【技术实现步骤摘要】
一种用于硅晶圆切割的保护材料及其制备方法
[0001]本专利技术涉及晶圆切割保护
，特别涉及一种用于硅晶圆切割的保护材料及其制备方法。
技术介绍
[0002]晶圆是指硅半导体集成电路制作中所用的硅晶片，而晶圆切割则是集成电路封装工序中的关键制程，主要是通过外力将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片。
[0003]随着技术的发展和进步，现在的晶圆切割已经由原来的简单刀片切割，而逐渐演变和跨升为激光切割，从而由接触式切割改善为非接触式切割。激光切割可大幅减少切割过程中对芯片的机械和应力损伤，提高了产品良率，在目前的晶圆切割中已经成为主流。由于大部分的半导体芯片为硅的芯片，硅为脆性材料，边角碎裂会影响芯片的强度，切割工序中容易破坏表面的光洁度，这些会对后续工序带来污染，为了避免上述问题的发生，需要在晶圆切割工序设置一层保护膜，起到一定的保护作用，避免后续的麻烦。
[0004]研究人员发现，市面上大多数晶圆切割保护液能够一定程度上提升晶圆片的切割效率和稳定性、避免切屑或裂纹、热应力问题，但是这些保护液里面很多耐热...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于硅晶圆切割的保护材料，其特征在于，以质量份数计，其原料组成包括：水溶性树脂30
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40份、碳纳米管0.5
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1份、芳香族羧酸酐7
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12份、长链多不饱和脂肪酸3
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8份、润湿剂0.2
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1份、消泡剂0.1
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1份、有机溶剂10
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20份、水40
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60份。2.根据权利要求1所述的用于硅晶圆切割的保护材料，其特征在于，所述水溶性树脂为聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧化乙烯、聚丙烯酸和聚乙烯亚胺中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的用于硅晶圆切割的保护材料，其特征在于，水溶性树脂的分子量大于20000。4.根据权利要求1所述的用于硅晶圆切割的保护材料，其特征在于，所述碳纳米管具有5
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30nm的平均直径和200m/g
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350m/g的比表面积。5.根据权利要求1所述的用于硅晶圆切割的保护材料，其特征在于，所述芳香族羧酸酐为偏苯三甲酸酐、均苯四...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴娜娜，邓联文，
申请(专利权)人：昆山汉品电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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