压电层叠体及压电元件制造技术

本申请涉及压电层叠体及压电元件。本发明专利技术获得一种无需增加工艺负荷便可提高压电特性及驱动稳定性的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层、以及包含钙钛矿型氧化物的压电膜。下部电极层包括：第1层，以与基板相接的状态配置；及第2层，以与压电膜相接的状态配置，第1层以Ti或TiW为主成分，第2层是以Ir为主成分且(111)面取向的单轴取向膜，第2层的来自(111)面的X射线衍射峰的半峰半宽为0.3

【技术实现步骤摘要】
压电层叠体及压电元件


[0001]本专利技术涉及一种压电层叠体及压电元件。

技术介绍

[0002]作为具有优异的压电特性及强介电性的材料，已知有钛酸锆酸铅(Pb(Zr，Ti)O3，以下称为PZT。)等钙钛矿型氧化物。由钙钛矿型氧化物构成的压电体被用作在基板上具备下部电极、压电膜及上部电极的压电元件中的压电膜。该压电元件被扩展到存储器、喷墨头(致动器)、微镜器件、角速度传感器、陀螺仪传感器、超声波元件(PMUT：Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer：压电微机械超声换能器)及振动发电器件各种器件中。
[0003]将压电元件适用于器件时，压电特性高时有助于节能，因此期望压电元件的压电特性高。至此，为了提高压电特性，一直在研究压电膜的结晶性的改善或电极层的低电阻化等方法。
[0004]从与压电膜的粘附性及低电阻化的观点考虑，作为压电元件的下部电极层大多使用Ir层。另外，为了低电阻化，通常Ir层设为150nm以上的厚度。并且，Ir层与压电膜的粘附性良好，但与硅基板的粘附性不好，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压电层叠体，其在基板上依次具备：下部电极层、以及包含钙钛矿型氧化物的压电膜，所述压电层叠体中，所述下部电极层包括：第1层，以与所述基板相接的状态配置；及第2层，以与所述压电膜相接的状态配置，所述第1层以Ti或TiW为主成分，所述第2层是以Ir为主成分且(111)面取向的单轴取向膜，第2层的来自所述(111)面的X射线衍射峰的半峰半宽为0.3
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以上。2.根据权利要求1所述的压电层叠体，其中，来自所述(111)面的X射线衍射峰的半峰半宽为0.35
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以上。3.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，所述第2层中，所述(111)面相对于厚度方向具有1
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以上的倾角。4.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，所述第2层的厚度为50nm以下。5.根据权利要求4所述的压电层叠体，其中，所述下部电极层的厚度为200nm以上。6.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，所述下部电极层的薄层电阻为1Ω/
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以下。...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林宏之，中村诚吾，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：