【技术实现步骤摘要】
靴带式开关
[0001]本申请涉及靴带式开关(bootstrapped switch)。
技术介绍
[0002]图1为现有的靴带式开关的电路图。靴带式开关10包含开关101、开关102、开关103、开关104、开关105、N型金氧半场效晶体管(metal
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oxide
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semiconductor field
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effect transistor,MOSFET)(以下简称NMOS晶体管)106以及抬举电容(bootstrap capacitor)107。靴带式开关10的输入端VI及输出端VO分别耦接NMOS晶体管106的源极(source)与汲极(drain)。NMOS晶体管106的闸极(gate)一方面通过开关105耦接至电压源V3,另一方面通过开关104耦接至抬举电容107的其中一端及开关101的其中一端。开关101的另一端耦接电压源V1。抬举电容107的另一端通过开关102耦接至电压源V2,以及通过开关103耦接至NMOS晶体管106的源极与靴带式开关10的输入端V ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种靴带式开关,用来接收一输入电压并且输出一输出电压,包含:一第一晶体管,具有一第一端、一第二端及一第一控制端,其中,该第一晶体管由该第一端接收该输入电压,且由该第二端输出该输出电压;一第一电容,具有一第三端及一第四端;一第二晶体管,具有一第五端、一第六端及一第二控制端,其中,该第二晶体管由该第五端接收该输入电压,该第六端电连接该第一电容的该第三端,且该第二控制端电连接该第一晶体管的该第一控制端;一第一开关,耦接于该第一电容的该第三端与一第一参考电压之间;一第二开关,耦接于该第一电容的该第四端与一第二参考电压之间;一第三开关,耦接于该第一电容的该第四端与该第一晶体管的该第一控制端之间;一第四开关,耦接于该第一晶体管的该第一控制端且具有一第三控制端;一第五开关,耦接于该第四开关与该第一参考电压之间,且具有一第四控制端;一第二电容,具有一第七端及一第八端,其中,该第七端耦接该第三控制端,且该第八端耦接该第四控制端;以及一电阻,耦接于该第三控制端与该第二参考电压之间。2.根据权利要求1所述的靴带式开关,其中,该第四开关是一N型金氧半场效晶体管。3.根据权利要求1所述的靴带式开关,其中,该第四开关是一P型金氧半场效晶体管,该靴带式开关还包含一反相器电路,该反相器电路耦接于该第四控制端与该第二电容之间。4.根据权利要求3所述的靴带式开关,还包含:一第六开关,耦接于该第一控制端与该第五开关之间且具有一第五控制端,该第五控制端耦接该第二参考电压。5.根据权利要求4所述的靴带式开关,其中,该电阻是一第一电阻,该靴带式开关还包含:一第三电容,具有一第九端及一第十端,其中,该第九端耦接该第五控制端,该第十端耦接该第四控制端;以及一第二电阻,耦接于该第五控制端与该第二参考电压之间。6.一种靴带式开关,用来接收一输入电压并且输出一输出电压,包含:一第一晶体管,具有一第一端、一第二端及一第一控制端,其中,该第一晶体管由该第一端接收该输入电压,且由该第二端输出该输出...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄诗雄,
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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