功率半导体装置及使用该装置的电路模块制造方法及图纸

本发明专利技术为一种功率半导体装置及使用该装置的电路模块，其中该功率半导体装置包括：半导体芯片，具有第一与第二电极，其中第一电极设置在半导体芯片的第一表面，第二电极设置在半导体芯片的第一表面或与第一表面相对的第二表面上；第一导电片，具有第一与第二接触部，其中第二接触部与半导体芯片的第一电极连接；第二导电片，具有第一与第二接触部，其中第二接触部与半导体芯片的第二电极连接；以及封装物质，用于封装半导体芯片、部分第一与第二导电片，并使第一导电片以及第二导电片的第一接触部暴露，以使功率半导体装置得由第一导电片以及第二导电片的第一接触部供电流流通。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种功率半导体装置，其包括：一半导体芯片，具有一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极设置在该半导体芯片的一第一表面，该第二电极设置在该半导体芯片的该第一表面或与该第一表面相对的一第二表面上；一第一导电片，具有一第一接触部与 一第二接触部，其中该第二接触部与该半导体芯片的该第一电极连接；一第二导电片，具有一第一接触部与一第二接触部，其中该第二接触部与该半导体芯片的该第二电极连接；以及一封装物质，用于封装该半导体芯片、部分该第一导电片以及部分该第二 导电片，并使该第一导电片的该第一接触部以及该第二导电片的该第一接触部暴露，以使该功率半导...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈盈源，游承谕，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]