透射型衍射光栅制造技术

一种用于相步进测量系统的透射型衍射光栅，该相步进测量系统用于确定投影系统的像差图，该衍射光栅包括吸收层。该衍射光栅用于与具有第一波长的辐射(例如EUV辐射)一起使用。吸收层设置有通孔的二维阵列。吸收层由对于具有第一波长的辐射具有在0.96至1.04范围内的折射率的材料形成。折射率的材料形成。折射率的材料形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透射型衍射光栅
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年6月24日提交的EP申请20181998.4的优先权，该申请通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种用于确定投影系统的像差图的相步进测量系统的透射型衍射光栅，以及用于设计这种二维透射型衍射光栅的方法。特别地，本专利技术涉及一种用于剪切相步进干涉仪测量系统的二维衍射光栅(即形成二维衍射图案的衍射光栅)。

技术介绍

[0004]光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模或掩模版)处的图案投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相比于可以例如使用波长为193nm的辐射的光刻设备，使用波长在4
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20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于相步进测量系统的透射型衍射光栅，所述相步进测量系统用于使用具有第一波长的辐射确定投影系统的像差图，其中所述衍射光栅包括：吸收层，被设置有通孔的二维阵列，其中所述吸收层由对于具有所述第一波长的辐射具有在0.96至1.04范围内的折射率的材料形成。2.一种用于相步进测量系统的透射型衍射光栅，所述相步进测量系统用于使用具有第一波长的辐射确定投影系统的像差图，其中所述衍射光栅包括：吸收层，被设置有通孔的二维阵列，其中所述吸收层包括铝。3.根据权利要求1所述的透射型衍射光栅，其中，所述吸收层包括铝。4.根据前述权利要求中任一项所述的透射型衍射光栅，其中，所述吸收层包括陶瓷。5.根据前述权利要求中任一项所述的透射型衍射光栅，其中，所述吸收层包括氮化铝，AlN。6.根据前述权利要求中任一项所述的透射型衍射光栅，其中，所述光栅的隔膜具有小于150nm的厚度。7.根据前述权利要求中任一项所述的透射型衍射光栅，其中，在所述光栅的平面中的所述光栅的隔膜的尺寸为10μm或更大。8.根据前述权利要求中任一项所述的透射型衍射光栅，其中，在所述光栅的平面中的所述光栅的隔膜的尺寸与所述吸收层的厚度的比率为100或更大的量级。9.根据前述权利要求中任一项所述的透射型衍射光栅，还包括用于所述吸收层的支撑件，其中所述支撑件仅接触所述吸收层的外周部分。10.根据前述权利要求中任一项所述的透射型衍射光栅，其中，形成所述吸收层的材料具有至少500MPa的拉伸强度和/或至少70GPa的杨氏模量。11.根据前述权利要求中任一项所述的透射型衍射光栅，其中，所述吸收层设置有保护涂层。12.根据权利要求11所述的透射型衍射光栅，其中，所述吸收层包括氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：