一种去胶液、制备方法及应用技术

本发明专利技术提供了一种去胶液、制备方法及应用，所述去胶液按重量百分比包括以下组分：三乙醇胺油酸皂0.2～0.6％；EDTA四钠0.1～0.4％；二乙二醇丁醚1～5％；脂肪酸甲酯乙氧基化物磺酸盐1～5％；硅酸钠0.5～2.5％；烷基酚聚氧乙烯醚1.5～5％；氢氧化钾0.8～4％；抗菌剂0.5～2.5％；余量为去离子水。利用氢氧化钾能吸收水分而溶解，当溶解于水、醇或用酸处理时产生大量热量功效，配合去离子水等，使去胶液达到了分散性好、抗蒸发漂移和易崩解胶水等特性，大大提升去胶效果。大大提升去胶效果。

【技术实现步骤摘要】
一种去胶液、制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及蓝宝石衬底
，特别是涉及一种去胶液、制备方法及应用。

技术介绍

[0002]蓝宝石衬底片(Wafer)作为半导体行业的重要原材料，是目前国内市场紧缺的资源。一般情况下，蓝宝石衬底片由晶棒(Block)切割而成，在切割之前需要使用胶水将晶棒、支撑材料、工件板粘接在一起进行切割，在多线切割后成单片态，人工将单片掰下，蓝宝石衬底片粘胶面会残留大量胶块状，胶需要彻底去除，如不去除影响后续高温退火作业，经过高温胶会附着在晶片表面，影响质量。
[0003]目前主流去胶方式，使用刀片或硬物手工刮除，使用锋利器具(如刀片)进行每片蓝宝石片粘胶面进行刮胶，每片刮胶时间在4s左右，此外，通过锋利器具或者百洁布反复擦拭去除表面残胶，容易造成蓝宝石衬底片表面产生缺陷，人工单片去除残胶的效率低。

技术实现思路

[0004]鉴于上述状况，本专利技术提供一种去胶液、制备方法及应用，以解决现有技术中采用刀片物理刮除衬底表面胶块的方式，导致衬底片表面易产生缺陷且去胶效率低的技术问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去胶液，其特征在于，按重量百分比包括以下组分：三乙醇胺油酸皂0.2～0.6％；EDTA四钠0.1～0.4％；二乙二醇丁醚1～5％；脂肪酸甲酯乙氧基化物磺酸盐1～5％；硅酸钠0.5～2.5％；烷基酚聚氧乙烯醚1.5～5％；氢氧化钾0.8～4％；抗菌剂0.5～2.5％；余量为去离子水。2.根据权利要求1所述的去胶液，其特征在于，按重量百分比包括以下组分：三乙醇胺油酸皂0.25～0.45％；EDTA四钠0.15～0.3％；二乙二醇丁醚2～4％；脂肪酸甲酯乙氧基化物磺酸盐2～4％；硅酸钠0.8～1.5％；烷基酚聚氧乙烯醚2～4％；氢氧化钾1～3％；抗菌剂0.8～1.5％；余量为去离子水。3.根据权利要求1所述的去胶液，其特征在于，所述三乙醇胺油酸皂的质量分数为0.4％、所述EDTA四钠的质量分数为0.2％、二乙二醇丁醚的质量分数为3％、脂肪酸甲酯乙氧基化物磺酸盐的质量分数为3％、硅酸钠的质量分数为1％、烷基酚聚氧乙烯醚的质量分数为3％、氢氧化钾的质量分数为2％、抗...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋海涛，赵元亚，周艳强，钟后芳，崔思远，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：