一种可快速关断MOS的电路制造技术

本发明专利技术涉及一种可快速关断MOS的电路，包括驱动芯片、二极管D1、MOS管Q2、电阻R2和三极管Q1，二极管D1的正极端连接所述驱动芯片，二极管D1的负极端连接MOS管Q2的G极，三极管Q1的B极端连接控制芯片，三极管Q1的E极端连接MOS管Q2的G极端，三极管Q1的C极端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接MOS管Q2的S极端，电阻R1一端连接驱动芯片，电阻R1的另一端连接所述MOS管Q2的G极端，电阻R3的一端连接MOS管Q2的S极端，电阻R3的另一端连接驱动芯片；MOS管Q2的G极端电压通过电阻R1泄放，MOS管Q2的S极端电压通过电阻R3泄放，MOS管Q2的G极端电压会使得三极管Q1的C、E极导通，经过电阻R2将G极和S极两端的电压拉成一致并降为0，而快速关断作用。而快速关断作用。而快速关断作用。

【技术实现步骤摘要】
一种可快速关断MOS的电路


[0001]本专利技术涉及电路保护领域，特别是涉及一种可快速关断MOS的电路。

技术介绍

[0002]现有的电路为了增加过流电路，例如锂电池BMS或者保护板为了增加过流能力，一般采样多个MOS进行并联，多个MOS并联后会造成整个MOS的并联后的GS两端的结电容容值增加，在BMS或保护板需要进行断路保护时，需要快速关断MOS对锂电池进行保护，因为结电容容值在多并联后容值加大，导致MOS关断时间加长，MOS的实际处于半导通状态，MOS内阻很大，同时短路时会有大电流经过MOS，从而使得MOS过载而炸管损坏，使得在电池包短路情况下，不能关断放电回路。
[0003]为解决上述问题，通常采用在MOS的S极输出端经过泄放电阻通过泄放回路泄放MOS的GS两端电压，但这样会导致MOS关断时间慢，MOS的VGS电压呈缓慢下降趋势，并且较长时间处于半导通区域，短路时的大电流经过MOS，使得MOS发热过载损坏，因此，需要设计一种采用更快速关断MOS的方法。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对MOS关断速度慢的问题，提供一种可快速关断MOS的电路。
[0005]一种可快速关断MOS的电路，包括驱动芯片、二极管D1、MOS管Q2、电阻R2和三极管Q1，所述二极管D1的正极端连接所述驱动芯片，所述二极管D1的负极端连接所述MOS管Q2的G极，所述三极管Q1的B极端连接所述控制芯片，所述三极管Q1的E极端连接所述MOS管Q2的G极端，所述三极管Q1的C极端连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接所述MOS管Q2的S极端，所述电阻R1一端连接所述驱动芯片，所述电阻R1的另一端连接所述MOS管Q2的G极端，所述电阻R3的一端连接所述MOS管Q2的S极端，所述电阻R3的另一端连接所述驱动芯片；所述MOS管Q2的G极端电压通过所述电阻R1泄放，所述MOS管Q2的S极端电压通过所述电阻R3泄放，所述MOS管Q2的G极端电压会使得三极管Q1的C、E极导通，经过电阻R2将拉低G极和S极两端的电压并降为0，而快速关断。
[0006]在其中一个实施例中，还包括二极管Z1，所述二极管Z1的正极端连接所述MOS管Q2的S极端，所述二极管Z1的负极端连接所述MOS管Q2的D极端。
[0007]在其中一个实施例中，所述MOS管Q2的D极端可形成输入端。
[0008]在其中一个实施例中，所述MOS管Q2的S极端可形成输出端。
[0009]本专利技术加入电阻R2和三极管Q1，将二极管D1的正极端连接驱动芯片，二极管D1的负极端连接MOS管Q2的G极端，三极管Q1的B极端连接控制芯片，三极管Q1的E极端连接MOS管Q2的G极端，三极管Q1的C极端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接MOS管Q2的S极端，电阻R1一端连接驱动芯片，电阻R1的另一端连接MOS管Q2的G极端，电阻R3的一端连接MOS管Q2的S极端，电阻R3的另一端连接驱动芯片，通过电阻R1释放G极端的电压，通过电阻R3释放S极端的电压，并且MOS管的G极电压会使得三极管Q1的C、E极端导通，再经过电阻R2把VGS的
电压拉成一致，最后降至为0，从而起到快速关断的效果。
附图说明
[0010]图1为本专利技术的电路图。
具体实施方式
[0011]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。
