包含图案化反射器的背光制造技术

现公开背光，包括耦接基板的多个光源及在多个光源上面的图案化漫射片。图案化漫射片包括耦接图案化漫射体的多个图案化反射器，其中每一图案化反射器设置对准相应光源。背光具有纵向方向，基板和图案化漫射体在纵向方向上分别具有最大纵向基板尺度(LMax,S)和最大纵向图案化漫射体尺度(LMax,PDB)。背光在纵向方向的热对准容限在60℃下为500微米或以下，其中在60℃下的热对准容限为[LMax,S与LMax,PDB中的较小者]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含图案化反射器的背光


[0001]本申请案根据专利法法规请求公元2020年4月28日申请的美国临时专利申请案第63/016503号的优先权权益，本申请案依赖该临时申请案全文内容且该临时申请案全文内容以引用方式并入本文中。
[0002]本专利技术大体涉及用于显示器的背光。更特别地，本专利技术涉及包括图案化反射器及/或漫射层的背光。

技术介绍

[0003]液晶显示器(LCD)常用于各种电子设备，例如手机、便携式计算机、电子板、电视和计算机屏幕。LCD是光阀基础显示器，其中显示面板包括可个别寻址的光阀阵列。LCD可包括用于产生光的背光，光接着经波长转换、滤波及/或极化而由LCD产生影像。背光可为侧光式或直下式。侧光式背光可包括边缘耦接导光板的发光二极管(LED)阵列，以从表面发射光。直下式背光可包括在LCD面板正后方的LED二维(2D)阵列。
[0004]相较于侧光式背光，直下式背光具有改善动态对比的优点。例如，具直下式背光的显示器可个别调整各LED的亮度，以设定整个影像亮度的动态范围。此通常称作区域调光。然为达成预定光均匀度及/或避免直下式背光的热点，漫射板或膜会设在离LED一定距离处，以致整体显示器厚度大于侧光式背光的厚度。置于LED上方的透镜用于改善直下式背光的侧向光散布。然在此构造中，LED与漫射板或膜间的光学距离(OD)(例如至少10至一般约20～30毫米)仍会造成整体显示器厚度过大，及/或随着背光厚度减小，此构造会产生不当光损失。尽管侧光式背光可更薄，但各LED的光会散布遍及广大的导光板区域，是以关闭个别LED或LED组对动态对比度影响极微。

