为不包含PFA的像素结构,图2b中的连接孔为PVX连接孔。图2a和图2b中的Pixel结构主要包括横向的栅极走线(Gate line)、竖向的数据走线(Data line)、TFT控制开关、公共电极VCOM、像素(本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素结构,其特征在于,包括:第一像素电极,所述第一像素电极是源漏电极层形成的像素电极;第二像素电极,所述第二像素电极是氧化铟锡层形成的像素电极;连接孔,用于连接第一像素电极和第二像素电极;公共电极,所述公共电极设置在连接孔处;所述公共电极与所述第一像素电极形成交叠区域,在所述交叠区域形成存储电容。2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述公共电极为栅极层形成的栅极层金属。3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述栅极层金属位于所述连接孔的下方。4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一像素电极的面积为像素结构中的金属面积。5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述连接孔为包含有机树脂材料PFA的连接孔,或所述连接孔为不包含PFA的连接孔。6.一种电子纸屏幕,其特征在于,包括:薄膜晶体管基板,所述薄膜晶体管基板包括像素结构;所述像素结构包括:第一像素电极,所述第一像素电极是源漏电极...

【专利技术属性】
技术研发人员:李彦辰
申请(专利权)人:汉朔科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1