读取电压校正方法、存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种读取电压校正方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：使用多个读取电压电平从第一实体单元读取数据；解码所述数据以获得多个错误评估参数；根据第一错误评估参数决定第一向量距离参数；根据第一向量距离参数与第一读取电压电平决定多个候选读取电压电平；根据所述多个候选读取电压电平的其中之一决定目标读取电压电平；以及使用目标读取电压电平从第一实体单元重新读取数据。由此，可有效提高读取电压电平的校正效率。校正效率。校正效率。

【技术实现步骤摘要】
读取电压校正方法、存储装置及存储器控制电路单元


[0001]本专利技术涉及一种存储器控制技术，尤其涉及一种读取电压校正方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。

技术介绍

[0002]智能手机与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non
‑
volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式电子装置中。
[0003]在一个存储单元可以存储多个比特的存储器存储装置中，多个预设的读取电压电平可被用来读取存储单元所存储的数据。但是，在存储器存储装置使用一段时间后，随着存储单元的磨损，这些预设的读取电压电平相对于存储单元的临界电压分布可能会发生偏移。使用偏移后的读取电压电平来读取数据可能导致数据的比特错误率上升，甚至可能缩短存储器存储装置的使用寿命。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种读本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种读取电压校正方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，且所述读取电压校正方法包括：使用多个读取电压电平从所述多个实体单元中的第一实体单元读取数据；解码所述数据以获得多个错误评估参数，其中所述多个错误评估参数分别对应于所述多个读取电压电平的其中之一；根据所述多个错误评估参数中的第一错误评估参数决定第一向量距离参数，其中所述第一错误评估参数对应于所述多个读取电压电平中的第一读取电压电平；根据所述第一向量距离参数与所述第一读取电压电平决定多个候选读取电压电平；根据所述多个候选读取电压电平的其中之一决定目标读取电压电平；以及使用所述目标读取电压电平从所述第一实体单元重新读取所述数据。2.根据权利要求1所述的读取电压校正方法，其中解码所述数据以获得所述多个错误评估参数的步骤包括：对所述数据中使用所述第一读取电压电平所读取的数据执行奇偶检查操作，以获得校验子总和；以及根据所述校验子总和，获得所述第一错误评估参数。3.根据权利要求1所述的读取电压校正方法，还包括：比较所述多个错误评估参数；以及根据比较结果将所述多个错误评估参数的其中之一决定为所述第一错误评估参数。4.根据权利要求1所述的读取电压校正方法，其中根据所述多个错误评估参数中的所述第一错误评估参数决定所述第一向量距离参数的步骤包括：根据一转换函式将所述第一错误评估参数转换为所述第一向量距离参数。5.根据权利要求1所述的读取电压校正方法，其中根据所述第一向量距离参数与所述第一读取电压电平决定所述多个候选读取电压电平的步骤包括：根据所述第一读取电压电平在坐标空间中决定第一坐标点；根据所述第一坐标点与所述第一向量距离参数获得所述坐标空间中的多个第二坐标点；以及根据所述多个第二坐标点决定所述多个候选读取电压电平。6.根据权利要求1所述的读取电压校正方法，其中所述多个候选读取电压电平包括第一候选读取电压电平与第二候选读取电压电平，且根据所述多个候选读取电压电平的所述其中之一决定所述目标读取电压电平的步骤包括：获得所述第一候选读取电压电平与所述多个读取电压电平中的第二读取电压电平之间的第一候选向量距离参数；获得所述第二候选读取电压电平与所述第二读取电压电平之间的第二候选向量距离参数；以及根据所述第一候选向量距离参数与所述第二候选向量距离参数，将所述第一候选读取电压电平与所述第二候选读取电压电平的其中之一决定为所述目标读取电压电平。7.根据权利要求6所述的读取电压校正方法，其中根据所述第一候选向量距离参数与所述第二候选向量距离参数，将所述第一候选读取电压电平与所述第二候选读取电压电平的所述其中之一决定为所述目标读取电压电平的步骤包括：
根据所述多个错误评估参数中的第二错误评估参数决定第二向量距离参数，其中所述第二错误评估参数对应于所述第二读取电压电平；获得所述第一候选向量距离参数与所述第二向量距离参数之间的第一差值；获得所述第二候选向量距离参数与所述第二向量距离参数之间的第二差值；以及根据所述第一差值与所述第二差值，将所述第一候选读取电压电平与所述第二候选读取电压电平的所述其中之一决定为所述目标读取电压电平。8.根据权利要求7所述的读取电压校正方法，其中根据所述第一差值与所述第二差值，将所述第一候选读取电压电平与所述第二候选读取电压电平的所述其中之一决定为所述目标读取电压电平的步骤包括：根据所述第一差值获得对应于所述第一候选读取电压电平的第一差值总和；根据所述第二差值获得对应于所述第二候选读取电压电平的第二差值总和；响应于所述第一差值总和小于所述第二差值总和，将所述第一候选读取电压电平决定为所述目标读取电压电平；以及响应于所述第二差值总和小于所述第一差值总和，将所述第二候选读取电压电平决定为所述目标读取电压电平。9.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：连接接口单元，用以连接至主机系统；可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元；以及存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以：发送多个第一读取指令序列，其中所述多个第一读取指令序列用以指示使用多个读取电压电平从所述多个实体单元中的第一实体单元读取数据；解码所述数据以获得多个错误评估参数，其中所述多个错误评估参数分别对应于所述多个读取电压电平的其中之一；根据所述多个错误评估参数中的第一错误评估参数决定第一向量距离参数，其中所述第一错误评估参数对应于所述多个读取电压电平中的第一读取电压电平；根据所述第一向量距离参数与所述第一读取电压电平决定多个候选读取电压电平；根据所述多个候选读取电压电平的其中之一决定目标读取电压电平；以及发送第二读取指令序列，其中所述第二读取指令序列用以指示使用所述目标读取电压电平来从所述第一实体单元重新读取所述数据。10.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元解码所述数据以获得所述多个错误评估参数的操作包括：对所述数据中使用所述第一读取电压电平所读取的数据执行奇偶检查操作，以获得校验子总和；以及根据所述校验子总和，获得所述第一错误评估参数。11.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元更用以：比较所述多个错误评估参数；以及
根据比较结果将所述多个错误评估参数的其中之一决定为所述第一错误评估参数。12.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元根据所述多个错误评估参数中的所述第一错误评估参数决定所述第一向量距离参数的操作包括：根据一转换函式将所述第一错误评估参数转换为所述第一向量距离参数。13.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元根据所述第一向量距离参数与所述第一读取电压电平决定所述多个候选读取电压电平的操作包括：根据所述第一读取电压电平在坐标空间中决定第一坐标点；根据所述第一坐标点与所述第一向量距离参数获得所述坐标空间中的多个第二坐标点；以及根据所述多个第二坐标点决定所述多个候选读取电压电平。14.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述多个候选读取电压电平包括第一候选读取电压电平与第二候选读取电压电平，且所述存储器控制电路单元根据所述多个候选读取电压电平的所述其中之一决定所述目标读取电压电平的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思玮，李安秦，林祐弘，邹凯崴，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：