使用激光辅助金属化和图案化衬底提供印刷电路板的方法技术

通过以下步骤制造印刷电路：对衬底的金属面板（１０００）进行激光投影图案化；在金属面板上层压电介质层（１２００），对衬底进行激光辐照以在衬底中形成通路（１４００），在衬底上激光激活晶种（１５１０）涂层，从衬底的未图案化部分（１６２０）清洗晶种涂层，在衬底上形成图案化堆积层，以及蚀刻掉金属面板以便形成金属突起。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
实施例涉及微电子结构，更具体来说，涉及^f吏用激光辅助激活和图案化制造的微电子结构。
技术介绍
现有技术提供用于制造印刷电路板的许多技术。起始材料 是微电子衬底，通常为电介质板、如ABF(味之素堆积薄膜)层，然后 可按照上述许多技术之一进行处理，以便提供印刷电路。 —种这样的技术涉及提供电介质层，然后将通路孔激光钻 孔到电介质层中。此后，电介质层被粗糙化、经过例如无电镀等化学 镀铜，以在整个电介质层上、包括在通路孔的壁上提供薄铜层。然后 将干膜抗蚀剂(DFR)层压到该薄铜层上，此后使DFR经过曝光和显影 工艺，以按照电路规范的要求形成电路设计图案。在使DFR经过显影 液处理以便清洗掉它的曝光区域之后，使电介质层-薄铜层-图案化 DFR的组合经过电解镀铜，以便在薄铜层未被图案化DFR覆盖的区域薄铜层厚得多的铜层(以下称作"厚铜层，，)。由此，在进一步电镀厚铜层 以防止它蚀刻之后，从该组合中剥离图案化DFR,以暴露未被厚铜层 覆盖的薄铜层。由此棵露的薄铜层这时被完全蚀刻掉， 一直到电介质 层，/人而留下印刷电路板。用于提供印刷电路板的另 一种常规技术涉及提供电介质 层、如ABF层，之后是用于在ABF层中提供通路孔的激光钻孔工艺。 此后，将DFR层压到电介质层上，然后使DFR经过曝光和显影工艺，以按照电路规范的要求形成电路设计图案。在使DFR经过显影液处理 以便清洗掉它的曝光区域之后，使电介质层-薄铜层-图案化DFR的组 合经过蚀刻工艺，以便烧蚀保持未^f支图案化DFR覆盖的预定厚度电介 质层，由此在电介质层中提供与要设置在电介质层上的导电迹线的位 置对应的凹槽。然后从电介质层剥离图案化DFR。此后，使电介质层 经过无电镀铜，以在整个电介质层上、包括在通路孔的壁上以及在设 置在迹线位置的凹槽内提供薄铜层。然后，通过电解电镀将较厚铜层 设置到薄铜层上，并使由此形成的组合经过回蚀、研磨或CMP，以便 产生印刷电路板。按照现有技术提供互连的另 一种已知技术通常称作"激光 嵌入技术"或LET。在LET中，使用激光烧蚀在电介质层如ABF层中 提供通路孔。此后，还使用激光辐照来烧蚀迹线的位置，以在电介质 层上提供凹槽迹线位置。此后，在由此烧蚀的电介质层上提供用铜的 无电镀以及随后的电解电镀。以上所述的镀铜引起在电介质层的活性 表面上形成铜层，该铜层填充凹槽迹线位置并在其上延伸。此后，使 用例如化学机械抛光等工艺去除延伸超出凹槽迹线位置的铜层的多余 铜，这样在电介质层的活性表面上产生互连。但是，例如以上所述的现有技术的技术由于增加的处理时 间而呈现低生产率，另外，对于其中满足目前的对准预算，可能是低 效的，因为它们要求使用多个工艺来生成通路和迹线，这些工艺导致 可能的对准误差的混合。附图说明在附图的各图中通过示例而非限制对实施例进行了说明， 并且在附图中，相似的参考标号指的是相似的要素，附图中 图1是微电子村底或面板的截面图；图2是示出图l衬底的截面图，其中提供了通路孔，以产 生根据一个实施例的通路定义衬底；图3是示出图2村底的截面图，其上提供了激光可激活薄 膜，以产生4艮椐一个实施例的薄膜衬底组合；图4a是示出图3组合中薄膜的截面图，其中已暴露于激光 辐照，以根据预定互连图案有选择地激活薄膜的部分，从而产生根据 一个实施例的有选择激活的薄膜衬底组合。