一种基于Ti3SiC2掺杂的固态铝电解电容器及其制备方法技术

一种基于Ti3SiC2掺杂的固态铝电解电容器，包括外壳和芯包，芯包密封设置在外壳内；芯包包括阳极箔、电解纸和阴极箔，电解纸设置在阳极箔和阴极箔之间，在阳极箔和阴极箔之间形成有高分子导电聚合物膜，高分子导电聚合物膜中掺杂有Ti3SiC2。在本发明专利技术中，固态电解质中用Ti3SiC2后能够有效的降低固态铝电解电容器的内阻；在本发明专利技术中，Ti3SiC2掺杂后的固态电解质，由于Ti3SiC2对高分子导电聚合物的支撑作用，使得固态铝电解电容器的循环性能得到提高。高。

【技术实现步骤摘要】
一种基于Ti3SiC2掺杂的固态铝电解电容器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种固态铝电解电容器，尤其涉及一种内阻小的基于Ti3SiC2掺杂的固态铝电解电容器及其制备方法。

技术介绍

[0002]就目前来看，固态电容器因为其成长性较好，故有着良好的应用前景。固态电容器采用导电率高、热稳定性好的高分子材料取代传统电解质，因此相对于普通液态铝电解电容器而言，它不仅可靠性较高、使用寿命长，而且有频率高、阻抗低、耐特大纹波电流等特性，故每一颗固态电容器可以替代2~3颗普通的铝电解电容器，也可以克服液态铝电解电容器易漏液的缺点，所以在电子产品的集成化和小型化方面有广范的应用前景，目前已经在笔记本电脑、LCDTV、3D显示器、游戏机等领域应用。5G网络、电子信息产业的兴起及消费结构的升级，尤其是随着其核心原材料售价的逐渐下降，固态电容器的应用范围会在将来不断扩大，市场需求也随之快速增加。
[0003]然而随着市场的发展，对于固态铝电解电容器的要求也越来越高，然而现在的固态铝电解电容器在内阻和循环性能上还不能完全满足市场的需求。
专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于Ti3SiC2掺杂的固态铝电解电容器，包括外壳和芯包，所述芯包密封设置在外壳内；其特征在于：所述芯包包括阳极箔、电解纸和阴极箔，电解纸设置在阳极箔和阴极箔之间，在阳极箔和阴极箔之间形成有高分子导电聚合物膜，所述高分子导电聚合物膜中掺杂有Ti3SiC2。2.根据权利要求1所述的基于Ti3SiC2掺杂的固态铝电解电容器，其特征在于：所述Ti3SiC2与高分子导电聚合物的单体的重量比为1:40
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1:10。3.根据权利要求1或2所述的基于Ti3SiC2掺杂的固态铝电解电容器，其特征在于：高分子导电聚合物为PEDOT膜、聚苯胺膜或者聚吡咯膜。4.根据权利要求3所述的基于Ti3SiC2掺杂的固态铝电解电容器，其特征在于：所述芯包为叠层式芯包，阳极箔的表面形成有高分子导电聚合物膜，阴极箔上形成有Ti3SiC2掺杂的高分子导电聚合物膜。5.一种基于Ti3SiC2掺杂的固态铝电解电容器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤；1）Ti3SiC2粉末加入到导电聚合物单体溶液中，均匀形成含浸液；Ti3SiC2与导电聚合物单体的重量比为1:40
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1:10；2）芯包含浸步骤1）中形成的含浸液，然后烘干；3）将完成步骤2）的芯包含浸氧化剂；4）将含浸有氧化剂的芯包进行聚合反应；聚合时温度在50
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120℃；5）组立；6）老化。6.根据权利要求5所述的基于Ti3SiC2掺杂的固态铝电解电容器的制备方法，其特征在于：所述聚合反应时将温度从50
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70℃开始依次升高；每次升高温度的幅度不超过50摄氏度，每次温度升高后保温30min
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90min。7.根据权利要求5所述的基于Ti3SiC2掺杂的固态铝电解电容器的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖敏之，蔡锦丰，彭小昕，肖忠良，夏浩午，夏凯翔，余海艳，宋刘斌，张孟，蓝云鹏，夏静，伍晨辉，张翔，王伟，
申请(专利权)人：益阳市万京源电子有限公司，
类型：发明
国别省市：