[0012]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。
[0013]对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
[0014]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0015]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0016]请参阅图1，本专利技术涉及一种可快速关断MOS的电路，其主要作用在于需要电路保护时，可以快速关断MOS管，提升关断时间，从而进行电路保护。
[0017]本实施例中，包括驱动芯片10、二极管D1、MOS管Q2、电阻R2和三极管Q1，所述二极管D1的正极端连接所述驱动芯片，所述二极管D1的负极端连接所述MOS管Q2的G极端，所述三极管Q1的B极端连接所述控制芯片，所述三极管Q1的E极端连接所述MOS管Q2的G极端，所述三极管Q1的C极端连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接所述MOS管Q2的S极端，所述MOS管Q2的G极端电压会使得三极管Q1的C、E极导通，经过电阻R2将G极和S极两端电压的拉成一致。
[0018]同时，还包括电阻R1和电阻R3,所述电阻R1一端连接所述驱动芯片，所述电阻R1的另一端连接所述MOS管Q2的G极端，所述电阻R3的一端连接所述MOS管Q2的S极端，所述电阻R3的另一端连接所述驱动芯片。
[0019]需要快速关断MOS管Q2时，电阻R1的主要作用在于MOS管Q2的G极端的电压可同时经过电阻R1进行泄放，可以把MOS管Q2的结电容存储的电放电消耗，直至MOS管Q2的G极端电压泄放完成。因此，当接入电阻R1时，可以进一步释放MOS管Q2的G极端电压，将MOS管Q2的G极端的电压降为0。通过调节电阻R1，可调整MOS管Q2的G极端的泄放速率。
[0020]进一步的，还包括电阻R3，通过接入一个电阻R3，该电阻R3的一端连接MOS管Q2的S极端，电阻R3的另一端连接驱动芯片10。当关闭MOS管Q2时，MOS管Q2的S极端电压经过电阻R3的泄放，使得MOS管Q2的S极端电压快速释放。进一步的，可通过更改电阻R3的阻值调整MOS管Q2的S极端电压的泄放时间，满足电路的需要。
[0021]驱动芯片10可输出驱动信号，并且二极管D1两端分别连接驱动芯片10和MOS管Q2的G极端，从而可以通过二极管D1输出驱动信号给MOS管Q2的G极端，使得MOS管Q2的VGS电压大于开启阈值而使得MOS管Q2导通，则MOS管Q2可以导通工作。当控制MOS管Q2闭合时，经过二极管D1的输出信号为高信号。
[0022]通过接入三极管Q1和电阻R2，电阻R2的作用在于，当驱动芯片10关闭输出控制信号时，驱动芯片10的控制信号为低时，即低电压，此时，三极管Q1的B极端电压为0，MOS管Q2的G极端电压会使得三极管Q1的C极端和E极端导通，并经过电阻R2快速把GS两端电压拉成一致。可以理解，当三极管Q1的C极端和E极端导通时，三极管Q1的CE两端、电阻R2和MOS管Q2的GS两端形成回路，从而可以消耗MOS管Q2的GS两端电压，将MOS管Q2的GS两端电压拉成一致。把VGS的电压拉成一致，因为MOS管Q2关断的机理是VGS电压小于开启门限电压值就关断，同时，再实现通过三极管Q本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可快速关断MOS的电路，其特征在于，包括驱动芯片(10)、二极管D1、MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和三极管Q1，所述二极管D1的正极端连接所述驱动芯片，所述二极管D1的负极端连接所述MOS管Q2的G极，所述三极管Q1的B极端连接所述控制芯片，所述三极管Q1的E极端连接所述MOS管Q2的G极端，所述三极管Q1的C极端连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接所述MOS管Q2的S极端，所述电阻R1一端连接所述驱动芯片，所述电阻R1的另一端连接所述MOS管Q2的G极端，所述电阻R3的一端连接所述MOS管Q2的S极端，所述电阻R3的另一端连接所述驱动芯片；所述MOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：文锋，郭宏榆，蔡弘，文灿飞，
申请(专利权)人：惠州市亿能电子有限公司，
类型：发明
国别省市：