【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
[0001][参照关联申请][0002]本申请主张来自在2021年9月22日提出的日本专利申请JP2021
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154038的优先权的利益,该申请的所有公开内容援引至本申请。
[0003]本专利技术涉及处理基板的基板处理装置。
技术介绍
[0004]以往,在半导体基板(以下仅称为“基板”)的制造工序中,相对于基板实施各种各样的处理。例如,使以水平状态由基板保持部保持的基板旋转,向旋转中的基板的表面供给处理液,由此相对于基板进行液处理。
[0005]在JP特开2009
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142818号公报(文献1)的湿法蚀刻装置中,作为保持基板的基板保持部,使用了向位于基板下方的支承体与基板之间供给高压气体,利用由沿着基板的下表面流通的气体产生的负压朝向支承体吸引基板的伯努利卡盘。在基板的外周部的下方从形成于支承体上表面的环状喷嘴向基板与支承体之间的空间供给该气体。在该支承体设有从环状喷嘴向基板的外周缘的更靠径向外侧的位置扩展并且与基板向下方分离的环状的气体排出部。在气体排出部的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置,其处理基板,所述基板处理装置的特征在于,具备:以水平状态保持基板的基板保持部;以在上下方向上延伸的中心轴为中心使所述基板保持部旋转的基板旋转机构;以及相对于所述基板的上表面供给处理液的处理液供给部,所述基板保持部具备:基部,其具有与所述基板的下表面相对置并且从所述基板的外周缘向径向外方延伸的基面;多个支承销,其在所述基面上沿周向排列,并且从所述基面向上方突出,与所述基板的所述下表面的外周部接触;气体供给部,其向所述基板的所述下表面与所述基部的所述基面之间送出气体,形成趋向径向外方的气流;以及环状的分隔板,其在所述基部的所述基面上与所述基板的外周缘相比配置在径向外侧,包围所述基板的周围,所述分隔板的内周缘与所述基板的所述外周缘在径向上彼此分离且相对置,所述分隔板的上表面与所述基板的所述上表面在上下方向上位于相同位置或者与所述基板的所述上表面相比位于下侧,在所述分隔板的下表面与所述基部的所述基面之间设有环状流路,所述分隔板固定于所述基部并利...
【专利技术属性】
技术研发人员:中泽和彦,森冈利仁,蒲裕充,太田乔,
申请(专利权)人:株式会社斯库林集团,
类型:发明
国别省市:
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