显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供显示装置，具有：第一晶体管，具备氧化物半导体层、栅极布线和栅极绝缘层；至少一层的第一绝缘层，设置在第一晶体管上，在栅极布线的外侧设置有第一接触孔；平坦化膜，设置在第一绝缘层上，设置有与第一接触孔重叠的第二接触孔；第一透明导电层，设置在平坦化膜上，包括与栅极布线重叠的区域；第二绝缘层，设置在第一透明导电层上，覆盖第二接触孔的侧面；第二透明导电层，设置在第二绝缘层上，通过第一接触孔及第二接触孔与氧化物半导体层相接触；第一树脂，设置在第二透明导电层上，填充第一接触孔及第二接触孔的内部；以及第三透明导电层，设置在第二透明导电层及第一树脂上。设置在第二透明导电层及第一树脂上。设置在第二透明导电层及第一树脂上。

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]本专利技术的实施方式之一涉及显示装置。特别是，本专利技术的实施方式之一涉及使用了具有氧化物半导体的晶体管的显示装置。

技术介绍

[0002]以往，作为显示装置，已知一种在各像素的像素电路内具有将低温多晶硅用于沟道的晶体管的构成。另外，在该显示装置中，像素电极由透光性的导电膜形成，但如果低温多晶硅与具有透光性的像素电极单纯地直接连接，则连接电阻变高等而不容易。因此，低温多晶硅需要经由金属的导电层与像素电极连接。但是，根据设置有金属的导电层的位置，会构成像素的开口率降低的主要原因。
[0003]另外，近年来，随着显示装置的高精细化，正在推进各像素尺寸的小型化。随着像素尺寸的小型化，希望布线宽度和晶体管尺寸也变小，但配合像素尺寸的小型化而将它们设计得较小并不容易。其结果为，在像素内布线和晶体管所占的面积相对变大，最终导致各像素的开口率变小。
[0004]因此，将在沟道中使用了氧化物半导体层的晶体管用于像素电路的晶体管的开发正在推进，该氧化物半导体层即使晶体管尺寸较小，也能够得到足以驱动像素电路的特性(例如，日本特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，具有：第一晶体管，具备氧化物半导体层、与氧化物半导体层相对的栅极布线以及所述氧化物半导体层与所述栅极布线之间的栅极绝缘层；至少一层的第一绝缘层，设置在所述第一晶体管上，在所述栅极布线的外侧设置有第一接触孔；平坦化膜，设置在所述第一绝缘层上，设置有与所述第一接触孔重叠的第二接触孔；第一透明导电层，设置在所述平坦化膜上，包括与所述栅极布线重叠的区域；第二绝缘层，设置在所述第一透明导电层上，覆盖所述第二接触孔的侧面；第二透明导电层，设置在所述第二绝缘层上，通过所述第一接触孔及所述第二接触孔与氧化物半导体层相接触；第一树脂，设置在所述第二透明导电层上，填充所述第一接触孔及所述第二接触孔的内部；以及第三透明导电层，设置在所述第二透明导电层及所述第一树脂上。2.根据权利要求1所述的显示装置，还具有：导电层，设置在所述平坦化膜与所述第一透明导电层之间，包括与所述栅极布线重叠的区域。3.根据权利要求1所述的显示装置，还具有：导电层，设置在所述第一透明导电层与所述第二绝缘层之间，包括与所述栅极布线重叠的区域。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三透明导电层隔着所述第二导电层与所述第一透明导电层重叠。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述平坦...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾关芳孝，尾崎靖尚，森口幸志郎，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：