光学器件制造技术

本发明专利技术提供一种光学器件，具备：基板；形成于所述基板上的具有不同厚度的平板部的多个光波导路径。根据本发明专利技术的光学器件，能够抑制各个光波导路径中的传播损耗。各个光波导路径中的传播损耗。各个光波导路径中的传播损耗。

【技术实现步骤摘要】
光学器件


[0001]本专利技术涉及一种用于光通信和光学测量领域的光学器件。

技术介绍

[0002]伴随着互联网的普及，通信量飞跃性地增加，光纤通信的重要性非常高。光纤通信是将电信号转换为光信号，并通过光纤来传输光信号的通信方式，具有宽带宽、低损耗、抗噪性强的特征。
[0003]图7为现有技术的光学器件700的截面示意图。光学器件700具有基板710、光波导路径721,722,723、和缓冲层730。光波导路径721,722,723中分别传播三种不同波长的光。但是，图7中的光学器件700中，多个波长的光入射时，各个光波导路径的传播损耗会有恶化的担忧。
[0004]专利文献1公开了具有不同厚度的光波导路径的光学器件。但是，在多个波长的光入射时，期待更低的传播损耗。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：特开2013
‑
44805号公报

技术实现思路

[0008]本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种光学器件，其特征在于，具备：基板；形成于所述基板上的具有不同厚度的平板部的多个光波导路径。由此，对应于传输光的波长使各个光波导路径的厚度不同，能够抑制各个光波导路径的传播损耗。并且，通过在基板上形成多个光波导路径，能够容易地与光纤连接，降低结合损耗。
[0009]另外，本专利技术的光学器件中，优选地，所述光波导路径进一步具有脊部，所述多个光波导路径中，所述脊部的厚度不同。由此，能够进一步抑制各个光波导路径的传播损耗。
[0010]另外，本专利技术的光学器件中，优选地，形成有覆盖所述多个光波导路径的氧化物层。由此，能够抑制光波导路径中传播的光被吸收，进一步抑制各个光波导路径的传播损耗。
[0011]另外，本专利技术的光学器件中，优选地，所述平板部的厚度比全部的多个不同的所述脊部的厚度薄。由此，能够进一步抑制各个光波导路径的传播损耗。此外，通过在薄的平板部上连接，能够容易地光波导路径施加电压，从而使信号调制变得容易，能够进行色彩的微调。另外，由于可以共用接地电极，能够使光学器件小型化。
[0012]另外，本专利技术的光学器件中，优选地，在对应的脊部透过的光的波长越长，所述平板部的厚度相对于所述脊部的厚度的比例越低。由此，能够抑制不要模式的光传播，进一步抑制各个光波导路径的传播损耗。
[0013]另外，本专利技术的光学器件中，优选地，所述脊部上的所述氧化层的厚度相同。
[0014]另外，本专利技术的光学器件中，优选地，在所述氧化物层上具备电极，所述电极形成
于所述氧化物层的一侧面上。
[0015]另外，本专利技术的光学器件中，优选地，所述光波导路径由包含锂的氧化物形成。
[0016]另外，本专利技术的光学器件中，优选地，包含所述锂的氧化物为外延生长的铌酸锂或钽酸锂。
[0017]专利技术的效果
[0018]根据本专利技术的光学器件，能够在一个器件(芯片)中实现多条光路传播，并抑制各个光波导路径的传播损耗。
附图说明
[0019]图1是本专利技术的第一实施方式的光学器件100的俯视图。
[0020]图2是沿图1的A
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A'线的光学器件100的示意性截面图。
[0021]图3是沿图1的A
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A'线的光学器件100的变形例100A的示意性截面图。
[0022]图4是本专利技术的第二实施方式的光学器件200的俯视图，图4A仅示出光波导，图4B示出包括行波电极的光学器件200的整体。
[0023]图5是沿图4B的B
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B'线的光学器件200的示意性截面图。
[0024]图6是沿图4B的B
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B'线的光学器件200的变形例200A的示意性截面图。
