【技术实现步骤摘要】
一种氧化钽及其制备方法
[0001]本专利技术涉及氧化钽粉体制备领域,具体是一种氧化钽及其制备方法。
技术介绍
[0002]五氧化二钽具有优异的物理化学特性,如高介电常数、折射率以及良好的化学稳定性,因此具有广泛的应用,如动态随机存取记忆体、电容器、抗反射涂层、气体传感器、红外热电传感器、光电器件、光催化剂等。
[0003]五氧化二钽的形貌、粒径、纯度和比表面积对其在一些电子产品制造中的应用至关重要。现有多种技术可以制备不同形貌的五氧化二钽,如专利CN1128733A于通过将含二氧化碳的氨溶液输入到含氟钽酸溶液中,调节溶液的pH值大于7,得到球形氢氧化钽,再经850℃以上的高温煅烧得到球形氧化钽;但其缺点在于无法得到能够在电子行业发挥新型功能的柱状结晶。有研究人员采用乙醇钽作为原料,通过醇盐水解法制备纳米五氧化二钽,但该方法工艺流程长、成本高。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种氧化钽及其制备方法,通过本专利技术的制备方法得到的氧化钽颗粒尺寸大,不易团聚,分散 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氧化钽的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:A)将氟钽酸溶液在pH值为3~6下进行第一沉淀反应,在pH值为8~10下进行第二沉淀反应,得到钽沉淀;B)将步骤A)中所得的钽沉淀进行分段式煅烧,得到氧化钽。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤A)中,在pH值为4~5下进行第一沉淀反应;在pH值为8~9下进行第二沉淀反应。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤A)中,所述第一沉淀反应的温度为25℃~70℃;所述第一沉淀反应的时间为30min~60min;所述第二沉淀反应的温度为25℃~70℃;所述第二沉淀反应的时间为30min~60min。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤B)中,所述分段式煅烧为两段式煅烧;所述两段式煅烧具体包括:将步骤A)中所得的钽沉淀升温至300℃~400℃进行第一段煅烧,再升温至800℃~1000℃进行第二段煅烧。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述两段式煅烧中,所述第一段煅烧的保温时间为30min~300min,所述第一段煅烧的升温速率为5℃/min~15℃/min;所述第二段煅烧的保温时间为30min~300min;所述第二段煅烧的升温速率为5℃/min~15℃/min。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤B)中,所述分段式煅烧为五段式煅烧;所述五段式...
【专利技术属性】
技术研发人员:行卫东,王杰,
申请(专利权)人:广东先导稀材股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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