可设置输出功率上下限的开路短路保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了可设置输出功率上下限的开路短路保护电路，包括红外信号接收及开关电路，其中一路经整流桥DB1整流并经CS1滤波后的电流在经电阻RS1限流并经稳压二极管DZ2稳压后为红外信号接收及开关电路供电；信号采样及红外信号发射电路。本实用新型专利技术所用元器件均为常规通用器件，可用于自激驱动电路，也可用于他激驱动电路中，解决了目前市面上自激驱动不易取样，高压光耦的耐压不超6KV的问题，不用繁杂的信号采样和软件编写，不用庞大的开发团队即可完成可靠的开路短路及过载或超载检测，相比较市面现有的前级检测，本申请能更可靠地检测到如灯管老化失效，破裂，漏电打火等一些能损坏驱动器，甚至更严重到火灾等常见问题。甚至更严重到火灾等常见问题。甚至更严重到火灾等常见问题。

【技术实现步骤摘要】
可设置输出功率上下限的开路短路保护电路


[0001]本技术涉及保护电路领域，具体涉及可设置输出功率上下限的开路短路保护电路。

技术介绍

[0002]目前类似技术，大多采用单片机原边绕组反馈取样，或者是开关管串电阻做电流取样，但都面临信号干扰大，计算方法过于复杂，不能如实可靠地检测到一些特定故障。
[0003]因此，专利技术可设置输出功率上下限的开路短路保护电路来解决上述问题很有必要。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供可设置输出功率上下限的开路短路保护电路，以解决现有技术信号干扰大，计算方法过于复杂，不能如实可靠地检测到一些特定故障的问题。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：可设置输出功率上下限的开路短路保护电路，包括红外信号接收及开关电路，其中一路经整流桥DB1整流并经CS1滤波后的电流在经电阻RS1限流并经稳压二极管DZ2稳压后为红外信号接收及开关电路供电；
[0006]信号采样及红外信号发射电路，所述信号采样及红外信号发射电路的D点接负载；
[0007]高频振荡及推动电路，所述高频振荡及推动电路接收经整流桥DB1整流并经CS1滤波后的另一路电流；
[0008]高压包，所述高压包的C点通过信号采样后与负载的另一端连接构成回路。
[0009]作为本技术的优选方案，所述红外信号接收及开关电路包括：
[0010]红外接收管QS1，所述红外接收管QS1的一端与电阻Rs3连接后与稳压管Dz2连接，所述红外接收管QS1的另一端与电阻Rs2连接后与二极管Ds1和电容Cs2连接；
[0011]MOS管QS2，所述MOS管QS3的漏极经上拉电阻Rs4与二极管Ds1的一端相连接，所述MOS管QS3的栅极与二极管Ds1的另一端相连接，所述MOS管QS3的源极接地，且所述上拉电阻Rs4经电阻Rs1与整流桥DB1相连；
[0012]MOS管QS3，所述MOS管QS3的栅极与MOS管QS3的漏极相连接，所述MOS管QS3的漏极与高频振荡及推动电路的电源负相连，所述MOS管QS3的源极接地。
[0013]作为本技术的优选方案，所述信号采样及红外信号发射电路包括：
[0014]高频整流桥，由二极管VD1、VD2、VD3和VD4组成；
[0015]红外发射管IR1，所述红外发射管IR1的一端经电阻R5后与稳压管DZ1连接，所述稳压管DZ1的另一端连接有电容C1，所述电容C1的另一端与红外发射管IR1的另一端相连，所述红外发射管IR1的另一端与二极管VD2连接，所述二极管VD2的另一端经二极管VD1与稳压管DZ1相连；
[0016]可控硅SCR1，所述可控硅SCR1与电容C1并联，所述可控硅SCR1的一端与电容C2连接后经电阻R4与电阻R2连接，所述电阻R2的另一端与二极管VD3的一端相连，所述二极管
VD3的另一端与二极管VD4的一端相连，所述二极管VD4的另一端通过电阻R3与电阻R4连接；
[0017]电阻R1，所述电阻R1的一端与二极管VD2的另一端相连，所述电阻R1的另一端与二极管VD4的一端连接后与负载连接。
