金属的表层处理方法、金属组件以及电子设备技术

本发明专利技术公开了一种金属的表层处理方法、金属组件以及电子设备。该金属的表层处理方法，包括：将金属放入真空室内，并对真空室抽真空至第一真空度；将乙炔、氮气和氢气混合气体加入真空室；加热真空室内的环境温度；当真空室内的环境温度到达第一温度值，且真空室的气压到达第一压力值后，进行辉光放电，以至金属的表层形成碳氮梯度硬化层；去除所述碳氮梯度硬化层的表层的部分碳层。该金属的表层处理方法以及金属组件，能够在金属表层附着可靠的硬化层来提高其抗划伤性能，有利于保持电子设备的外观美感。外观美感。外观美感。

【技术实现步骤摘要】
金属的表层处理方法、金属组件以及电子设备


[0001]本公开涉及电子
，特别是涉及一种金属的表层处理方法、金属组件以及电子设备。

技术介绍

[0002]目前，智能手机、智能平板、智能手表或智能手环等电子设备已经成为人们生活、学习和娱乐过程中必不可少的科技产品，为人们的生活带来诸多便利及乐趣。
[0003]在相关技术中，应用于智能手机、智能手表或智能手环等电子设备的金属壳体通常采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)方法提高金属壳体的表面的抗划伤能力等。但传统的物理气相沉积层在难以在具有良好附着力的情况下，同时具备良好的抗划伤性能。

技术实现思路

[0004]本公开提供一种金属的表层处理方法、金属组件以及电子设备。该金属的表层处理方法以及金属组件能够在金属表层附着可靠的硬化层来提高其抗划伤性能，有利于保持电子设备的外观美感。
[0005]其技术方案如下：
[0006]根据本公开实施例的第一方面，提供一种金属的表层处理方法，包括：
[0007]将金属放入真空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属的表层处理方法，其特征在于，包括：将金属放入真空室内，并对所述真空室抽真空至第一真空度；将乙炔、氮气和氢气混合气体加入所述真空室；加热所述真空室内的环境温度；当所述真空室内的环境温度到达第一温度值，且所述真空室的气压到达第一压力值后，进行辉光放电，以至所述金属的表层形成碳氮梯度硬化层；去除所述碳氮梯度硬化层的表层的部分碳层。2.根据权利要求1所述的金属的表层处理方法，其特征在于，所述第一真空度为0.001Pa～10Pa，所述第一温度值为400℃～450℃，所述第一压力值为100Pa～200Pa，所述辉光放电的电压为600V～800V，持续放电时间为35h～40h。3.根据权利要求1所述的金属的表层处理方法，其特征在于，所述混合气体中所述氢气占80％VOL～90％VOL，所述乙炔占比5％VOL～10％VOL，所述氮气占比5％VOL～10％VOL。4.根据权利要求3所述的金属的表层处理方法，其特征在于，所述混合气体中所述氢气占80％VOL，所述乙炔占比10％VOL，所述氮气占比10％VOL；或者，所述混合气体中所述氢气占90％VOL，所述乙炔占比5％VOL，所述氮气占比5％VOL。5.根据权利要求1所述的金属的表层处理方法，其特征在于，在将金属放到所述真空室之前，还包括将所述金属加工成环状的壳体，从壳体内部夹持，然后再放入所述真空室内。6.根据权利要求5所述的金属的表层处理方法，其特征在于，在将所述金属加工成壳体后，还包括对环状的壳体进行表面处理，然后再将洗净烘干的金属放入所述真空室内。7.根据权利要求1至6任一项所述的金属的表层处理方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兵，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：发明
国别省市：