[0025]图7是有现有技术的光学器件700的示意图。
具体实施方式
[0026]以下，参照附图，详细地说明用于实施本专利技术的方式。
[0027][第一实施方式][0028]图1是本专利技术的第一实施方式的光学器件100的俯视图。图2是沿图1的A
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A'线的光学器件100的示意性截面图。
[0029]图1和图2所示的光学器件100具有基板10、光波导层20、和缓冲层30。光波导层20由铌酸锂膜或钽酸锂膜构成。第一可见光(例如红色可见光)作为输入信号S1i被输入光学器件100，在光波导路径20a传播后，作为输出信号S1o被输出。第二可见光(例如绿色可见光)作为输入信号S2i被输入光学器件100，在光波导路径20b传播后，作为输出信号S2o被输出。第三可见光(例如蓝色可见光)作为输入信号S3i被输入光学器件100，在光波导路径20c传播后，作为输出信号S3o被输出。由此，第一至第三可见光能够在一个器件(芯片)中进行传输。
[0030]基板10只要是折射率比构成光波导层20的铌酸锂膜低的基板就没有特别限定，但优选为能够将铌酸锂膜或钽酸锂膜形成为外延膜的基板。以下，以铌酸锂膜为例进行说明。基板10例如可以是蓝宝石单晶基板、硅单晶基板、氧化铝(Al2O3)单晶基板等单晶基板。单晶基板的晶体取向没有特别限定。构成光波导层20的铌酸锂膜具有相对于各种晶体取向的单晶基板容易形成为c轴取向的外延膜的性质。c轴取向的铌酸锂膜具有3次对称的对称性。因此，作为基底即基板10使用的单晶基板也优选具有相同的对称性。基板10例如在蓝宝石单晶基板及氧化铝单晶基板的情况下可以是c面的基板，在硅单晶基板的情况下可以是(111)面的基板。
[0031]构成光波导层20的铌酸锂膜由包含铌酸锂的可见光透过性材料形成。可见光透过
性材料只要对由激光光源11生成的可见光具有透过性即可，无需对可见光整个区域具有透过性。
[0032]形成铌酸锂膜的铌酸锂可以包含锂(Li)、铌(Nb)、氧(O)以外的元素。铌酸锂可以为下述式(I)所示的化合物。
[0033](I)LixNbAyOz
[0034]式(I)中，A表示Li、Nb、O以外的元素。作为由A表示的元素，可以举出K、Na、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mo、W、Fe、Co、Ni、Zn、Sc、Ce等。这些元素可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。x表示0.5以上且1.2以下的数。x优选为0.9以上且1.05以下的数。y表示0以上0.5以下的数。z表示1.5以上4.0以下的数。z优选表示2.5以上且3.5以下的数。
[0035]光波导层20具有第一光波导路径20a、第二光波导路径20b、第三光波导路径20c。第一光波导路径20a包括第一脊部21a和第一平板部22a。第二光波导路径20b包括第二脊部21b和第二平板部22b。第三光波导路径20c包括第三脊部21c和第三平板部22c。在由脊部和平板部构成的光波导路径中，光的传播主要集中于脊部。在光学器件100中，第一脊部21a成为传播由激光光源发出的第一可见光(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学器件，其特征在于，具备：基板；形成于所述基板上的具有不同厚度的平板部的多个光波导路径。2.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述光波导路径进一步具有脊部，所述多个光波导路径中，所述脊部的厚度不同。3.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，形成有覆盖所述多个光波导路径的氧化物层。4.如权利要求1或2所述的光学器件，其特征在于，所述平板部的厚度比全部的多个不同的所述脊部的厚度薄。5.如权利要求1或2所述的光学器件，其特征在于，在对应的脊...

【专利技术属性】
技术研发人员：田家裕，长瀬健司，A，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：