【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于从有缺陷地焊接的基片移除焊料的方法和设备。
技术介绍
近来对高性能半导体的需求增强了用于安装半导体芯片的密度更高的封装基片的发展。用于安装倒装芯片的焊料块在细度和密度上都有所增加,导致块到块的距离减少到150微米。从而,如图3A、3B所示,诸如焊料块13之间的跨接15和焊料缺少17的缺陷在基片11上频繁地发生。在现有技术中,通过加热器19加热如上所述并且在图4中示出的有缺陷地焊接的基片11,以在由氮气等形成的抗氧化气氛中熔化焊料,同时用刷子21摩擦基片11的表面,由此移除焊料。在那之后,进行修复工作(以移除焊料块并且恢复可重新印刷的状态),以为重新印刷过程作准备。由于增加的细度,近来倾向于块13之间的节距更小,即使在被摩擦之后,焊料在薄的层内保持未被移除,由此使得更难移除跨接15。近来已经开发出称作PALAP(形成图案的预浸料层合过程)基片的高密度基片。在PALAP基片中,表面形成图案,并且多个具有经由孔填充的金属膏的热塑树脂片堆叠在彼此上并且全部同时压模以同时连接和结合。PALAP基片的表面层上的每个焊盘非常小,使得在焊盘的外部周缘上附加地 ...
【技术保护点】
一种通过熔化焊料从有缺陷地焊接的基片(S)移除焊料的方法,其包括以下步骤:将有缺陷地焊接的基片(S)浸入温度高于焊料的熔点的液体形式的加热介质(L);以及用刷子(45)摩擦有缺陷地焊接的基片(S)的表面,由此擦去有缺陷的焊料 。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:乡古伦央,谷口敏尚,坂井田敦资,竹田乔一,
申请(专利权)人:株式会社电装,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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