嵌入式电阻元件制造技术

本发明专利技术是关于一种嵌入式电阻元件包括：一电阻器；一接地面，其位于电阻器的一第一侧附近且电性连接至电阻器的一第一端，接地面处提供有一孔；一第一介电层，其存在于电阻器与接地面之间；一导线，其电性连接至电阻器的一不同于电阻器的第一端的第二端且部分地环绕该电阻器，且被用作一用于支持电阻器的电阻涂布制造工艺的辅助物且用以提供嵌入式电阻元件在导线处的一端子；一导电区域，其位于接地面的一不同于电阻器的第一侧的一第二侧附近；一第二介电层，其存在于接地面与导电区域之间；及一导电路径，其穿过孔而将导线电性连接至导电区域。本发明专利技术提供的电阻元件可具有更好的效能且相较现有电阻元件而言可防止射频应用中的功率消耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于嵌入式电阻元件，且更明确地说是关于具有改良射频(RF) 效能的嵌入式电阻元件。
技术介绍
电阻器已广泛用于诸如限流电路、电压调节器及终止阻抗控制器的电路 中。可利用诸如表面黏着技术(SMT)的相对复杂的制造工艺而将一些电阻 器安装于电路板上，此种制造工艺可能大量占用电路板上的面积。为了减縮 电阻器的尺寸，已开发了嵌入式电阻元件，其可通过电阻涂布技术形成。图 1所示为一现有嵌入式电阻元件100的横截面图。如图1所示，嵌入式电阻 元件100可包括一涂布于一介电层104上的电阻材料102，介电层104可形 成于一接地面106上。电阻材料102可包括电连至接地面106的一端及电连 至一作为单端口嵌入式电阻元件100的一端子的导体的另一端。然而，因为 在一电路板的电路印刷期间可能出现误差且涂布材料中可能存在缺陷，所以 可能需要一校准过程以用于调整嵌入式电阻元件100的电阻。该校准过程可 通过一激光机执行且可能会增加制造成本。此外，因为嵌入式电阻元件IOO可包括通过不同制造工艺制造的不同层 中的不同种类的材料，所以寄生效应可能会出现在诸如电阻材料102与接地 面106之间。所述的这些寄生效应可能会使嵌入式电阻元件100的电气特性 恶化。此外，寄生效应可随嵌入式电阻元件100的操作频率而增强。在射频 应用中，阻抗的需求可能在数百至数千欧姆。然而，寄生效应可将现有嵌入 式电阻元件100的实际阻抗减少至几至几十欧姆。图2所示为图1中嵌入式 电阻元件100在数种频率下的阻抗大小。如图2所示，阻抗可随操作频率的 增加而减少。在诸如射频(RF)电路的一些应用中，嵌入式电阻元件100可能因阻抗的急剧减少而可能无法被接受。已提议许多嵌入式电阻元件结构以提供改良的频率效能。举例而言，Z)m朋等人的专利技术名称为"Polymer Thick Film Resistor, Layout Cell, and Method,"的美国专利第7,038,571号及《a/fe"ecfer的专利技术名称为"Resistor Having Geometry for Enhancing Radio Frequency Performance"的美国专禾ll第 5,420,562号描述了一些嵌入式电阻元件结构。然而，现有元件在相对高的操 作频率下往往无法提供相对高的阻抗或不适于具有相对大的长度/宽度比的 设计。因此，亟需可提供改良的频率效能的嵌入式电阻元件。
技术实现思路
针对上述现有元件在相对高的操作频率下往往无法提供相对高的阻抗或 不适于具有相对大的长度/宽度比的设计。本专利技术提供提供一种改良的频率效 能的嵌入式电阻元件。本专利技术的实例可包括一种嵌入式电阻元件，其包含 一电阻器； 一接地 面，其位于该电阻器的第一侧附近且电性连接至电阻器的一第一端，在该接 地面处提供有一孔； 一第一介电层，其存在于电阻器与接地面之间； 一电性 连接至电阻器的一不同于电阻器的该第一端的第二端且部分地环绕电阻器的 导线，该导线被用作一用于支持电阻器的电阻涂布制造工艺的辅助物且用以 提供嵌入式电阻元件在该导线处的一端子； 一导电区域，其位于接地面的一 不同于电阻器的第一侧的第二侧附近； 一第二介电层，其存在于接地面与该 导电区域之间；及一导电路径，其穿过该孔而将导线电性连接至导电区域。