图4b是示出图3组合中薄膜的顶视图，其中已暴露于激光 辐照，以根据预定互连图案有选择地激活薄膜的部分，从而产生才艮据 一个实施例的有选择激活的薄膜衬底组合；图5a是示出图4a和图4b组合的截面顶视图，其中已从中 去除薄膜的未激活部分，以产生根据一个实施例的图案化f堆积层衬 底组合；图5b是示出图4a和图4b组合的顶视图，其中已从中去除 薄膜的未激活部分，以产生根据一个实施例的图案化f堆积层村底组合；图6a是示出图5a和图5b组合的截面图，其中已提供了保 形无电沉积的第一导电层，以产生根据一个实施例的无电镀村底；图6b是示出图5a和图5b组合的顶视图，其中已提供了保 形无电沉积的笫一导电层，以产生根据一个实施例的无电镀村底；图7a是示出图6a和图6b无电镀衬底的截面图，其中已提 供电解沉积的第二导电层，以产生根据一个实施例的电解电镀村底；图7b是示出图6a和图6b无电镀衬底的顶视图，其中已提 供电解沉积的第二导电层，以产生根据一个实施例的电解电镀衬底；图8是示出图7a和图7b电解电镀衬底的顶视图，其中已 去除了其连杆，以产生图案化衬底或印刷电路板；图9是根据一个实施例结合印刷电路板的系统的示意表示；图10是层压的微电子衬底或面板的一个实施例的结果的 截面图；图11A-B是使用激活投影机械加工/图案化形成图案之后 的微电子村底或面板的 一个实施例的结果的截面图；图12A-B是电介质层层压工艺之后的微电子村底或面板的 一个实施例的结果的截面图；图13是有机材料堆积工艺之后的微电子衬底或面板的一 个实施例的结果的截面图；图14是激光通路钻孔之后的微电子衬底或面板的一个实 施例的结果的截面图；图15是浸涂之后的微电子衬底或面板的一个实施例的结 果的截面图；图16是激光激活之后的微电子衬底或面板的一个实施例 的结果的截面图；图17是清洗之后的微电子衬底或面板的一个实施例的结 果的截面图；图18是选择性电解电镀之后的微电子衬底或面板的一个 实施例的结果的截面图；图19是后续电介质堆积之后的微电子衬底或面板的一个 实施例的结果的截面图；图20是激光通路钻孔之后的微电子衬底或面板的一个实 施例的结果的截面图；图21是浸涂之后的微电子村底或面板的一个实施例的结 果的截面图；图22A是激光激活图21所示村底表面之后的微电子衬底 或面板的 一个实施例的结果的截面图；图22B是激光激活图21所示村底表面之后的微电子村底 或面板的 一个实施例的结果的顶视图；图23A是清洗之后的微电子衬底或面板的一个实施例的结 果的截面图；图23B是清洗之后的微电子村底或面板的一个实施例的结果的顶一见图；图24A是电介质层堆积之后的微电子衬底或面板的一个实 施例的结果的截面图；图24B是电介质层堆积之后的微电子衬底或面板的一个实 施例的结果的顶;魄图；图25是通路钻孔之后的微电子村底或面板的一个实施例 的结果的截面图；图26是可控坍塌芯片连接(C4)焊球和第一级互连(FLI)凸 块形成之后的微电子衬底或面板的一个实施例的结果的截面图；图27是蚀刻掉牺牲金属层形成金属突起之后的微电子衬 底或面板的一个实施例的结果的截面图；图28是无电镀之后的微电子衬底或面板的一个实施例的 结果的截面图；图29是通路填充和/或电解电镀之后的微电子衬底或面板 的一个实施例的结果的截面图；图30是干膜抗蚀剂(DFR)层压之后的微电子衬底或面板的 一个实施例的结果的截面图；图31是迹线烧蚀和辅助金属化之后的微电子村底或面板 的一个实施例的结果的截面图；图32是迹线无电镀之后的微电子衬底或面板的一个实施 例的结果的截面图；图33是迹线电解电镀之后的微电子衬底或面板的一个实 施例的结果的截面图；以及图34是DFR剥离之后的微电子衬底或面板的一个实施例 的结果的截面图。具体实施例方式本文所述的实施例一般涉及使用激光辅助金属化和图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：　对衬底的金属面板进行激光投影图案化；　在所述金属面板上层压电介质层；　对所述衬底进行激光辐照，以在所述衬底中形成多个通路；　在所述衬底上激光激活晶种涂层；　从所述衬底的未图案化部分清洗所述晶种涂层；　在所述衬底上形成图案化堆积层；以及　蚀刻掉金属镀层，形成金属突起。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：IA萨拉马，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]