技术实现思路

[0005]在本专利技术的一些实施方式中，公开背光，包括耦接基板的多个光源及在多个光源上面的图案化漫射片。图案化漫射片包括耦接图案化漫射体的多个图案化反射器，其中每一图案化反射器对准相应光源。背光沿纵向方向延伸，基板具有最大纵向基板尺度(L
Max,S
)，图案化漫射体具有最大纵向图案化漫射体尺度(L
Max,PDB
)，L
Max,S
和L
Max,PDB
分别朝纵向方向测量。背光在纵向方向的热对准容限在60℃下为500微米或以下，其中在60℃下的热对准容限为[L
Max,S
与L
Max,PDB
中的较小者]×
[60℃
‑
23.5℃(室温)]×
[基板热膨胀系数(CTE
S
)
‑
导光板热膨胀系数(CTE
PDB
)]的绝对值。
[0006]本专利技术的一些实施方式涉及背光，每一光源包括在平行纵向方向的平面测量的尺寸。每一图案化反射器对准相应光源及包括厚度轮廓。厚度轮廓包括实质平坦区段和从实质平坦区段延伸并围绕实质平坦区段的弯曲区段。实质平坦区段厚度变化不超过实质平坦区段平均厚度的
±
20％。实质平坦区段包括在平行纵向方向的平面的尺寸且等于或大于各光源的尺寸。
[0007]本专利技术的另一些实施方式涉及背光，其中每一图案化反射器对准相应光源，及包
括第一实心区段、围绕第一实心区段的多个第二实心区段和与多个第二实心区段交错的多个开放区段。第一实心区段包括在平行纵向方向的平面的尺寸且等于或大于各光源的尺寸。
[0008]本专利技术的又一些实施方式涉及背光，其中每一图案化反射器对准相应光源，及包括实心第一区段、围绕实心第一区段的第二区段和延伸穿过第二区段的多个开口。开口尺寸随距实心第一区段中心的距离增加而增大。实心第一区段包括在平行纵向方向的平面的尺寸且等于或大于各光源的尺寸。
[0009]本文所述背光为具改善光效率的薄直下式背光。背光具有改善的隐藏光源能力，故背光可更薄。改善隐藏光源能力能移除背光光源正上方的所谓“热点”，进而在显示器各处产生均匀亮度。另外，本文所述背光构造可提供大背光面板制造，同时在整个操作温度范围维持性质。
[0010]本专利技术的附加特征和优点将详述于后，所属领域的技术人员在参阅或实行所述实施方式，包括以下详细实施方式说明、权利要求书和附图后，在某种程度上将变得更清楚易懂。
[0011]应理解以上概要说明和下述详细说明仅为举例说明，及拟提供概观或架构以对权利要求书的本质和特性有所了解。所含附图提供进一步了解，故当并入及构成说明书的一部分。附图描绘一或更多实施方式，并连同实施方式说明一起用来解释各种实施方式的原理和操作。
附图说明
[0012]图1A是所述背光的上视图。
[0013]图1B是图1A背光沿截线A
‑
A截切的截面图。
[0014]图2A是所述背光的截面图，包括二光源板和一图案化漫射片。
[0015]图2B是所述背光的截面图，包括一光源板和二图案化漫射片。
[0016]图3A～3C是包括图案化反射器的示例性光源的不同视图。
[0017]图4是包括图3A～3C示例性背光的示例性液晶显示器(LCD)的截面图。
[0018]图5是包括图案化反射器的示例性背光的截面图。
[0019]图6是包括图案化反射器和漫射层的示例性背光的截面图。
[0020]图7是包括图案化反射器的另一示例性背光的截面图。
[0021]图8是包括图案化反射器和漫射层的又一示例性背光的截面图。
[0022]图9是包括图案化反射器和漫射层的再一示例性背光的截面图。
[0023]图10是包括图案化反射器和漫射层的另一示例性背光的截面图。
[0024]图11是包括图案化反射器和光学部件的示例性背光的截面图。
[0025]图12A及图12B是包括图案化反射器的又一示例性背光的不同视图。
[0026]图13A及图13B是包括图案化反射器的再一示例性背光的不同视图。
[0027]图14是包括封装层的另一示例性背光的截面图。
[0028]图15是包括封装层的又一示例性背光的截面图。
[0029]图16是包括封装层的示例性背光的截面图，封装层接合至光学膜叠层的第一层。
[0030]图17是包括导光板的示例性背光的截面图，导光板接合至封装层。
[0031]图18是包括漫射层的示例性背光的截面图，漫射层接合至封装层。
[0032]图19是包括漫射层的示例性背光的截面图，漫射层接合至光学膜叠层的第一层。
[0033]图20是示例性背光的截面图，包括接合封装层的导光板和接合光学膜叠层的第一层的另一封装层。
[0034]图21是示例性背光的截面图，包括接合光学膜叠层的第一层的导光板和接合封装层的另一封装层。
[0035]图22是三种不同图案化漫射体与基板组合的图案位移对图块大小曲线图。
具体实施方式
[0036]现将详述本专利技术实施方式，实施方式范例在附图中图示。尽可能以相同的附图标记表示各图中相同或相仿的零件。然本专利技术可以许多不同形式体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种背光，包含：多个光源，耦接基板；及图案化漫射片，在所述多个光源上面，所述图案化漫射片包含耦接图案化漫射体的多个图案化反射器，每一图案化反射器对准相应光源，其中所述背光沿纵向方向延伸，其中所述基板具有最大纵向基板尺度(LMax,S)，所述图案化漫射体具有最大纵向图案化漫射体尺度(LMax,PDB)，所述LMax,S和所述LMax,PDB分别在所述纵向方向上，其中在所述纵向方向的热对准容限在60℃下为500微米或以下，及其中在60℃下的所述热对准容限为[LMax,S与LMax,PDB中的较小者]
×
[60℃
‑
23.5℃(室温)]
×
[基板热膨胀系数(CTES)
‑
图案化漫射体热膨胀系数(CTEPDB)]的绝对值。2.如权利要求1所述的背光，其中所述图案化漫射体包含选自由玻璃、玻璃
‑
陶瓷、高分子、陶瓷和上述组合物所组成群组的材料。3.如权利要求1所述的背光，其中在所述纵向方向的所述热对准容限在60℃下为300微米或以下。4.如权利要求1所述的背光，其中在所述纵向方向的所述热对准容限在60℃下为200微米或以下。5.如权利要求1所述的背光，其中所述LMax,S和所述LMax,PDB中的至少一者为至少0.5公尺。6.如权利要求1所述的背光，其中所述LMax,S和所述LMax,PDB中的至少一者为至少1.0公尺。7.如权利要求1所述的背光，其中所述背光包含沿所述纵向方向延伸的至少二基板。8.如权利要求1所述的背光，其中所述背光包含沿所述纵向方向延伸的至少二图案化漫射体。9.如权利要求1所述的背光，其中所述背光包含沿所述纵向方向延伸的一基板和一图案化漫射体，且LMax,S＝LMax,PDB>0.5公尺。10.如权利要求1所述的背光，其中所述基板和所述图案化漫射体均包含玻璃。11.如权利要求1所述的背光，其中所述基板和所述图案化漫射体均包含塑料。12.如权利要求1所述的背光，其中所述基板和所述图案化漫射体均包含相同材料。13.如权利要求1所述的背光，其中L1/P比率为约0.45至约1，其中L1是所述多个图案化反射器中各图案化反射器在平行所述纵向方向的平面的尺寸，P是所述多个光源的节距。14.如权利要求1所述的背光，进一步包含第一反射层在所述基板上。15.如权利要求1所述的背光，其中所述多个图案化反射器是在所述图案化漫射体的第一表面。16.如权利要求15所述的背光，进一步包含：漫射层，在所述图案化漫射体的第二表面，所述第二表面相对所述第一表面。17.如权利要求16所述的背光，...

【专利技术属性】
技术研发人员：堵光磊，金俊秀，
申请(专利权)人：康宁公司，
类型：发明
国别省市：