本专利技术的一些实例亦可包括一种嵌入式电阻元件，其包含 一电阻器； 一接地面，其位于该电阻器的第一侧附近且电性连接至电阻器的一第一端， 在该接地面处提供有复数个孔； 一第一介电层，其存在于电阻器与接地面之 间； 一电性连接至电阻器的一不同于电阻器的该第一端的第二端且部分地环 绕电阻器的导线，该导线作为一用于支持电阻器的电阻涂布制造工艺的辅助 物且用以提供嵌入式电阻元件在该导线处的一端子； 一导电区域，其位于接地面的一不同于电阻器的第一侧的第二侧附近； 一第二介电层，其存在于接地面与该导电区域之间；及复数个导电路径，其穿过该复数个孔而将导线电性连接至导电区域。本专利技术的实例可进一步包括一种嵌入式电阻元件，其包含 一电阻器；一接地面，其位于该电阻器的第一侧附近且电性连接至电阻器的一第一端，在该接地面处提供有复数个孔； 一第一介电层，其存在于电阻器与接地面之 间； 一电性连接至电阻器的一不同于电阻器的该第一端的第二端且部分地环 绕电阻器的导线，该导线作为一用于支持电阻器的电阻涂布制造工艺的辅助 物且用以提供嵌入式电阻元件在该导线处的一端子；复数个导电区域，其位 于接地面的一不同于电阻器的第一侧的第二侧附近； 一第二介电层，其存在 于接地面与该复数个导电区域之间；及复数个导电路径，其穿过该复数个孔 而将导线电性连接至该复数个导电区域。本专利技术的实例可进一步包括一种嵌入式电阻元件，其包含 一电阻器； 一接地面，其位于该电阻器的第一侧附近，在该接地面处提供有一孔； 一第 一介电层，其存在于电阻器与接地面之间；嵌入式电阻元件的第一端子，其 电性连接至电阻器的第一端； 一电性连接至电阻器的一不同于电阻器的该第 一端的第二端且部分地环绕电阻器的导线，该导线作为一用于支持电阻器的 电阻涂布制造工艺的辅助物且用以提供嵌入式电阻元件的一第二端子； 一导 电区域，其位于接地面的一不同于电阻器的第一侧的第二侧附近； 一第二介 电层，其存在于接地面与该导电区域之间；及一导电路径，其穿过该孔而将 导线电性连接至导电区域。本专利技术提供的电阻元件可具有更好的效能且相较现有电阻元件而言可防 止射频应用中的功率消耗。本专利技术的其它特征及优点将部分地在以下描述中提出，且部分地将自该 描述显而易见或可通过实施本专利技术而习得。本专利技术的特征及优点将借助于在 权利要求范围中特别指出的元件及组合而实现并获得。7应了解的是，前述一般描述与以下详细描述仅为例示性及说明性的，且 并不限制本专利技术说明书所主张的专利技术。附图说明图1为一现有嵌入式电阻元件的横截面图2为说明图1中所示的现有嵌入式电阻元件在数种操作频率下的阻抗图3A为根据本专利技术的一实例的嵌入式电阻元件的俯视平面图3B为沿图3A所示的虚线A3的嵌入式电阻元件的横截面图3C为具有基于图3B所示结构的多层结构的嵌入式电阻元件的横截面图4A为根据本专利技术的另一实例的嵌入式电阻元件的俯视平面图； 图4B为沿图4A所示的虚线A4的嵌入式电阻元件的横截面图； 图4C为具有基于图4B所示的结构的多层结构的嵌入式电阻元件的横截 面图5A为根据本专利技术的又一实例的嵌入式电阻元件的俯视平面图5B为沿图5A所示的虚线A5的嵌入式电阻元件的横截面图5C为具有基于图5B所示结构的多层结构的嵌入式电阻元件的横截面图6A为根据本专利技术的另一实例的嵌入式电阻元件的俯视平面图； 图6B为沿图6A所示的虚线A6的嵌入式电阻元件的横截面图； 图6C为具有基于图6B所示结构的多层结构的嵌入式电阻元件的横截面 图；及图7为说明图3A及图3B所示的嵌入式电阻元件在数种频率下的阻抗图。附图标号100嵌入式电阻元件102电阻材料 104介电层 106接地面300-1嵌入式电阻元件300嵌入式电阻元件302电阻器304接地面306导电路径307导电路径308导线310导电区域312端子316第一介电层318第二介电层320第一端322第二端324孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌入式电阻元件，其特征在于，所述的嵌入式电阻元件包含：一包括一第一端及一第二端的电阻性区域；一接地面；一处于所述的电阻性区域与所述的接地面之间的第一介电层；一包括一第一端及一第二端的导线，所述的导线的所述的第一端电性连接至所述的电阻性区域的第一端；一导电区域；一处于所述的接地面与所述的导电区域之间的第二介电层；及一将所述的导线电性连接至所述的导电区域的导电路径。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：魏昌琳，陈昌升，蔡承桦，余迅，徐钦山，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]