X射线发生器件制造技术

本发明专利技术的目的为提供高析像度的透射型Ｘ射线管。本发明专利技术的Ｘ射线摄像器件中，电子透镜形成部（１００Ａ）包含形成在磁轭（１３０）内部的中心轴部（１３１）和规定磁轭（１３０）的外周的外周部（１３３）。中心轴部（１３１）的前端部（１３５）的一部分成为位于电子枪侧的磁极（１１０）。由磁极（１１０）规定第１开口部（１１１）。外周部（１３３）的前端部（１３７）的一部分成为位于靶（３００）侧的磁极（１２０）。由磁极（１２０）规定第２开口部（１２１）。第２开口部（１２１）的直径（ｄ２）的值大于第１开口部（１１１）的直径（ｄ１）的值。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如能用于非破坏性检查的X射线发生器件。
技术介绍
作为X射线发生器件的一个例子的X射线管是一种真空器件，从阴极使电场中加速的电子束碰撞靶，并利用该撞击产生X射线。X射线管中，将通过使电子束碰撞靶的一个面而从靶的另一个面发射X射线的称为透射型X射线管。透射型X射线管用于非破坏性检查、厚度测量、X射线分析等。例如，对电子部件那样的小型且高密度的部件作非破坏性检查时，要求透射型X射线管有微聚焦功能。
技术实现思路
近年来，电子部件中，例如BGA(Ball Grid Array球栅阵)、CSP(Chip Size Package芯片规模封壳)那样的半导体安装部件不断发展小型化、高密度化。对这样的半导体部件用透射型X射线管进行非破坏性检查时，需要使透射型X射线管成为高析像度。本专利技术的目的是提供一种高析像度的X射线发生器件。本专利技术是一种X射线发生器件，通过使电子束碰撞靶的一个面，从靶的另一个面发射X射线，其中具有产生电子束的装置、以及包含位于所述电子束产生装置侧的一个磁极和位于所述靶侧的另一磁极，并用由这些磁极产生的磁场形成使电子束会聚的电子透镜的装置；一个磁极具有出射电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｘ射线发生器件，通过使电子束碰撞靶的一个面，从靶的另一个面发射Ｘ射线，其特征在于，具有　　　　产生电子束的装置、以及　　　　包含位于所述电子束产生装置侧的一个磁极和位于所述靶侧的另一磁极，并用由这些磁极产生的磁场形成使电子束会聚的电子透镜的装置；　　　　所述一个磁极具有出射所述电子束产生装置产生的电子束的第１开口部，　　　　所述另一磁极具有入射从所述第１开口部出射的电子束的第２开口部，　　　　所述第２开口部直径的值为所述第１开口部直径的值以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：冈田知幸，石原良俊，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]