【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体功率器件应用
技术介绍
半导体功率器件在高频、脉冲应用时会产生高频电磁辐射干扰，功率器件高压部分导体 与外部连通的导体面积越大，高频电磁辐射干扰就越严重，所以功率器件的导体与散热器之 间须有绝缘，但绝缘会降低功率器件的热传导率，则功率器件温度上升，功率器件的使用功 率与温度成反比，特别是在短时重载高发热时如不能将管芯的热量及时散出则会过温烧毁功 率器件。现有的半导体功率器件的散热安装结构，都是将半导体功率器件直接加贴绝缘片后 与散热器相互贴紧安装，因半导体功率器件的金属底座面积小，因此半导体功率器件与散热 器之间的热阻显得过大，没有充分发挥半导体功率器件的能力。有的在使用时为了使功率器 件管芯温度不过高，选用同样半导体管芯但面积更大更容易散热的大封装，不过成本上升了 很多。
技术实现思路
本专利技术提供的半导体功率散热器组件，它所要解决的是现有技术中的半导体功率器件与 散热器之间热阻过大的问题。为了解决上述问题，本专利技术所采用的技术方案是它包括有半导体功率元件、绝缘片和 散热器，所述半导体功率元件依次通过导热板、所述绝缘片与所述散热...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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