一种高精度高压调压充电电路制造技术

本发明专利技术涉及一种高精度高压调压充电电路，电路包括依次连接的相位角度采集模块、开关模块和高压变压器，开关模块包括第一光耦，第一光耦连接第一限流电阻的一端，第一限流电阻的另一端连接相位角度采集模块，第一光耦连接第一三极管的基极、第二三极管的基极和第一供电电压，第一三极管的集电极连接第二供电电压，第一三极管的发射极连接第二限流电阻的一端和第二三极管的发射极，第二限流电阻的另一端连接mos管的栅极，mos管的源极连接输入电压的正极，mos管的漏极连接第二三极管的集电极，第一变压器连接充电电阻、第一二极管和充电电容。与现有技术相比，本发明专利技术采用后级调压，比较前级通过调压器进行调压，调压精度提高。调压精度提高。调压精度提高。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度高压调压充电电路


[0001]本专利技术涉及变压器，尤其是涉及一种高精度高压调压充电电路。

技术介绍

[0002]现有的常见的线性充电方式，都是通过调压器调压，再连接高压变压器，通过整流给需要得电容器充电，这种做法不仅占用空间大，因为用的是机械调压器，调压器的最小匝数限定了最小步进电压，随着一些测试设备得小型化，高精度话的发展趋势，需要对高压模块进行改善升级。
[0003]现有高压电源原理如图2所示。
[0004]现有的线性高压电源模块不足的地方如下：
[0005]1：前级通过调压器进行调压，最小的电压步进为220V/240＝0.91v左右，后级的变压器假设变压100倍的话，最小步进就是越为128.6V，调压的精度差。
[0006]2：因为用的是调压器进行调压，涉及到充电功率，假设功率为2000W，该调压器得体积加上高压变压器得体积会非常占空间。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种的高精度高压调压充电电路，本专利技术调压精度高、变压器体积小。
[0008]本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现：
[0009]一种高精度高压调压充电电路，电路包括依次连接的相位角度采集模块、开关模块和高压变压器，所述高压变压器包括输入电压、假负载电阻和第一变压器，所述开关模块包括第一光耦，所述第一光耦的发光器端连接第一限流电阻的一端，第一限流电阻的另一端连接相位角度采集模块，第一光耦的受光器端连接第一三极管的基极、第二三极管的基极和第一供电电压，所述第一三极管为NPN三极管，第二三极管为PNP三极管，第一三极管的基极连接保护电阻，保护电阻接地，第一三极管的集电极连接第二供电电压，第一三极管的发射极连接第二限流电阻的一端和第二三极管的发射极，第二限流电阻的另一端连接mos管的栅极，mos管的源极连接输入电压的正极，mos管的漏极连接第二三极管的集电极，mos管的漏极和输入电压的负极之间连接假负载电阻，假负载电阻的两端并联第一变压器，所述第一变压器连接充电电阻、第一二极管和充电电容；
[0010]相位角度采集模块包括连接输入电压的第二变压器，所述第二变压器连接第三限流电阻，且与反向并联的第二二极管和第三二极管的两端连接，反向并联的二极管的一端连接比较器的正向输入端，反向并联的二极管的另一端连接比较器的反向输入端，比较器的输出端连接第四限流电阻的一端，第四限流电阻的另一端连接第二光耦的发光器端，第二光耦的受光器端连接识别电阻的一端，识别电阻的一端连接CPU主控模块的第一输入端，CPU主控模块的输出端连接第一限流电阻，识别电阻的另一端连接第三供电电压。
[0011]进一步地，所述第一光耦的发光器为发光二极管，发光二极管的阳极连接第一限
流电阻的一端，发光二极管的阴极接地。
[0012]进一步地，所述第一光耦的受光器为光敏电阻，光敏电阻的一端连接第一供电电压，光敏电阻的另一端连接第一三极管的基极和第二三极管的基极。
[0013]进一步地，所述第二光耦的发光器为发光二极管，发光二极管的阳极连接第四限流电阻的另一端，发光二极管的阴极接地。
[0014]进一步地，所述第二光耦的受光器为光敏电阻，光敏电阻的一端连接识别电阻的一端，光敏电阻的另一端接地。
[0015]进一步地，所述输入电压为220V。
[0016]进一步地，所述CPU主控模块包括单片机，CPU主控模块的第一输入端为单片机的输入端，CPU主控模块的输出端为单片机的输出端。
[0017]进一步地，所述CPU主控模块的第二输入端连接触摸屏控制模块的输出端。
[0018]进一步地，所述mos管为N沟道mos管。
[0019]进一步地，充电电阻的一端连接第一变压器，充电电阻的另一端连接第一二极管的阳极，第一二极管的阴极连接充电电容。
