具有掩埋图案的基板及其制造方法技术

本发明专利技术披露了一种具有掩埋图案的基板以及制造该基板的方法。该基板可以包括绝缘板；掩埋在绝缘板的一侧中的第一图案；掩埋在绝缘板的另一侧中的第二图案，该绝缘板在第一图案与第二图案之间具有预定的绝缘厚度；以及通孔，所述通孔电连接第一图案和第二图案。对于相同的绝缘厚度，与具有曝光图案的基板相比，根据本发明专利技术某些具体实施方式的具有掩埋图案的基板可以具有更大的刚性。并且，可以利用具有特定量厚度的载板绝缘板结合体以满足在采用用于更厚基板的现有辊装置中的厚度要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
随着正在生产具有更高性能和更小尺寸的电子设备，半导体芯 片端子的数目急剧增加。为了改善信号传输速度，用于FC-BGA(倒 装芯片球栅阵列)封装的核心基板(core board)变得越来越薄。核 心基板的低厚度可以降低回路电感(loop inductance ),其中低回路 电感可以改善信号传输速度。在相关纟支术中，可以采用由CCL(覆 铜箔层压板)形成的核心基板。然而，4交薄的核心基板在用于制造封装的工序中在回流工艺 (reflowing process )期间，防止由热膨胀系数的差异而引起的变形 等方面可能更有限。并且，在其中用于薄基板的制造过程采用辊作 为传输装置的情况下，薄基板的向里弯可以导致基板在辊的周围被 巻起。
技术实现思路
本专利技术4是供了一种基板，该基4反具有掩埋在绝缘才反两侧的图 案，以提供高水平的刚性(刚度)同时保持预定的绝缘厚度。本专利技术提供了 一种制造基板的方法，其中对于载板绝缘板结合体实施传输工艺(传丰命过程，transport process), l吏得可以才是供传输 工艺中需要的预定量的厚度。本专利技术的一个方面提供了一种具有掩埋图案的基板，该基板包 括绝缘板；第一图案，掩埋在绝缘板的一侧中；第二图案，掩埋在 绝缘板的另 一侧中，该绝缘板在第 一图案与第二图案之间具有预定 的绝缘厚度；以及通孔，其电连接第一图案和第二图案。绝缘厚度可以为大于或等于20微米且小于或等于40微米的 值，同时第一图案和第二图案掩埋在绝缘板中的深度可以大于或等 于5微米且小于或等于40微米。在其中第一图案和第二图案掩埋在绝缘板中的深度为io微米 以下的情况下，绝纟彖厚度可以大于或等于l(M敞米。在其中第一图案和第二图案掩埋在绝缘板中的深度为大于10 樣吏米的情况下，绝缘厚度可以大于或等于20微米。本专利技术的另一个方面提供了一种制造具有掩埋图案的基板的 方法，包括在第一载板的一侧上形成第一图案并在第二载板的一 侧上形成第二图案；通过将第 一载板和第二载板压到绝缘板上使得 第一图案和第二图案掩埋在绝缘板中而形成载板绝缘板结合体；使 用辊来传输该载板绝缘板结合体；以及除去第 一载板和第二载板。这里，载板绝缘板结合体的厚度可以大于或等于400微米且小于或 等于800樣i米。在本专利技术的某些具体实施方式中，具有掩埋图案的基才反可以给 出比具有曝光图案的基4反更高的刚性。同样，可以4吏基板4艮石更足以 抵抗在后续封装制造工序期间的变形，同时保持低的厚度。因此， 封装可以由由传统的CCL(覆铜箔层压板)形成的核心基板等制成， 而无需4壬4可附加的结构。在用于制造具有掩埋图案的基板工序中所包括的传输工艺可 以涉及辊的使用。如果用于传输厚基板的现有辊装置用于传输较薄 的基板，则存在薄基板被巻起到装置中并被损害的危险。因此，传 输基板的厚度必须保持大于预定值。才艮据本专利技术的一个具体实施方式，可以对载一反绝續4反结合体实 施传输，其可以包括连4妄至一个或多个绝續4反的一个或多个载4反， 4吏得可以避免对基4反的损坏。在一个实例中，可以4吏载板绝缘板结 合体的厚度大于或等于400微米，使得可以对更厚的基板利用现有 的辊传输装置。本专利技术的其它方面和优点将在以下描述中部分地阐述，并且部 分通过该描述而显而易见，或者可以通过实施本专利技术而获知。附图说明图1A和图1B是才艮据本专利技术一个具体实施方式的具有掩埋图 案的基板的透视图和剖视图。图2A和图2B是共有相同绝缘厚度的具有突出图案的基板和 具有掩埋图案的基板的剖视图。