金属填充微细结构体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种导电性良好的金属填充微细结构体的制造方法。金属填充微细结构体的制造方法具有：准备结构体的准备工序，所述结构体具有绝缘膜及沿厚度方向贯通所述绝缘膜且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体，导体从绝缘膜的厚度方向上的至少一个的面突出，所述结构体具有覆盖导体所突出的绝缘膜的面的树脂层；在氧分压为10000Pa以下的气氛下，至少对树脂层进行加热的加热工序；及从绝缘膜去除通过加热工序加热的树脂层的去除工序。树脂层包含热剥离性粘结剂。热剥离性粘结剂。热剥离性粘结剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属填充微细结构体的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种金属填充微细结构体的制造方法，该方法为如下：沿阳极氧化膜的厚度方向贯通且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体从阳极氧化膜的厚度方向上的至少一方的面突出，并且在加热之后去除覆盖导体所突出的阳极氧化膜的面的树脂层，尤其涉及一种在氧分压为10000Pa以下的气氛下进行树脂层的加热的金属填充微细结构体的制造方法。

技术介绍

[0002]在设置于绝缘性基材的多个贯通孔中填充金属等导电性物质而制成的结构体是近年来在纳米技术中也受关注的领域之一，例如期待作为各向异性导电部件的用途。
[0003]各向异性导电部件插入到半导体元件等电子零件与电路基板之间，仅通过进行加压便获得电子零件与电路基板之间的电连接，因此作为半导体元件等电子零件等的电连接部件及进行功能检查时的检查用连接器等被广泛使用。
[0004]尤其，半导体元件等电子零件的小型化明显。在如以往的焊线接合之类的直接连接布线基板的方式、倒装式接合及热压缩接合等中，由于有时无法充分保证电子零件的电连接的稳定性，因此各向异性导电部件作为电子连接部件而备受关注。
[0005]作为各向异性导电部件的制造方法，例如，在专利文献1中记载了金属填充微细结构体的制造方法，其具有：形成阳极氧化膜的阳极氧化处理工序，该阳极氧化膜在铝基板的一侧的表面实施阳极氧化处理，并且在铝基板的一侧的表面形成具有沿厚度方向存在的微孔及在微孔的底部存在的阻挡层；在阳极氧化处理工序之后，使用包含氢过电压比铝高的金属M1的碱性水溶液来去除阳极氧化膜的阻挡层的阻挡层去除工序；在阻挡层去除工序之后，实施电解电镀处理以向微孔的内部填充金属M2的金属填充工序；及在金属填充工序之后，去除铝基板以获得金属填充微细结构体的基板去除工序。在专利文献1中，在金属填充工序之后且在基板去除工序之前，具有在阳极氧化膜的未设置有铝基板的一侧的表面设置树脂层的树脂层形成工序。
[0006]以往技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本专利第6535098号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的技术课题
[0010]在上述专利文献1中，在阳极氧化膜的未设置有铝基板的一侧的表面设置有树脂层。金属填充微细结构体例如用于电连接2个半导体芯片。在该情况下，需要剥离上述树脂层。如上所述，将专利文献1的金属填充微细结构体用于2个半导体芯片的电连接的情况下，有时半导体芯片之间的导电性不充分。需要导电性良好的金属填充微细结构体。
[0011]本专利技术的目的为提供一种导电性良好的金属填充微细结构体的制造方法。
[0012]用于解决技术课题的手段
[0013]为了实现上述目的，本专利技术的一方式提供一种金属填充微细结构体的制造方法，其具有：准备结构体的准备工序，前述结构体具有绝缘膜及沿厚度方向贯通所述绝缘膜且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体，导体从绝缘膜的厚度方向上的至少一方的面突出，前述结构体具有覆盖导体所突出的绝缘膜的面的树脂层；在氧分压为10000Pa以下的气氛下，至少对树脂层进行加热的加热工序；及从绝缘膜去除通过加热工序加热的树脂层的去除工序，树脂层包含热剥离性粘结剂。
[0014]在加热工序中，优选为气氛的氧分压为1.0Pa以下。
[0015]在加热工序中，优选为气氛的不活泼气体的分压为气氛的总压的85％以上。
[0016]在加热工序中，优选为气氛的还原性气体的分压为气氛的总压的85％以上。
[0017]在加热工序中，优选为气氛的总压为5.0Pa以下。
[0018]导体优选为包含贱金属。
[0019]多个导体优选为具有相对于导体的长度方向垂直的截面上的截面积为20μm2以下的导体。
[0020]优选为加热工序中的树脂层的到达温度为150℃以下。
[0021]导体优选为从绝缘膜的厚度方向上的两面分别突出，树脂层分别设置于绝缘膜的厚度方向上的两面。
[0022]绝缘膜优选为阳极氧化膜。
[0023]专利技术效果
[0024]根据本专利技术，能够获得导电性良好的金属填充微细结构体。
附图说明
[0025]图1是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
[0026]图2是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
[0027]图3是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
[0028]图4是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
[0029]图5是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
[0030]图6是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
[0031]图7是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
[0032]图8是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
[0033]图9是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的另一例的一工
序的示意性剖视图。
[0034]图10是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的另一例的一工序的示意性剖视图。
[0035]图11是表示本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的制造方法的另一例的一工序的示意性剖视图。
[0036]图12是表示本专利技术的实施方式的各向异性导电部件的供给方式的一例的示意性立体图。
[0037]图13是表示本专利技术的实施方式的各向异性导电部件的供给方式的一例的示意性立体图。
[0038]图14是表示使用了本专利技术的实施方式的金属填充微细结构体的接合体的一例的示意图。
具体实施方式
[0039]以下，基于附图所示的优选实施方式，对本专利技术的金属填充微细结构体的制造方法进行详细说明。
[0040]另外，以下进行说明的图是用于说明本专利技术中的例示性图，本专利技术并不限定于以下所示的图。
[0041]另外，以下表示数值范围的“～”是指包括记载于两侧的数值。例如，ε
a
为数值α
b
～数值β
c
表示，ε
a
的范围包括数值α
b
和数值β
c
的范围，若用数学记号来表示，则为α
b
≤ε
a
≤β
c
。
[0042]关于温度及时间，若无特别记载，则包括在相应
中通常容许的误差范围。
[0043]并且，若也未对平行等进行特别记载，则包括在相应
中通常容许的误差范围。
[0044][金属填充微细结构体][0045]图1～图8是按工序顺序表示本专利技术的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种金属填充微细结构体的制造方法，其具有：准备结构体的准备工序，所述结构体具有绝缘膜及沿厚度方向贯通所述绝缘膜且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体，所述导体从所述绝缘膜的所述厚度方向上的至少一个的面突出，所述结构体具有覆盖所述导体所突出的所述绝缘膜的所述面的树脂层；在氧分压为10000Pa以下的气氛下，至少对所述树脂层进行加热的加热工序；及从所述绝缘膜去除通过所述加热工序加热的所述树脂层的去除工序，所述树脂层包含热剥离性粘结剂。2.根据权利要求1所述的金属填充微细结构体的制造方法，其中，在所述加热工序中，所述气氛的所述氧分压为1.0Pa以下。3.根据权利要求1或2所述的金属填充微细结构体的制造方法，其中，在所述加热工序中，所述气氛的不活泼气体的分压为所述气氛的总压的85％以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的金属填充微细结构体的制造方法，其中，在所述加热工序中，所述气氛的还原性气体的分压为所...

【专利技术属性】
技术研发人员：川口顺二，堀田吉则，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：