一种推挽输出驱动级保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种推挽输出驱动级保护电路，涉及电路技术领域，包括PMOS管PM1～PMOS管PM4、NMOS管NM1以及电阻R1～电阻R3，且PMOS管PM1～PMOS管PM4均设置为单极型PMOS管，NMOS管NM1设置为单极型NMOS管；当VOUT电压高于VCC时，根据PMOS管的特性，PMOS管PM3和PMOS管PM 4开启，PMOS管PM2管关断，VSUB与VOP的电压和VOUT的电压相等，这样就可以判断PMOS管PM 1是栅极和衬底端电位与VOUT的电压相等，根据PMOS管的特性就可以判断，VOUT的电流不会倒灌到VCC。VCC。VCC。

【技术实现步骤摘要】
一种推挽输出驱动级保护电路


[0001]本专利技术涉及电路
，特别是涉及一种推挽输出驱动级保护电路。

技术介绍

[0002]在模拟芯片中，推挽输出级是一种很常见的电路，对于信号传输电路尤其重要，因为它总是一个管子打开另外一个管子关闭，没有电流流过而大大节省了功耗，常规的推挽输出驱动如图1所示，P1为PMOS管，源极和衬底端接VCC，漏极接VOUT，栅极接VOP；N1为NMOS管，源极和衬底端接GND，漏极接VOUT，栅极接VON。
[0003]如图2所示PMOS管的结构，D2和D3分别为漏极和源极到衬底端的寄生二极管，当VOUT的电压高于VCC的时候，根据PMOS管的结构寄推挽输出的接法，VOUT的电流会直接倒灌到VCC，在这种没有任何限制条件的情况下，芯片非常容易损坏。
[0004]基于上述问题，如图3所示，直接在P1和VOUT之间添加二极管D1，这种架构最简单而且最容易阻止VOUT电压往电源的倒灌，但还是会存在以下弊端：1、二极管D1常规工艺不好实现，常规工艺二极管D1通过大电流的时候会对GND有一定的漏电；2、推挽输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种推挽输出驱动级保护电路，其特征在于：包括PMOS管PM1～PMOS管PM4、NMOS管NM1以及电阻R1～电阻R3；PMOS管PM1的栅极连接前级电压VOP，源极连接VDD，漏极连接VOUT，衬底端连接VSUB；PMOS管PM2的栅极连接电阻R3的一端，源极连接VDD，漏极连接VSUB，衬底端连接VSUB；PMOS管PM3的栅极连接电阻R2的一端，源极连接VOUT，漏极连接VSUB，衬底端连接VSUB；PMOS管PM4的栅极连接电阻R1的一端，源极连接VOP，漏极连接VOUT，衬底端连接VSUB...

【专利技术属性】
技术研发人员：马学龙，
申请(专利权)人：江苏润石科技有限公司，
类型：发明
国别省市：