显示装置和制造显示装置的方法制造方法及图纸

本公开提供一种显示装置和一种制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；半导体层，在所述基底上，并且包括至少一个晶体管的沟道；第一绝缘层，在所述半导体层上；以及栅极电极，在所述第一绝缘层上。所述半导体层包括多晶硅，并且所述沟道包括：第一区，包含第一杂质；和第二区，包含与所述第一杂质不同的第二杂质。杂质。杂质。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和制造显示装置的方法


[0001]本公开的实施例的方面涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。

技术介绍

[0002]随着信息化社会的发展，对显示装置的各种需求不断增加。例如，显示装置正被诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置采用。
[0003]显示装置可以包括诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置包括包含有机发光元件的有机发光显示装置、包含诸如无机半导体的无机发光元件的无机发光显示装置和包含超小型发光元件的微型发光显示装置。
[0004]在这些发光显示装置之中，有机发光显示装置通过使用在电子和空穴复合时发射光的有机发光元件来显示图像。这种有机发光显示装置包括用于向有机发光元件提供驱动电流的多个晶体管。多个晶体管中的每一个可以包括沟道区，并且每个晶体管的沟道区可以被掺杂。
[0005]在本
技术介绍
部分中公开的以上信息用于增强对本公开的背景的理解，并且因此，以上信息可以包含不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]本公开的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：基底；半导体层，在所述基底上，并且包括至少一个晶体管的沟道；第一绝缘层，在所述半导体层上；以及栅极电极，在所述第一绝缘层上，其中，所述半导体层包括多晶硅，并且其中，所述沟道包括：第一区，包含第一杂质；和第二区，包含与所述第一杂质不同的第二杂质。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二区定位在所述第一区上，并且与所述第一区重叠。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一区的上表面与所述第二区的下表面接触。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一杂质包含V族元素，并且所述第二杂质包含III族元素。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一杂质包括磷，并且所述第二杂质包括硼。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一区的厚度在至的范围内，并且所述第二区的厚度在至的范围内。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括在所述第一区与所述第二区之间的第三区，所述第三区包含所述第一杂质和所述第二杂质。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第三区中的所述第二杂质具有朝向所述第一区逐渐地减小的浓度梯度。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个晶体管还包括连接到所述半导体层的第一电极和第二电极。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括在所述至少一个晶体管上的发光元件，所述发光元件包括：阳极电极，电连接到所述第二电极；发光层，在所述阳极电极上；以及阴极电极，在所述发光层上。11.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括：在基底上形成第一非晶硅层；通过用第一杂质掺杂所述第一非晶硅层的至少一部分形成第一区；在所述第一非晶硅层上形成第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宗吾，金长玄，苏炳洙，郑在佑，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：