光致发光铽掺杂氧化锡薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及发光材料技术领域，具体涉及光致发光铽掺杂氧化锡薄膜及其制备方法，包括以下步骤：以锡盐和铽盐为前驱体，旋涂形成薄膜，置于管式炉中，以第一升温速度升温至第一退火温度，在管式炉中退火处理，形成第一产品；将第一产品置于快速热退火设备中，以第二升温速度升温至第二退火温度，在快速热退火设备中退火处理，获得铽掺杂氧化锡薄膜；其中，第二升温速度大于第一升温速度，第二退火温度大于第一退火温度。本发明专利技术可以有效的改善管式炉处理后铽掺杂氧化锡薄膜的光致发光性能，获得的铽掺杂氧化锡薄膜具有优良的光致发光性能。氧化锡薄膜具有优良的光致发光性能。氧化锡薄膜具有优良的光致发光性能。

【技术实现步骤摘要】
光致发光铽掺杂氧化锡薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及发光材料
，具体涉及铽掺杂氧化锡薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]SnO2是一种宽禁带半导体，禁带宽度3.6eV，其载流子迁移率高，声子能量低，在可见及近红外波段有很高的透过率。目前可以通过真空气相沉积制备高质量的SnO2薄膜。通过掺杂Sb或者F可以极大提高SnO2中的电子浓度，使其成为优异的导电材料；如何改善或制备具有光致发光性能的材料，并提高其光致发光性能，是亟待研究的课题。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的首要技术问题是提供光致发光铽掺杂氧化锡薄膜及其制备方法，可以提高并改善管式炉处理的铽掺杂氧化锡薄膜光致发光性能。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请提供的第一种技术方案为：光致发光铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0005]以锡盐和铽盐为前驱体，旋涂形成薄膜，置于管式炉中，以第一升温速度升温至第一退火温度，在管式炉中退火处理，形成第一产品；
[0006]将第一产品置于快速热退火设备中，以第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.光致发光铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：以锡盐和铽盐为前驱体，旋涂形成薄膜，置于管式炉中，以第一升温速度升温至第一退火温度，在管式炉中退火处理，形成第一产品；将第一产品置于快速热退火设备中，以第二升温速度升温至第二退火温度，在快速热退火设备中退火处理，获得铽掺杂氧化锡薄膜；其中，第二升温速度大于第一升温速度，第二退火温度大于第一退火温度。2.根据权利要求1所述的光致发光铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述“以锡盐和铽盐为前驱体，旋涂形成薄膜，置于管式炉中”包括：将锡盐和铽盐溶解于溶剂中，得到溶液A；将溶液A旋涂在衬底上制备成膜，并放在加热台上以第一温度加热，获得基于衬底的薄膜；将所述基于衬底的薄膜置于管式炉中；其中，第一退火温度大于第一温度。3.根据权利要求1所述的光致发光铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一退火温度为100
‑
1300℃，第二退火温度为200
‑
1300℃。4.根据权利要求1所述的光致发光铽掺杂氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一退火温度下退火处理的时间为1
‑
100min；所述第二退火温度下退火处理的退火时间为1
‑
100s。5.根据权利要求1所述的光致发光铽掺杂氧化锡...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志远，徐凌波，崔灿，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：