数据读写方法、装置、电子设备和介质制造方法及图纸

本申请公开了一种数据读写方法、装置、电子设备和可读存储介质，属于数据存储技术领域。其中，所述方法包括：接收第一输入；响应于所述第一输入，将第一用户数据写入第一存储区域，且保持所述第一用户数据存储在所述第一存储区域；其中，所述第一存储区域为第一加速缓冲区域中的部分区域。冲区域中的部分区域。冲区域中的部分区域。

【技术实现步骤摘要】
数据读写方法、装置、电子设备和介质


[0001]本申请属于数据存储
，具体涉及一种数据读写方法、装置、电子设备和可读存储介质。

技术介绍

[0002]目前，Nand芯片包括加速缓冲区域和非缓冲存储区域，加速缓冲区域读写数据的速度要高于非缓冲存储区域读写数据的速度，因此，非缓冲存储区域可用于扩大存储空间，而加速缓冲区域可用于提升存储的读写速度。
[0003]在现有技术中，加速缓冲区域只供Nand芯片内部的固件使用，Nand芯片内部的固件根据策略对用户数据进行缓冲处理。
[0004]可见，在现有技术中，Nand芯片因策略限制存在性能空间浪费的问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的目的是提供一种数据读写方法，能够解决在现有技术中Nand芯片因策略限制存在性能空间浪费的问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种数据读写方法，该方法包括：接收第一输入；响应于所述第一输入，将第一用户数据写入第一存储区域，且保持所述第一用户数据存储在所述第一存储区域；其中，所述第一存储区域为第一加速缓冲区域中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据读写方法，其特征在于，所述方法包括：接收第一输入；响应于所述第一输入，将第一用户数据写入第一存储区域，且保持所述第一用户数据存储在所述第一存储区域；其中，所述第一存储区域为第一加速缓冲区域中的部分区域。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将第一用户数据写入第一存储区域，且保持所述第一用户数据存储在所述第一存储区域之前，所述方法还包括：在对存储器进行格式化处理的情况下，在所述第一加速缓冲区域中确定出目标容量的所述第一存储区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：确定缓冲存储区域，所述缓冲存储区域的容量与所述第一加速缓冲区域的容量相同；接收第二输入；响应于所述第二输入，执行目标操作，所述目标操作包括以下任一项：将所述缓冲存储区域确定为非缓冲存储区域的一部分；将所述缓冲存储区域中的第二存储区域确定为第二加速缓冲区域，所述第二存储区域与所述第一存储区域的容量相同，以及将所述缓冲存储区域除所述第二存储区域以外的第三存储区域确定为所述非缓冲存储区域的一部分；将所述缓冲存储区域中的第四存储区域确定为第三加速缓冲区域，所述第四存储区域的容量与第一周期内写入存储器的用户数据的容量相关，以及将所述缓冲存储区域中除所述第四存储区域以外的第五存储区域确定为所述非缓冲存储区域的一部分。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述缓冲存储区域为所述非缓冲存储区域的一部分，所述方法还包括：在所述缓冲存储区域中确定所述第二加速缓冲区域或者所述第三加速缓冲区域的情况下，显示第一提示信息；其中，所述第一提示信...

【专利技术属性】
技术研发人员：展庆波，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：