具有密排的LED和/或电气隔离的基板的发光系统及其制造和/或操作方法技术方案

本申请公开一种发光系统，其包括具有相对小的最近邻近距离的复数个LED。复数个LED中的一个或多个LED包括在半导体层和散热基板之间的通孔。LED可以在高电流密度(例如，至少1A/mm2)下运行。所述复数个LED中的一个或多个LED包括第一接触垫和第二接触垫，其可以允许所述LED以串联或并联，或者可以单独寻址的方式设置，并且通过位于LED的发光区域之外的一个或多个焊线电连接到发光系统的其他元件。所述LED可以安装在与发光系统的任何阳极或阴极电绝缘的基板上。绝缘的基板上。绝缘的基板上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有密排的LED和/或电气隔离的基板的发光系统及其制造和/或操作方法


[0001]总体上描述了具有密排的LED和/或电隔离的基板的发光系统，以及制造和/或操作它们的方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着对高亮度光源的需求不断增长，其中开发高亮度光源的一种方法就涉及组装发光二极管(LED)的阵列。然而，常规的LED阵列具有各种缺点。例如，常规阵列结构中若使用水平结构的LED芯片，该LED必须相对间隔开，以避免吸收来自相邻LED的侧壁光发射。另外，水平结构的LED芯片通常必须使用相对低的电流密度(例如，小于500mA/mm2)来驱动以免过热和烧毁。作为另一种常规的LED阵列，采用串联连接的垂直结构的LED芯片，该阵列通常需要在LED芯片与安装有该LED芯片的基板之间存在介电层。介电层的存在通常对散热有负面影响(例如，通过减少散热)，并且介电层的制备通常要求将LED相对隔开。

技术实现思路

[0003]本专利技术涉及一种具有密排的LED和/或电隔离的基板的发光系统及其制造和/或操作方法。
[0004]在一个方面，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光系统，包括：复数个发光二极管(LED)，所述复数个LED中的至少一个LED具有小于或等于50μm的最近邻近距离；其中，所述复数个LED被配置为以至少1A/mm2的电流密度进行操作。2.根据权利要求1所述的发光系统，其特征在于，所述复数个LED被配置为以至少5A/mm2的电流密度进行操作。3.根据权利要求1或2任一所述的发光系统，其特征在于，所述复数个LED中的至少一个LED具有小于或等于10μm的最近邻近距离。4.根据权利要求1
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3任一所述的发光系统，其特征在于，所述复数个LED具有50μm或更小的平均最近邻距离。5.根据权利要求1
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4任一所述的发光系统，其特征在于，所述复数个LED具有50μm或更小的最大最近邻距离。6.根据权利要求1
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5任一所述的发光系统，其特征在于，所述发光系统包括多个焊线，每个所述焊线与所述复数个LED中的至少一个LED电连接，并且至少50％的所述焊线位于所述复数个LED的任何发光区域的外部。7.根据权利要求6所述的发光系统，其特征在于，所有焊线均位于所述复数个LED的任何发光区域的外部。8.根据权利要求1
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7任一所述的发光系统，其特征在于，所述复数个LED安装在一基板上，所述基板与所述发光系统的任何电极电隔离。9.根据权利要求8所述的发光系统，其特征在于，所述基板包括金属芯PCB板、引线框架基板或者复合基板。10.根据权利要求1
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9任一所述的发光系统，其特征在于，所述复数个LED中的一个或多个LED各自包括第一半导体层、第二半导体层、基板、与所述基板的至少一部分物理接触的第一导电层、第一接触垫和与所述第一半导体层和所述第一导电层热连通的通孔。11.根据权利要求10所述的发光系统，其特征在于，所述复数个LED中的所有LED均包括第一半导体层、第二半导体层、基板、与所述基板的至少一部分物理接触的第一导电层、第一接触垫、及热连接所述第一半导体层和所述第一导电层的通孔。12.根据权利要求10或11任一所述的发光系统，其特征在于，所述通孔包括导电芯部和绝缘侧壁，所述导电芯部包含具有至少10W/(m.K)的导热率和在20℃下至少1W
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105S/m的电导率的材料，并且所述绝缘性侧壁包括在20℃下具有至少1
×
10
11
Ω.m的电阻率的材料。13.根据权利要求10
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12任一所述的发光系统，其特征在于，所述基板在20℃下具有至少10W/(m.K)的导热率。14.根据权利要求10
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13任一所述的发光系统，其特征在于，所述基板在2...

【专利技术属性】
技术研发人员：单奇峰，黄少华，
申请(专利权)人：单奇峰黄少华，
类型：发明
国别省市：