静电放电保护电路制造技术

一种静电放电保护电路，其特征在于包括：　　　　一对ＰＮ面结型二极管，是置有一信号输入端，以接收输入该静电放电保护电路的输入信号；及　　　　一静电放电箝位电路，是电性连接于该对ＰＮ面结型二极管，该静电放电箝位电路中设置有一晶体管，该晶体管为一漏极无硅化物隔离块的晶体管；　　　　当有静电放电现象产生时，由该静电放电箝位电路提供一电流接地路径将静电放电电流接地，以避免电路受损害。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是提供一种静电放电(electro static discharge，ESD)保护电路，尤指一种利用漏极无硅化物隔离块设置的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的静电放电保护电路。
技术介绍
静电放电(Electro Static Discharge，ESD)是造成大多数的电子组件或电子系统受到过度电性应力(Electrical Overstress，EOS)破坏的主要因素。而静电放电会导致一种对半导体组件以及计算机系统等形成一种永久性的毁坏，因而影响集成电路的电路功能，而使得电子产品工作不正常。而静电放电的产生，多是由于人为因素所形成，尽管如此，却又很难避免人为因素所造成的静电放电情况，原因在于电子组件或系统在制造、生产、组装、测试、存放、或搬运的过程中，静电会累积在人体、仪器、储放设备之内，甚至电子组件本身也会有静电的累积。而在不知情的情况下，人体、仪器、或是储放设备与电子组件间的接触，将形成了一静电放电的放电路径，使得电子组件或系统遭到不可预期的破坏。为求有效防堵静电放电电流对电子组件所造成的损害，静电放电保护电路的使用，用以提供静电放电电流的排放路径，便本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑道，廖学坤，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：