本发明专利技术提供显示装置，具有：第一晶体管，具备氧化物半导体层、栅极布线和栅极绝缘层；至少一层的第一绝缘层，设置在第一晶体管上，在栅极布线的外侧设置有第一接触孔；平坦化膜，设置在第一绝缘层上，设置有与第一接触孔重叠的第二接触孔；第一透明导电层，设置在平坦化膜上，包括与栅极布线重叠的区域；第二绝缘层，设置在第一透明导电层上，覆盖第二接触孔的侧面；第二透明导电层，设置在第二绝缘层上，通过第一接触孔及第二接触孔与氧化物半导体层相接触；第一树脂，设置在第二透明导电层上，填充第一接触孔及第二接触孔的内部；以及第三透明导电层，设置在第二透明导电层及第一树脂上。设置在第二透明导电层及第一树脂上。设置在第二透明导电层及第一树脂上。
【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本专利技术的实施方式之一涉及显示装置。特别是，本专利技术的实施方式之一涉及使用了具有氧化物半导体的晶体管的显示装置。
技术介绍
[0002]以往，作为显示装置，已知一种在各像素的像素电路内具有将低温多晶硅用于沟道的晶体管的构成。另外，在该显示装置中，像素电极由透光性的导电膜形成，但如果低温多晶硅与具有透光性的像素电极单纯地直接连接，则连接电阻变高等而不容易。因此，低温多晶硅需要经由金属的导电层与像素电极连接。但是，根据设置有金属的导电层的位置，会构成像素的开口率降低的主要原因。
[0003]另外，近年来，随着显示装置的高精细化，正在推进各像素尺寸的小型化。随着像素尺寸的小型化，希望布线宽度和晶体管尺寸也变小，但配合像素尺寸的小型化而将它们设计得较小并不容易。其结果为，在像素内布线和晶体管所占的面积相对变大，最终导致各像素的开口率变小。
[0004]因此，将在沟道中使用了氧化物半导体层的晶体管用于像素电路的晶体管的开发正在推进，该氧化物半导体层即使晶体管尺寸较小，也能够得到足以驱动像素电路的特性(例如，日本特开2014
‑
146819号公报及日本特开2015
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159315号公报)。在这种显示装置中，能够将作为透明导电层的像素电极与氧化物半导体层通过接触孔直接连接，而不需要用于连接的金属层。因此，能够抑制开口率的降低。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2014
‑r/>146819号公报
[0008]专利文献2：日本特开2015
‑
159315号公报
技术实现思路
[0009]专利技术要解决的技术问题
[0010]但是，即使将在沟道中使用了氧化物半导体层的晶体管用于像素电路的晶体管中，如果在各像素区域中由于上述接触孔等引起的凹凸显著化，则在该凹凸内也难以控制液晶分子，最终，这会妨碍像素的开口率(透射率)的提高。
[0011]本专利技术的实施方式之一的目的之一在于，在显示装置中，提高微小化的像素中的开口率。
[0012]用于解决技术问题的方案
[0013]本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置，具有：第一晶体管，具备氧化物半导体层、与氧化物半导体层相对的栅极布线以及氧化物半导体层与栅极布线之间的栅极绝缘层；至少一层的第一绝缘层，设置在第一晶体管上，在栅极布线的外侧设置有第一接触孔；平坦化膜，设置在第一绝缘层上，设置有与第一接触孔重叠的第二接触孔；第一透明导电
层，设置在平坦化膜上，包括与栅极布线重叠的区域；第二绝缘层，设置在第一透明导电层上，覆盖第二接触孔的侧面；第二透明导电层，设置在第二绝缘层上，通过第一接触孔及第二接触孔与氧化物半导体层相接触；第一树脂，设置在第二透明导电层上，填充第一接触孔及第二接触孔的内部；以及第三透明导电层，设置在第二透明导电层及第一树脂上。
附图说明
[0014]图1是示出本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置的概要的剖视图。
[0015]图2是示出本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置的概要的俯视图。
[0016]图3是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0017]图4是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0018]图5是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0019]图6是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0020]图7是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0021]图8是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0022]图9是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0023]图10是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