【技术实现步骤摘要】
一种芯片测试方法和装置
[0001]本申请涉及半导体
，特别涉及一种芯片测试方法和装置。
技术介绍
[0002]现阶段，为了提高芯片的良率，会对晶圆上的芯片进行测试，参与测试的芯片包括数据存储区和冗余替换区，在进行芯片测试时，会对数据存储区进行擦写等操作，当数据存储区有单元失效时，会使用冗余替换区的单元替换失效的单元，从而保证数据存储区的继续可用。
[0003]通常对芯片测试会包括多道测试，每一道测试设置不同的参数，例如第一道测试为在常温下进行测试，第二道测试为在高温下进行测试，现阶段只在第一道芯片测试时，启用冗余替换修复，在后面道芯片测试中，如数据存储区有新增的失效单元，则芯片会直接被判断为失效，测试良率较低。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种芯片测试方法和装置，可以提高芯片测试的良率。
[0005]为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种芯片测试方法，所述芯片包括芯片数据存储区和芯片冗余替换区，包括：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片测试方法，其特征在于，所述芯片包括芯片数据存储区和芯片冗余替换区，包括：利用第i道芯片测试确定所述芯片数据存储区的第二失效单元；所述第i道芯片测试为第一道芯片测试之后进行的芯片测试；所述第一道芯片测试确定出所述芯片数据存储区的第一失效单元；其中，i为大于1的整数；利用所述第一失效单元和所述第二失效单元，确定总失效存储空间；当所述总失效存储空间小于或等于所述芯片冗余替换区的存储空间时，采用所述芯片冗余替换区的存储单元替换所述第二失效单元以对数据进行存储。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括:将所述第一失效单元和第二失效单元的地址存入芯片地址记录区，以阻止对所述第一失效单元和第二失效单元进行数据读写。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在进行所述第i道芯片测试之前，采用所述芯片冗余替换区的存储单元替换所述第一失效单元；判断所述第二失效单元是否为所述第一失效单元的子集；若否，则计算所述第二失效单元相较于所述第一失效单元的新增单元所述采用所述芯片冗余替换区的存储单元替换所述第二失效单元以对数据进行存储，包括：采用所述芯片冗余替换区的存储单元替换所述新增单元以对数据进行存储。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述总失效存储空间小于或等于所述芯片冗余替换区的存储空间时，采用所述芯片冗余替换区的存储单元替换所述第一失效单元以对数据进行存储。5.根据权利要求1
‑
4任意一项所述的方法，其特征在于，所述芯片数据存储区和芯片冗余替换区采用行式存储或列式存储。6.根据权利要求1
‑
4任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述总失效存储空间大于所述芯片冗余替...
【专利技术属性】
技术研发人员：李凯亮，胡博，陈凝，郭耀华，马迁，
申请(专利权)人：紫光同芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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