[0020]与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：
[0021](1)通过设置相位角度采集模块、开关模块和高压变压器，相位角度采集模块输出的信号控制开关模块的三极管和mos管的通断，输出要求的电压，提高了调压的精度，相比于现有的调压器的方式，调压精度可以提高一倍。且本专利技术采用三极管和mos管这些半导体开关进行通断器件，相比较调压器转动，本专利技术对周围带来的传导辐射干扰大大减少。
[0022](2)本专利技术采用相位角度采集模块，实现采集模拟量，相对于现有的几千瓦的调压器，可以将相位角度采集模块集成在一块PCB板上，减小体积。
附图说明
[0023]图1为本专利技术的主要电路结构图；
[0024]图2为现有的图变压充电原理图；
[0025]图3为本专利技术的相位角度采集模块电路图；
[0026]图4为本专利技术的各模块的连接结构图；
[0027]图中，R1第一限流电阻，R2第二限流电阻，R3第三限流电阻，R4假负载电阻，R5充电电阻，R6第四限流电阻，R7识别电阻，R8保护电阻，Q1第一三极管，Q2第二三极管，Q3 mos管，U1第一光耦，U2比较器，U3第二光耦。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0029]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范
围。
[0030]实施例1
[0031]本专利技术提供一种高精度高压调压充电电路。电路的主要电路图如图1所示。电路包括依次连接的相位角度采集模块、开关模块和高压变压器。
[0032]高压变压器包括输入电压、假负载电阻R4和第一变压器T1。开关模块包括第一光耦U1，第一光耦U1的发光器端连接第一限流电阻R1的一端，第一限流电阻R1的另一端连接相位角度采集模块，第一光耦U1的受光器端连接第一三极管Q1的基极、第二三极管Q2的基极和第一供电电压，第一三极管Q1为NPN三极管，第二三极管Q2为PNP三极管，第一三极管Q1的基极连接保护电阻R8，保护电阻R8接地，第一三极管Q1的集电极连接第二供电电压，第一三极管Q1的发射极连接第二限流电阻R2的一端和第二三极管Q2的发射极，第二限流电阻R2的另一端连接mos管Q3的栅极，mos管Q3的源极连接输入电压的正极，mos管Q3的漏极连接第二三极管Q2的集电极，mos管Q3的漏极和输入电压的负极之间连接假负载电阻R4，假负载电阻R4的两端并联第一变压器T1，第一变压器T1连接充电电阻R5、第一二极管D1和充电电容C1。mos管Q3为N沟道mos管。
[0033]相位角度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高精度高压调压充电电路，其特征在于，电路包括依次连接的相位角度采集模块、开关模块和高压变压器，所述高压变压器包括输入电压、假负载电阻(R4)和第一变压器(T1)，所述开关模块包括第一光耦(U1)，所述第一光耦(U1)的发光器端连接第一限流电阻(R1)的一端，第一限流电阻(R1)的另一端连接相位角度采集模块，第一光耦(U1)的受光器端连接第一三极管(Q1)的基极、第二三极管(Q2)的基极和第一供电电压，所述第一三极管(Q1)为NPN三极管，第二三极管(Q2)为PNP三极管，第一三极管(Q1)的基极连接保护电阻(R8)，保护电阻(R8)接地，第一三极管(Q1)的集电极连接第二供电电压，第一三极管(Q1)的发射极连接第二限流电阻(R2)的一端和第二三极管(Q2)的发射极，第二限流电阻(R2)的另一端连接mos管(Q3)的栅极，mos管(Q3)的源极连接输入电压的正极，mos管(Q3)的漏极连接第二三极管(Q2)的集电极，mos管(Q3)的漏极和输入电压的负极之间连接假负载电阻(R4)，假负载电阻(R4)的两端并联第一变压器(T1)，所述第一变压器(T1)连接充电电阻(R5)、第一二极管(D1)和充电电容(C1)；相位角度采集模块包括连接输入电压的第二变压器(T2)，所述第二变压器(T2)连接第三限流电阻(R3)，且与反向并联的第二二极管(D2)和第三二极管(D3)的两端连接，反向并联的二极管的一端连接比较器(U2)的正向输入端，反向并联的二极管的另一端连接比较器(U2)的反向输入端，比较器(U2)的输出端连接第四限流电阻(R6)的一端，第四限流电阻(R6)的另一端连接第二光耦(U3)的发光器端，第二光耦(U3)的受光器端连接识别电阻(R7)的一端，识别电阻(R7)的一端连接CPU主控模块的第一输入端，CPU主控...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛文斌，顾建军，张乐，黄凤翔，
申请(专利权)人：上海普锐马电子有限公司，
类型：发明
国别省市：