【技术实现步骤摘要】
一种微米尺度的自旋波逻辑器件
[0001]本专利技术涉及自旋波逻辑器件
,具体为一种微米尺度的自旋波逻辑器件。
技术介绍
[0002]逻辑器件是组成电子计算机所需的各种逻辑功能电路的重要组成单元,逻辑器件性能的优良与整个逻辑电路的可靠性密切相关。随着元器件的尺寸降低至微米尺度,信息处理以及传输单元的小型化对低功耗的要求愈加迫切,数据的并行处理、逻辑单元与存储单元之间信息的相互交换以及可重构的逻辑功能的实现越来越重要。
[0003]而在传统的基于硅的器件中,由于载体电子或空穴在移动的过程中会不可避免地发生能量耗散,并且随着器件尺寸的降低,能量损耗更加严重,因此,现有的逻辑器件已经不能满足最小化功耗的要求。譬如,平面型互补金属氧化物半导体的扩展路径在性能和功耗方面将面临严峻的考验。
技术实现思路
[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种微米尺度的自旋波逻辑器件,包括自旋波逻辑器件,所述自旋波逻辑器件包括激发微带天线,其上方的短矩形区域设有接收天线 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微米尺度的自旋波逻辑器件,其特征在于:包括自旋波逻辑器件(10),所述自旋波逻辑器件(10)包括激发微带天线(11),其上方的短矩形区域设有接收天线(12),自旋波逻辑器件(10)的凹面内侧设置有电压调控区(13),在自旋波逻辑器件(10)的外缘处设置有弯曲畴壁波导(14),弯曲畴壁波导(14)基于布洛赫型畴壁波导结构设计为成弧形结构,形成弯曲的布洛赫型畴壁通道传输自旋波,使自旋波在畴壁能相互干涉。2.根据权利要求1所述的一种微米尺度的自旋波逻辑器件,其特征在于:所述弯曲畴壁波导(14)为三层结构,在双层软磁层之间添加有硬磁层,软磁层与硬磁层间交换耦合;所述弯曲畴壁波导(14)其弧长设置为350nm,宽度为100nm,相邻磁畴的交界处形成布洛赫型磁畴壁。3.根据权利要求2所述的一种微米尺度的自旋波逻辑器件,其特征在于:所述软磁层的材料为:Nd2Fe
14
B,硬磁层选择为:Pd/Fe
0.5
Pd
.5
/MgO;软磁层厚度为2至6nm,自旋波传输通道的宽度为18至60nm。4.根据权利要求1所述的一种微米尺度的自旋波逻辑器件,其特征在于...
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