一种缓解柔性CZTSSe薄膜太阳能电池残余应力方法技术

本发明专利技术公开了一种缓解柔性CZTSSe薄膜太阳能电池残余应力方法，在柔性Ti衬底和背电极Mo之间引入梯度应力缓释层，所述梯度应力缓释层结构为TiN

【技术实现步骤摘要】
一种缓解柔性CZTSSe薄膜太阳能电池残余应力方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池领域，具体涉及一种缓解柔性CZTSSe薄膜太阳能电池残余应力方法。

技术介绍

[0002]我国面临着能源资源枯竭，环境污染严重等核心问题，人们开始降低传统能源在日常和工业生产生活所占的比例。各国政府也将新能源当作自己未来发展的重点。作为新能源之一的太阳能因其储量大，分布范围广，使用成本低，无任何污染等优点成为人们关注的焦点。
[0003]太阳能的利用主要以光电转换为主，而光电转换离开不了太阳能电池。太阳能电池最初以单晶硅和多晶硅电池为主，经过几十年发展，单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。单晶硅电池制造成本高、工艺繁琐，而且相比于柔性薄膜电池其无法应用于柔性曲面，因此太阳能电池的发展已由刚性衬底向柔性衬底发展。其中，柔性铜锌锡硫硒(Cu2ZnSn(S,Se)4,CZTSSe)薄膜太阳能电池因其具有组成元素丰富且无毒、光吸收系数大、光学带隙合适、理论光电转换效率高和稳定性好等优点，成为最有潜力的新型绿色光伏材料之一。/>[0004]然而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缓解柔性CZTSSe薄膜太阳能电池残余应力方法，其特征在于，在柔性Ti衬底和背电极Mo之间引入梯度应力缓释层，所述梯度应力缓释层结构为TiN
‑
Al2O3‑
Cr，所述梯度应力缓释层通过在制备背电极Mo层之前依次在Ti衬底上引入TiN层、Al2O3层和Cr层得到，总厚度不高于90nm。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述梯度应力缓释层中，TiN层、Al2O3层和Cr层厚度相同。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述梯度应力缓释层总厚度为50
‑
70nm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述梯度应力缓释层通过磁控溅射法在Ti衬底上依次溅射TiN层、Al2O3层和Cr层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，梯度应力缓释层的制备中，磁控溅射的条件为：磁控溅射腔室中本底真空为6
×
10
‑4‑8×
10
‑4Pa、工作气压为0.1
‑
0.5Pa、射频电源功率为30
‑
70W、氩气流量为20
‑
40sccm，溅射时间为不高于400s。6.一种柔性CZTSSe薄膜太阳能电池，其特征在于，所述柔性CZTSSe薄膜太阳能电池包含权利要求1
‑
5任一项所述的梯度应力缓释层。7.根据权利要求6所述的柔性CZTSSe薄膜太阳能电池，其特征在于，所述柔性CZTSSe薄膜太阳能电池还包括有柔性Ti衬底、Mo背电极、CZTSSe吸收层、CdS缓冲层、i
‑
ZnO窗口层、ITO透明导电层和Ag电极，其中，所述CZTSSe吸收层的制备方法，包括如下步骤：(1)制备CZTS前驱体溶液：将Cu(CH3COO)2·
H2O、Zn(CH3COO)2·
2H2O、SnCl2·
2H2O和CH4N2S依次混合到二甲基酰胺中，经过磁力搅拌得到前驱体溶液；(2)制备CZTS金属预制层：采用旋涂法制备CZTS金属预制层，将步骤(1)所得的CZTS前驱体溶液滴在背电极Mo层上进行旋涂，并在热台上进行预热，重复多次，制得CZT...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙孪鸿，孙雨豪，陈春阳，王威，郝凌云，叶原丰，管航敏，
申请(专利权)人：金陵科技学院，
类型：发明
国别省市：