处理腔、平板显示器制造设备、以及利用所述设备的等离子处理方法技术

本文公开了一种平板显示器制造设备的处理腔，用于在其内部产生等离子而对至少一个基片进行预定的处理。如此地构造所述处理腔，使得单个大面积的基片在该处理腔内进行处理，而且此外多个小面积的基片在该处理腔内同时地进行处理。依据本发明专利技术，能够对单个大面积的基片进行处理，而且此外可以对多个小面积的基片同时地进行处理，而无需特别地改变所述设备的结构。因此，本发明专利技术的效果在于：可容易地与各种处理条件相适应、使得平板显示器的生产效率最大化、并且主动地适应市场上所需要的规格。此外，可以一次对多个基片进行处理。因此，本发明专利技术的效果在于：极大地减少了处理基片所需要的时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种平板显示器制造设备，该平板显示器制造设备用于在真空状态下产生等离子，从而对基片进行预定的处理。
技术介绍
通常地，用于制造平板显示器——例如液晶显示器(LCD)和等离子显示面板(PDP)——的平板显示器制造设备包括一个载荷锁定腔、一个传送腔、以及处理腔。载荷锁定腔、传送腔、以及处理腔如图1所示地彼此连接。闸式阀G安装在各个腔之间而独立地保持住各个腔之间的真空环境。载荷锁定腔10与外部连接，以用于从外部导入一个待处理的新基片、以及将在平板显示器制造设备中处理后的基片卸到外部。载荷锁定腔10的内部与外部连通，同时被反复地保持在真空状态和大气压状态下。用于装载基片的缓冲设备12安装在载荷锁定腔10内。一个基片可以装载于缓冲设备12上，或者多个基片可以彼此叠置地装载于缓冲设备12上。载荷锁定腔10设置有起模针18，用于将基片S装载到缓冲设备12上。起模针18用于通过一个装卸器将从载荷锁定腔10外部导入的基片S举到预定的高度、并且降下基片S而使得基片S装载在缓冲设备12上。缓冲设备12的外侧安装有对齐设备16，所述对齐设备16用于校正装载在缓冲设备12上的基片S，如图1所示。对齐设备16沿对角方向推动装载在缓冲设备12上的基片S的边缘，从而校正基片S的位置。载荷锁定腔10还设置有一个排其单元(未示)以及一个供气单元(末示)，以用于将载荷锁定腔10的内部转换到真空环境和环境气压。传送腔20与载荷锁定腔10及处理腔30相连。一个传送机器人22安装在传送腔20内，用于在载荷锁定腔10与相应的处理腔30之间传送基片。因此，在基片的传送过程中，传送腔20起到了中间通道的作用。传送腔20的内部总是保持在真空环境下，从而使得在从相应处理腔30卸出基片或者将基片导入相应处理腔30内时，相应处理腔30内的真空环境不会被释放掉而是被保持住。传送腔20还设置有一个排气单元，用于保持住该腔内的真空环境。在每个处理腔30内都安装有一个用于装载基片和处理单元(未示)的装载台32，从而对基片进行预定的处理。例如，在每个处理腔内，基片于真空环境下时刻。处理单元可包括有一个用于将射频(RF)功率供应到装载台的功率供应部分、一个用于将处理气体导入到相应处理腔30内的处理气体供应部分、一个与装载台相对地设置的上电极——所述装载台用作下电极、以及用来帮助传送基片的起模针。平板显示器制造设备进一步包括有一个装卸器40，用于将基片导入到载荷锁定腔10内、以及把基片从载荷锁定腔10卸出到外部。装卸器40邻近于载荷锁定腔10地安装。装卸器20用于从一个盒C——多个基片装载在该盒内——接收基片、并将接收到的基片导入到载荷锁定腔10内。同时，装卸器40用于从载荷锁定腔10接收处理过的基片并将给处理过的基片装载到盒C内。如图1所示，装卸器40设置在载荷锁定腔10与盒C之间。装卸器40构造成使得装卸器40的一个机械臂可以转动以及线性地移动，用于导入和卸下基片。最近，在平板显示器制造设备中处理的基片的尺寸持续地增加，以增加通过平板显示器制造设备所制造的平板显示器的产出率。基片尺寸增加的原因是同时地制造多个平板显示器，从而提高产出率。此外，为了有效地制造大面积的平板显示器——该要求持续地增长，不可避免地需要增加基片的尺寸。然而，随着基片尺寸的增加，在大面积基片的整个表面上实现均匀的处理变得困难。尤其地，一次地处理大面积基片以提高产出率；然而，当没有均匀地对大面积基片进行处理时，次品率增加，从而，产出率减少。在另一方面，对多个尺寸合适的小面积基片进行处理、而不是对单个大面积基片进行处理是有利的，这是一种增加产出率的方法。因此，需要一种新颖的平板显示器制造设备，该设备可对单个大面积的基片进行处理、并且此外还可对多个小面积的基片同时地进行处理而无需特别地改变设备的结构，从而增加产出率并减少次品率。
