电容器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种电容器以及制造该电容器的方法。该电容器可以包括基板、形成在基板的一个侧面上的聚合物层、选择性地形成在聚合物层之上的电路图案、以及与电路图案对应的二氧化钛纳米片。本发明专利技术的实施例可以在基板中提供平整度，并且使基板上的铜保持它作为电极的功能性，与此同时增加附着到二氧化钛纳米片的粘附力。因此，可以在图案化的基板上以期望的形状、层数、和厚度实现二氧化钛纳米片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电容器以及制造该电容器的方法。
技术介绍
随着近来电子产业中的技术发展，各个
被积极地结合 在一起，以努力满足用户对于更轻、更薄、且更紧凑的产品的需求 以及对于随处可在的服务的需求。基于个体发展或商业化研究成果，在各个领域中可以看到电气 技术、电子技术和通讯技术以及电子材料和器件方面的独立或综合 的发展。在这些各种各样的技术中，作为实现更轻、更薄、且更紧凑产 品方面的现有技术功能性的方法以及在电子器件中利用现有技术 材料的方法，数字IC(集成电路)芯片被赋予更高的工作频率和更 {氐的工作电压。并且，用于去除切换噪声(switching noise )的〗氐阻抗去耦电容 器变得日益重要。去耦电容器越4妄近IC芯片就越能够降4氐阻抗。因而，已经具 有很多关于在IC上形成电容器的技术的报告。在^f吏用芯片外(off-chip)电容器的情况下，电容器可以附着于 PCB或IC封装件。在此，由于从芯片延伸至电容器的引线长度， 因而可能会发生寄生电感，这可能会引起高频特性方面的问题。在用于在硅上形成晶体管的工艺过程中形成电容器还可能会 引起如下问题。首先，用于芯片内的电极的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器，包括：基板；聚合物层，形成在所述基板的一个侧面上；电路图案，选择性地形成在所述聚合物层之上；以及二氧化钛纳米片，与所述电路图案对应。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：林成泽，郑栗教，金云天，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]