半导体封装结构制造技术

本申请提供的半导体封装结构，利用光学结构(抗反射结构)降低反射率，提高光线传播至光电传感器的光穿透率，进而提高正向/斜向入射信号之光信噪比(Optical Signal to Noise ratio，OSNR)。OSNR)。OSNR)。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及半导体封装结构。

技术介绍

[0002]光电传感器(sensor)的光信噪比(Optical Signal to Noise ratio，OSNR)与入射光线角度有关，当入射光与盖体(cover)有夹角时，会因为反射而降低效益，如图1A1、图1A2和图1A3所示，斜向照射的总透射量相较于正向衰减10％～20％，造成透射效率降低。若该盖体为滤光片，则可能导致色彩偏移或失真。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种半导体封装结构，包括：
[0004]基板；
[0005]光电传感器，位于所述基板的其中一侧，所述光电传感器具有朝向所述基板的感测区域；
[0006]光学结构，邻近设置于所述感测区域，并用于减少光学反射。
[0007]在一些可选的实施方式中，所述光学结构具有相对的第一表面和第二表面，其中，所述第一表面相对于所述第二表面粗糙。
[0008]在一些可选的实施方式中，所述第二表面朝向所述感测区域。
[0009]在一些可选的实施方式中，所述结构还包括：
[0010]阻光结构，邻近设置于所述感测区域，并用于阻挡光线经过所述阻光结构所在的区域并传播至所述感测区域。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述阻光结构围绕所述光学结构。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述光学结构的高度不超过所述阻光结构的高度。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述光学结构的范围由所述阻光结构定义。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述结构还包括：
[0015]透明保护层，包覆所述光电传感器。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述透明保护层还位于所述基板与所述感测区域之间。
[0017]在一些可选的实施方式中，所述光学结构为滤光结构。
[0018]本申请提供的半导体封装结构，利用光学结构(抗反射结构)降低反射率，提高光线传播至光电传感器的光穿透率，进而提高正向/斜向入射信号之光信噪比(Optical Signal to Noise rat io，OSNR)。
附图说明
[0019]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0020]图1A1、图1A2和图1A3是B、G、R多层带通滤波器的透射频谱；
[0021]图1B是根据本申请实施例的半导体封装结构的结构示意图；
[0022]图1C是根据本申请实施例的半导体封装结构中光学结构的结构示意图；
[0023]图1D是根据本申请实施例的半导体封装结构中阻光结构的结构示意图；
[0024]图2至图6是根据本申请实施例提供的半导体封装结构的第一制造过程中的结构示意图；
[0025]图7至图11是根据本申请实施例提供的半导体封装结构的第二制造过程中的结构示意图；
[0026]图12至图15是根据本申请实施例提供的半导体封装结构的第三制造过程中的结构示意图。
[0027]符号说明：
[0028]1‑
基板，2
‑
光电传感器，21
‑
感测区域，3
‑
光学结构，31
‑
第一表面，32
‑
第二表面，33
‑
圆锥结构，4
‑
阻光结构，41
‑
开口，5
‑
透明保护层，6
‑
导线层，7
‑
载体，8
‑
光阻剂，9
‑
第一模具，10
‑
第二模具，11
‑
掩膜板。
具体实施方式
[0029]下面结合附图和实施例对说明本申请的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本申请所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关技术，而非对该技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关技术相关的部分。
[0030]需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本申请可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本申请可实施的范畴。
[0031]还需要说明的是，本申请的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，而水平截面可以为对应上视图方向截面。
[0032]应容易理解，本申请中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”。
[0033]此外，为了便于描述，本申请中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个组件或部件与附图中所示的另一组件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90
°
或以其他定向)，并且在本申请中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。
[0034]另外，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0035]图1B是根据本申请实施例的半导体封装结构的结构示意图。如图1B所示，该半导体封装结构可以包括基板1、光电传感器2及光学结构3。其中，光电传感器2位于基板1的其中一侧。光电传感器2具有朝向基板1的感测区域21。光学结构3邻近设置于感测区域21。
[0036]在本实施例中，光电传感器2例如可以是环境光(Ambient light)传感器、时间飞行(Time of Fl ight，ToF)传感器或近距离(Proximity Sensor，PS)传感器。光电传感器2可以包括光接收芯片。
[0037]在本实施例中，光学结构3可以是用于减少光学反射的抗反射结构(Anti
‑
Reflective Structure，ARS)。利用光学结构3可以降低反射率，提高光线传播至光电传感器的光穿透率。针对不同波长的入射光，可以通过改变光学结构3的形态结构和/或材料达到抗反射的效果。举例而言，若入射光为红外光，光学结构3可以选用红外光吸收材以达到抗反射效果。或者，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，包括：基板；光电传感器，位于所述基板的其中一侧，所述光电传感器具有朝向所述基板的感测区域；光学结构，邻近设置于所述感测区域，并用于减少光学反射。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述光学结构具有相对的第一表面和第二表面，其中，所述第一表面相对于所述第二表面粗糙。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其中，所述第二表面朝向所述感测区域。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述结构还包括：阻光结构，邻近设置于所述感测区域，并用于阻挡光线经过所述阻光结构所在的区域并传播至所述感测区...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯俊宇，蔡宗岳，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：