用于确定等离子体特性的方法技术

提供了用于确定等离子体的特性的方法。在一个实施例中，一种用于确定等离子体的特性的方法包括获得耦合到等离子体的具有不同频率的第一和第二波形的电流和电压信息的度量，利用从每个不同频率的波形获得的度量确定等离子体的至少一个特性。在另一个实施例中，该方法包括提供作为频率函数的等离子体的等离子体阻抗模型，并利用模型确定等离子体的至少一个特性。在又一实施例中，该方法包括提供作为频率函数的等离子体的等离子体阻抗模型，测量耦合到等离子体并且具有至少两个不同频率的波形的电流和电压，并利用模型和测得的波形的电流和电压确定等离子体的离子质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及等离子体处理技术，更具体而言，涉及用于确定等离子体处理系统中等离子体的特性的方法。
技术介绍
等离子体增强半导体处理室被广泛用在集成器件的制造中。处理性能通常依赖于等离子体的物理、化学和电属性。例如，等离子体刻蚀处理的均匀性和选择性与处理衬底的表面处或表面附近的等离子体的能量离子的动力学属性强烈相关。在各向异性刻蚀处理中，使入射离子以接近垂直于表面的极窄的角向速度分布撞击衬底表面，从而提供刻蚀衬底内的高高宽比特征的能力。然而，基本各向同性的离子速度分布可能导致不希望发生的刻蚀效果，例如轮廓腔侧壁的凸起(bowing)或凹陷(toeing)。此外，等离子体离子的动能分布也可能影响衬底处理结果。通常，等离子体包含化学反应性物质，例如原子基团(Cl-)、原子离子(Cl+)、分子离子(Cl2+)和激发分子(Cl2*)，这些都是通过电子-分子碰撞产生的。在处理期间生成的等离子体可能具有不同的浓度和/或原子离子(Cl+)对分子离子(Cl2+)的比率。具有不同的等离子体分布密度和/或原子和分子离子(Cl+，Cl2+)的混合物的刻蚀处理的动力学可能产生不同的刻蚀结果。另外，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于确定等离子体的特性的方法，包括：获得耦合到等离子体的第一波形的电流和电压信息的度量；获得耦合到所述等离子体的第二波形的电流和电压信息的度量，所述第一和第二波形具有不同频率；利用从每个不同频率的波形获得的度量确 定所述等离子体的至少一个特性。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文C香农，丹尼尔J霍夫曼，杰里迈亚TP彭德，塔雷格马瓦瑞，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]