一种三相改进型混合级联多电平逆变器拓扑结构制造技术

本实用新型专利技术介绍了一种三相改进型混合级联多电平逆变器拓扑结构，该拓扑结构包括三相级联H桥逆变器（Q）和一个传统的三桥臂逆变器（E），直流电压源V1、V2、V3、V4、负载R1、R2、R3，与传统的三相整流器相比多改进型混合级联多电平逆变器的输出电压产生谐波波形较少，输出电压更接近纯正弦波形，产生无功功率更低，功率损失更小，降低开关间的电压应力，适用于低开关频率，更适合于高功率的应用，可产生更多电平的电压，在不增加单个设备额定值的情况下提高功率处理能力，应用前景非常广泛。应用前景非常广泛。应用前景非常广泛。

【技术实现步骤摘要】
一种三相改进型混合级联多电平逆变器拓扑结构


[0001]本技术涉及电力电子领域，具体涉及一种三相改进型混合级联多电平逆变器拓扑结构。

技术介绍

[0002]近些年来，功率半导体器件及控制技术得到快速的发展，并在电力电子领域得到泛应用，随着技术的不断革新，各种电力电子设备应运而生。逆变器是从直流电源产生交流电源的这类电源转化器，包括电压源逆变器（VSI）和电流源逆变器（CSI），产生的输出将是恒定的电压和频率。随着逆变技术的发展，在一些关键
已经有了很大的进步，但是传统的逆变电路有很多的缺点。
[0003]在VSI情况下，输出电压取决于源电压，而在CSI中，负载电流取决于源电流。对于欠阻尼负载，VSI是负载交换，并使用反馈二极管提供回负载消耗的无功功率。它采用IGBT开关，适用于大功率应用。
[0004]由于常规方波和半方波逆变器的高总谐波失真和损耗，标志着它们不能用于高功率应用。三个单相半(或全)桥可并联连接形成三相逆变器，可在高功率条件下应用。当今的多电平逆变器已经在电力行业产生了更大的影响，多电平逆变器输出电压更接近纯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三相改进型混合级联多电平逆变器拓扑结构，其特征在于：包括三相级联H桥逆变器（Q）和一个三桥臂逆变器（E），总计18个IGBT，直流电压源V1、V2、V3、V4、负载R1、R2、R3；所述的三相级联H桥逆变器（Q）由12个IGBT组成包括第七个IGBT（S7）、第八个IGBT（S8）、第九个IGBT（S9）、第十个IGBT（S10）、第十一个IGBT（S11）、第十二个IGBT（S12）、第十三个IGBT（S13）、第十四个IGBT（S14）、第十五个IGBT（S15）、第十六个IGBT（S16）、第十七个IGBT（S17）、第十八个IGBT（S18）；其连接方式为第七个IGBT（S7）的发射极与第八个IGBT（S8）的集电极连接构成一个桥臂；第九个IGBT（S9）的发射极与第十个IGBT（S10）的集电极连接构成另一个桥臂；直流电压源V2的一端分别与第七个IGBT（S7）、第九个IGBT（S9）的集电极连接；直流电压源V2的另一端分别与第八个IGBT（S8）、第十个IGBT（S10）的发射极连接，构成三相级联H桥逆变器（Q）的第一相；第十一个IGBT（S11）的发射极与第十二个IGBT（S12）的集电极连接构成一个桥臂；第十三个IGBT（S13）的发射极与第十四个IGBT（S14）的集电极连接构成另一个桥臂；直流电压源V3的一端分别与第十一个IGBT（S11）、第十三个IGBT（S13）的集电极连接；直流电压源V3的另一端分别与第十二个IGBT（S12）、第十四个IGBT（S14）的发射极连接，构成三相级联H桥逆变器（Q）的第二相；第十五个IGBT（S15）的发射极与第十六个IGBT（S16）的集电极连接构成一个桥臂；第十七个IGBT（S17）的发射极与第十八个IGBT（S18）的集电极连接构成另一个桥臂；直流电压源V4的一端分别与第十五个IGBT（S15）、第十七个IGBT（S17）的集电极连接；...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜景斌，王玺哲，许森洋，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：新型
国别省市：