技术实现思路
因此，考虑到上述的问题而作出了本专利技术，且本专利技术的目的在于提供一种平板显示器制造设备，该设备可对单个大面积的基片进行处理，并且此外还可对多个小面积的基片同时地进行处理。依据本专利技术的一个方面，可以通过提供一种平板显示器制造设备来实现上述以及其它的目的，该平板显示器制造设备用于在其内部产生等离子而对至少一个基片进行预定的处理，其中处理腔构造成使得在该处理腔内对单个大面积的基片进行处理、并且此外还可在该处理腔内对多个小面积的基片同时地进行处理。优选地，处理腔的下部设置有一个下电极，多个分开的电极部分形成在该下电极上。因此，可以对单个大面积的基片进行处理，并且此外可以同时地对多个小面积的基片进行处理。优选地，如此地构造所述分开的电极部分的结构在分开电极部分之间形成电间断。因此，本专利技术可容易地应用于各种处理模式。优选地，所述下电极设置有多个起模针，所述起模针通过各分开电极部分的边缘而升高和降低。优选地，如此地构造所述起模针，使得设置在下电极中央的起模针和设置在下电极边缘的起模针被独立地驱动。因此，本专利技术可容易地应用于各种处理模式。依据本专利技术的另一个方面，提供了一种平板显示器制造设备，该设备包括至少一个处理腔、一个传送腔、以及一个载荷锁定腔，用于对至少一个基片进行预定的处理，其中构造所述至少一个处理腔、传送腔、以及载荷锁定腔，从而可以同时地执行单处理模式和多处理模式，所述单处理模式用于处理单个的大面积基片，而所述多处理模式用于处理多个小面积的基片。在此，所述单处理模式用于均匀地处理单个基片，而所述多处理模式用于同时地对多个基片均匀地进行处理。依据本专利技术的平板显示器制造设备可应用到一个蚀刻设备以及一个化学气相沉积(CVD)设备中，该蚀刻设备通过等离子而将一个位于基片上的薄膜蚀刻成特定的图案，所述化学气相沉积设备通过CVD方法而在基片上形成特定的薄膜。蚀刻设备可以是多类别的蚀刻设备——其将射频(RF)功率同时地施加到上电极和下电极上、双RF类别的蚀刻设备——其将两种不同频率的RF功率施加到上电极或下电极上、活性离子腐蚀(RIE)类别的蚀刻设备——其将RF功率施加到下电极上、或者是等离子加强(PE)类别的蚀刻设备——其将RF功率施加到上电极上。附图说明通过下文的详细描述，同时结合附图，本专利技术的上述和其它的目的、特征以及优点将变得更为清楚，其中图1是一个概念性的示图，示出了一个传统平板显示器制造设备的构造；图2是一个概念性的示图，示出了一个依据本专利技术优选实施方式平板显示器制造设备的构造；图3是一个立体图，示出了依据本专利技术一个优选实施方式的下电极的结构；图4A和4B是立体图，示出了依据本专利技术优选实施方式的下电极的应用； 图5是一个俯视图，示出了依据本专利技术一个优选实施方式的传送机器人；图6是一个俯视图，示出了依据本专利技术优选实施方式的传送机器人的应用；图7是一个侧视图，示出了依据本专利技术优选实施方式的传送机器人；图8是一个剖视图，示出了依据本专利技术一个优选实施方式的载荷锁定腔的结构；图9是一个示图，示出了依据本专利技术优选实施方式的载荷锁定腔的应用；图10A和10B的示图示出了依据本专利技术优选实施方式的载荷锁定腔的另一种应用；图11的示图示出了依据本专利技术一个优选实施方式的装卸器的结构；图12的示图示出了依据本专利技术优选实施方式的装卸器的结构；图13是一个概念性的示图，示出了依据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板显示器制造设备的处理腔，该处理腔用于在其内部产生等离子而对至少一个基片进行预定的处理，其中如此地构造所述处理腔，使得单个大面积的基片在该处理腔内进行处理，而且此外多个小面积的基片在该处理腔内同时地进行处理。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣钟，崔浚泳，姜赞镐，李祯彬，
申请(专利权)人：爱德牌工程有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]