【技术实现步骤摘要】
一种GaAs逻辑电路和芯片
[0001]本专利技术涉及射频电路领域，更具体地说，涉及一种GaAs逻辑电路和芯片。
技术介绍
[0002]目前GaAs(砷化镓)电路主要用于射频电路设计，同时在GaAs电路中实现逻辑电路，能够有效减少die(晶粒)的数量，有效降低射频芯片成本。基于GaAs的基础逻辑电路如图1所示，外置电源DC的正(+)级上有一个3到5伏的电压，在端口P1或端口P2给一个大于0.2V的电压(一般不超过电压源的电压)，开关管Q1或开关管Q3就会开启，而此时开关管Q2或开关管Q4会关断，在端口P3或端口P4上产生3到5伏左右的输出电压。然而该基础的GaAs逻辑电路的开启电压太低，开关管Q1或者开关管Q3容易被误触发，导致端口P3和端口P4实际输出电压不稳定。
技术实现思路
[0003]本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提出一种GaAs逻辑电路和芯片。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提出一种GaAs逻辑电路，包括：电源模块，开关模块，开关控制模块，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种GaAs逻辑电路，其特征在于，包括：电源模块，开关模块，开关控制模块，缓冲模块和输出控制模块；所述开关控制模块的输入端连接所述电源模块，所述开关控制模块的输出端连接所述开关模块，所述开关控制模块的控制端接入使能信号，并根据所述使能信号向所述开关模块输出控制信号、控制所述开关模块的导通或者关断；所述开关模块的输入端连接所述电源模块，所述开关模块的输出端连接所述输出控制模块的输入端，所述开关模块控制所述电源模块为所述输出控制模块提供电源；所述缓冲模块的输入端接入所述使能信号，所述缓冲模块的输出端连接所述输出控制模块，并输出输出控制信号控制所述输出控制模块输出控制电压。2.根据权利要求1所述的GaAs逻辑电路，其特征在于，所述使能信号包括：第一使能信号和第二使能信号，所述缓冲模块包括：第一缓冲电路和第二缓冲电路；所述第一缓冲电路包括：至少一个晶体管Q19，所述晶体管Q19的栅极接入第一使能信号，所述晶体管Q19的源极和漏极短接后连接所述输出控制模块；所述第二缓冲电路包括：至少一个晶体管Q21，所述晶体管Q21的栅极接入第二使能信号，所述晶体管Q19的源极和漏极短接后连接所述输出控制模块。3.根据权利要求2所述的GaAs逻辑电路，其特征在于，所述第一缓冲电路还包括：晶体管Q20，电阻R18，电阻R19；所述第二缓冲电路还包括：晶体管Q22，电阻R20，电阻R21；所述晶体管Q19的源极和漏极短接后连接所述晶体管Q20的栅极，所述晶体管Q20的源极和漏极短接后与所述电阻R18、电阻R19的第一端连接，所述电阻R18的第二端连接所述输出控制模块，所述电阻R19的第二端接地；所述晶体管Q21的源极和漏极短接后连接所述晶体管Q22的栅极，所述晶体管Q22的源极和漏极短接后与所述电阻R20、电阻R21的第一端连接，所述电阻R20的第二端连接所述输出控制模块，所述电阻R21的第二端接地。4.根据权利要求1所述的GaAs逻辑电路，其特征在于，所述输出控制模块包括：开关管Q14，开关管Q17，开关管Q18，开关管Q23，电阻R16，电阻R17，电阻R22，电阻R23；所述控制电压包括：第一控制电压和第二控制电压；所述电阻R17的第一端、所述电阻R16的第一端、所述电阻R22的第一端和所述电阻R23的第一端与所述开关模块的输出端连接，所述电阻R17的第二端连接所述开关管Q14的第二端和所述开关管Q18的第一端，所述开关管Q14的第一端连接所述电阻R18的第二端，所述开关管Q14的第三端接地，所述开关管Q18的第二端连接所述电阻R16的第二端并输出所述第一控制电压，所述开关管Q18的第三端接地；所述电阻R22的第二端连接所述开关管Q23的第二端和所述开关管Q17的第一端，所述开关管Q23的第一端连接所述电阻R20的第二端，所述开关管Q23的第三端接地，所述开关管Q17的第二端连接所述电阻R23的第二端并输出所述第二控制电压，所述开关管Q17的第三端接地。5.根据权利要求4所述的GaAs逻辑电路，其特征在于，所述开关控制模块包括：开关管Q11，开关管Q12，开关管Q15，开关管Q16，电阻R11，电阻R12，电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：王策兴，张海涛，张泽洲，
申请(专利权)人：芯百特微电子无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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