图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、以及图 3H是表示根据本专利技术另一个具体实施方式的用于制造具有掩埋图 案的基板的方法的工艺图的剖#见图。图4是根据本专利技术另 一个具体实施方式的用于制造具有掩埋图 案的基板的方法的流程图。具体实施例方式下面将参照附图更详细地描述根据本专利技术某些具体实施方式 的具有掩i里图案的基+反以及制造该基4反的方法。然而，这并不用于 将本专利技术限制于特定模式的实施，并且可以想到，不背离本专利技术的 精神和技术范围的所有改变、等价物、和替换均包括在本专利技术内。 在本专利技术的描述中，当相关4支术的某些详细i兌明^皮《人为可能不必要 地模糊本专利技术的实质的情况下，其将被忽略。在参照附图描述本专利技术的某些具体实施方式的过程中，以相同 的参考标号表示那些相同或相应的部件，并且省略多余的解释。图1A和图1B是才艮据本专利技术一个具体实施方式的具有掩埋图 案的基板的透视图和剖视图。在图1A和图1B中，示出了绝缘板 100、第一图案110、第二图案120、通孔130、以及掩埋图案基板 140。第一图案110掩埋的深度将用Al表示，而第一图案110的宽 度将用B表示。第二图案120掩埋的深度将用A2表示，而第二图 案120的宽度将用B表示，与第一图案110的宽度相同。通过其将 第一图案IIO和第二图案120分开的绝缘厚度将用D表示，而掩埋 图案基板140自身的厚度将用C表示。上述的尺寸可以根据掩埋图案基板140的使用和功能而变化。 同样地，也可以改变第一图案110和第二图案120中的配线间隔 (wiring interval )。才艮据封装的"设计规则，第一图案IIO和第二图案120掩埋在绝 缘板100中的深度A1、 A2可以保持大于或等于5微米且小于或等 于40微米。第一图案110和第二图案120可以整个掩埋在绝缘板100中。在这种情况下，掩埋深度可以保持在5微米以上，以确保图案内可靠的电连接。并且，为了在用于在绝缚^反100中掩埋第一图案110和第二图案120的工艺过程中将所需的力保持在一定水平之下，将掩埋深度保持在40微米以下可以是有利的。可以根据设计规则在数微米范围内选择第一图案110的宽度B。第二图案120的宽度可以与第一图案110的宽度B具有对应关系。这里，为了将第一图案110与第二图案120之间的阻抗保持在 对应于设计规则的水平上，绝缘厚度D也可以保持大于或等于20 微米且小于或等于4(H鼓米。通过将绝缘厚度D的值保持为大于或等于20微米，可以使第一图案与第二图案之间的阻抗为根据由设计规则所需水平的值。在其中绝缘厚度为约40微米的情况下，如果第一图案和第二图案的掩埋深度A1、 A2为30微米以上，则具有掩埋图案的基板可以变得相当厚，其中总厚度为100微米以上。在其中第一图案IIO和第二图案120掩埋在绝缘板100中的深度为约10微米的情况下，绝缘厚度可以保持在IO微米以上，以便 满足后续工艺中所需的物理刚'性的水平。在其中第一图案IIO和第二图案120掩埋在绝缘板IOO中的深度超过10微米的情况下，绝缘厚度可以设计为20微米以上，以便 在用于掩埋第一图案IIO和第二图案120的工艺中提供更大的稳定性。基于现有才支术的核心基4反通常可以具有约800樣i米的厚度。比 较起来，即使当对图案使用40微米的绝缘厚度和40微米的掩埋深 度时，基于该具体实施方式的掩埋图案基板140的总厚度也可以仅 为约120微米。通孔130可以电连接第一图案110与第二图案120。通孔130 可以由与第一图案IIO或第二图案120相同的材料制成。将在后面 参照图3A至图3H和图4来描述形成通孔的方法。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有掩埋图案的基板，所述基板包括：　绝缘板；　第一图案，所述第一图案掩埋在所述绝缘板的一侧中；　第二图案，所述第二图案掩埋在所述绝缘板的另一侧中，所述绝缘板在所述第一图案与所述第二图案之间具有预定的绝缘厚度；以及　通孔，所述通孔电连接所述第一图案和所述第二图案。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安镇庸，柳彰燮，闵炳烈，姜明杉，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]