【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种内埋电容元件结构，其特征在于包括：一介电层，具有一厚度；一第一导电层，位于该介电层的一侧，其中该第一导电层具有一第一电性；一第二导电层，位于该介电层上相对于该第一导电层的另一侧，其中该第二导电层具有一第二电性；一第一嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第一导电层电性连结；以及一第二嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第二导电层电性连结，且与该第一嵌板相距有一距离。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王永辉，欧英德，洪志斌，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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