半导体节能灯制造技术

本实用新型专利技术涉及日光灯，特别是一种长寿命半导体节能灯。该灯由日光灯管、管座、半导体激发器三部分组成，该半导体激发器其电路构成为二极管和电容器组成的倍压整流充放电电路，其峰值电压输出端与日光灯管两端电极连接。该灯利用半导体二极管倍压整流和电容充放电瞬间产生的峰值高电压启动放电，使日光灯管两端电极发射电子而使日光灯管发光。本实用新型专利技术具有耐用、节能、成本低、构造简单等的优点。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及日光灯，特别是一种长寿命半导体节能灯。目前已公知的日光灯普遍存在着物件笨重、结构复杂、寿命短、故障多等缺陷，照明装置中必须配置镇流器和启辉器，只有日光灯管的双级灯丝完好无损才能发光。本技术的目的就是为了克服上述现有技术中的不足之处，而提供一种耐用、节能、成本低、构造简单的半导体节能灯。本技术的目的是这样实现的该灯由日光灯管、管座、半导体激发器三部分组成，该半导体激发器其电路构成为二极管和电容器组成的倍压整流充放电电路，其峰值电压输出端与日光灯管两端电极连接。该灯利用半导体二极管倍压整流和电容充放电瞬间产生的峰值高电压启动放电，使日光灯管两端电极发射电子而使日光灯管发光。本技术与传统日光灯比较具有明显的技术优势(1)、耐用。因省去了镇流器、启辉器和灯丝，而改用半导体二极管和电容，经久耐用，所以使用寿命长，只要日光灯管不漏气便可长期使用。(2)节能。因省去了镇流器、启辉器及市售节能灯的复杂电路，所以省电，经测试，较市售日光灯节电50％。(3)成本低。因省去了镇流器和启辉器，使用的半导体二极管和电容价格低廉，而灯丝烧坏的日光灯管还可使用，所以与市售日光灯相比成本降低约80％。(4)构造简单。本节能灯仅由日光灯管、管座、半导体激发器三部分组成，且激发器元件少。附图图面说明附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为本技术的一种半导体激发器电原理图。图3为本技术的另一种半导体激发器电原理图。下面，结合附图及实施例详述本技术。本技术实施例由目光灯管1、管座2、半导体激发器3组成，该半导体激发器3其电路构成为二极管和电容器组成的倍压整流充放电电路，其峰值电压输出端与日光灯管1两端电极连接。本技术实施例的倍压整流充放电电路由电容C1、C2和二极管D1、D2组成的并联回路构成，该并联回路通过限流电阻R与日光灯管两端电极连接，由电容C1、C2支路和二极管D1、D2支路中各自中间连接点引出电源柱。本技术实施例的倍压整流充放电电路还可以由电容C1、C2、C3、C4和二极管D1、D2、D3、D4组成的串、并联回路构成，其中电容C1、C2支路和二极管D1、D2、D3、D4支路构成并联回路与日光灯管两端电极连接，电容C3、C4支路两端分别与二极管D1、D2的连接点和D3、D4的连接点连接，构成电容C3、C4与二极管D2、D3并联回路，电容C1、C2的连接点和二极管D2、D3的连接点相连后引出一电源柱，电容C3、C4的连接点引出另一电源柱。权利要求1.一种半导体节能灯，包括日光灯管、管座、半导体激发器，其特征在于该半导体激发器其电路构成为二极管和电容器组成的倍压整流充放电电路，其峰值电压输出端与日光灯管两端电极连接。2.根据权利要求1所述的半导体节能灯，其特征在于倍压整流充放电电路由电容C1、C2和二极管D1、D2组成的并联回路构成，该并联回路通过限流电阻R与日光灯管两端电极连接，由电容C1、C2支路和二极管D1、D2支路中各自中间连接点引出电源柱。3.据权利要求1所述的半导体节能灯，其特征在于倍压整流充放电电路由电容C1、C2、C3、C4和二极管D1、D2、D3、D4组成的串、并联回路构成，其中电容C1、C2支路和二极管D1、D2、D3、D4支路构成并联回路与日光灯管两端电极连接，电容C3、C4支路两端分别与二极管D1、D2的连接点和D3、D4的连接点连接，构成电容C3、C4与二极管D2、D3并联回路，电容C1、C2的连接点和二极管D2、D3的连接点相连后引出一电源柱，电容C3、C4的连接点引出另一电源柱。专利摘要本技术涉及日光灯,特别是一种长寿命半导体节能灯。该灯由日光灯管、管座、半导体激发器三部分组成,该半导体激发器其电路构成为二极管和电容器组成的倍压整流充放电电路,其峰值电压输出端与日光灯管两端电极连接。该灯利用半导体二极管倍压整流和电容充放电瞬间产生的峰值高电压启动放电,使日光灯管两端电极发射电子而使日光灯管发光。本技术具有耐用、节能、成本低、构造简单等的优点。文档编号H05B41/16GK2475252SQ01219669公开日2002年1月30日 申请日期2001年4月18日 优先权日2001年4月18日专利技术者谭庆茂 申请人:谭庆茂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体节能灯，包括日光灯管、管座、半导体激发器，其特征在于该半导体激发器其电路构成为二极管和电容器组成的倍压整流充放电电路，其峰值电压输出端与日光灯管两端电极连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：谭庆茂，
申请(专利权)人：谭庆茂，
类型：实用新型
国别省市：13[中国|河北]