0024]图11是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0025]图12是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0026]图13是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0027]图14是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0028]图15是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0029]图16是说明本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置中各层的布局的俯视图。
[0030]图17是示出本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置的概要的俯视图。
[0031]图18是示出本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置的电路构成的框图。
[0032]图19是示出本专利技术的一实施方式所涉及的显示装置的像素电路的电路图。
具体实施方式
[0033]以下参照附图对本专利技术的各实施方式进行说明。以下的公开内容仅仅是示例。本领域技术人员在保持专利技术主旨的同时，通过适当变更实施方式的构成而能够容易想到的构成当然包括在本专利技术的范围内。为了更明确地进行说明，与实际方式相比，附图有时会示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等。但是，图示的形状仅仅是示例，并不限定本专利技术的解释。在本说明书和各图中，对于与已经出现的图中描述过的内容同样的要素，有时会在相同的附图标记之后附加字母，并适当省略详细的说明。
[0034]在本专利技术的各实施方式中，将从基板朝向氧化物半导体层的方向称为上或上方。相反，将从氧化物半导体层朝向基板的方向称为下或下方。像这样，为了便于说明，使用上方或下方这一语句进行说明，但例如也可以以基板与氧化物半导体层的上下关系与图示相反的方式配置。在以下的说明中，例如基板上的氧化物半导体层这一表述仅仅用于说明如上述那样的基板与氧化物半导体层的上下关系，也可以在基板与氧化物半导体层之间配置有其他部件。上方或下方是指层叠有多个层的结构中的层叠顺序，在表述为晶体管的上方
的像素电极时，也可以是俯视观察时晶体管与像素电极不重叠的位置关系。另一方面，在表述为晶体管的铅垂上方的像素电极时，则是指俯视观察时晶体管与像素电极重叠的位置关系。
[0035]“显示装置”是指使用电光层显示影像的结构体。例如，显示装置这一用语，有时也指包括电光层的显示面板，或者有时也指对显示单元安装了其他光学部件(例如，偏光部件、背光源、触摸面板等)的结构体。在“电光层”中，只要不产生技术上的矛盾，就能够包括液晶层、电致发光(EL)层、电致变色(EC)层、电泳层。因此，对于后述的实施方式，作为显示装置，以包括液晶层的液晶显示装置为例进行说明，但本实施方式中的结构，能够应用于包括上述其他电光层的显示装置。
[0036]在本说明书中，“α包括A、B或C”、“α包括A、B及C中的任一个”、“α包括选自由A、B及C构成的组中的一个”等表述，只要没有特别明示，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，具有：第一晶体管，具备氧化物半导体层、与氧化物半导体层相对的栅极布线以及所述氧化物半导体层与所述栅极布线之间的栅极绝缘层；至少一层的第一绝缘层，设置在所述第一晶体管上，在所述栅极布线的外侧设置有第一接触孔；平坦化膜，设置在所述第一绝缘层上，设置有与所述第一接触孔重叠的第二接触孔；第一透明导电层，设置在所述平坦化膜上，包括与所述栅极布线重叠的区域；第二绝缘层，设置在所述第一透明导电层上，覆盖所述第二接触孔的侧面；第二透明导电层，设置在所述第二绝缘层上，通过所述第一接触孔及所述第二接触孔与氧化物半导体层相接触；第一树脂，设置在所述第二透明导电层上，填充所述第一接触孔及所述第二接触孔的内部；以及第三透明导电层，设置在所述第二透明导电层及所述第一树脂上。2.根据权利要求1所述的显示装置，还具有：导电层，设置在所述平坦化膜与所述第一透明导电层之间，包括与所述栅极布线重叠的区域。3.根据权利要求1所述的显示装置，还具有：导电层，设置在所述第一透明导电层与所述第二绝缘层之间，包括与所述栅极布线重叠的区域。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三透明导电层隔着所述第二导电层与所述第一透明导电层重叠。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述平坦...
【专利技术属性】
技术研发人员：尾关芳孝，尾崎靖尚，森口幸志郎，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：
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