[0018]作为本技术的优选方案，所述高压包的E点接负载，所述负载为灯管或其它高压负载。
[0019]作为本技术的优选方案，所述电容C1为滤波电容，所述电容C1的容量值不能太大，过大的容量会造成启动失败。
[0020]作为本技术的优选方案，所述电容C2用于吸收信号尖峰，不让尖峰电压引起可控硅误触发。
[0021]作为本技术的优选方案，所述电阻R1为分压电阻，所述电阻R1将取样电路两端C点到D点的电压限制在一个安全范围内，取样部份的元件即可用一般低压元件即可完成稳定的守护工作。
[0022]在上述技术方案中，本技术提供的技术效果和优点：
[0023]本申请所用元器件均为常规通用器件，可用于自激驱动电路，也可用于他激驱动电路中，解决了目前市面上自激驱动不易取样，高压光耦的耐压不超6KV的问题，也不用繁杂的信号采样和软件编写(单片机信号采样)，不用庞大的开发团队即可完成可靠的开路短路及过载或超载检测，相比较市面现有的前级检测，本申请能更可靠地检测到如灯管老化失效，破裂，漏电打火等一些能损坏驱动器，甚至更严重到火灾等常见问题；
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为本技术的电路原理图；
[0026]图2为本技术红外信号接收及开关电路的电路图；
[0027]图3为本技术信号采样及红外信号发射电路的电路图。
[0028]附图标记说明：
[0029]1、红外信号接收及开关电路；2、信号采样及红外信号发射电路；3、高频振荡及推动电路；4、高压包。
具体实施方式
[0030]为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面将结合附图对本技术作进一步的详细介绍。
[0031]本技术提供了如图1
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3所示的可设置输出功率上下限的开路短路保护电路，包括红外信号接收及开关电路1，其中一路经整流桥DB1整流并经CS1滤波后的电流在经电阻RS1限流并经稳压二极管DZ2稳压后为红外信号接收及开关电路1供电；
[0032]信号采样及红外信号发射电路2，信号采样及红外信号发射电路2的D点接负载；
[0033]高频振荡及推动电路3，高频振荡及推动电路3接收经整流桥DB1整流并经CS1滤波后的另一路电流；
[0034]高压包4，高压包4的C点通过信号采样后与负载的另一端连接构成回路。
[0035]在提到的上述方案中，做出进一步限定，结构中红外信号接收及开关电路1包括：
[0036]红外接收管QS1，红外接收管QS1的一端与电阻Rs3连接后与稳压管Dz2连接，红外接收管QS1的另一端与电阻Rs2连接后与二极管Ds1和电容Cs2连接；
[0037]MOS管QS2，MOS管QS3的漏极经上拉电阻Rs4与二极管Ds1的一端相连接，MOS管QS3的栅极与二极管Ds1的另一端相连接，MOS管QS3的源极接地，且上拉电阻Rs4经电阻Rs1与整流桥DB1相连；
[0038]MOS管QS3，MOS管QS3的栅极与MOS管QS3的漏极相连接，MOS管QS3的漏极与高频振荡及推动电路3的电源负相连，MOS管QS3的源极接地。
[0039]在提到的上述方案中，做出进一步限定，结构中信号采样及红外信号发射电路2包括：
[0040]高频整流桥，由二极管VD1、VD2、VD3和VD4组成；
[0041]红外发射管IR1，红外发射管IR1的一端经电阻R5后与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.可设置输出功率上下限的开路短路保护电路，其特征在于，包括：红外信号接收及开关电路(1)，其中一路经整流桥DB1整流并经CS1滤波后的电流在经电阻RS1限流并经稳压二极管DZ2稳压后为红外信号接收及开关电路(1)供电；信号采样及红外信号发射电路(2)，所述信号采样及红外信号发射电路(2)的D点接负载；高频振荡及推动电路(3)，所述高频振荡及推动电路(3)接收经整流桥DB1整流并经CS1滤波后的另一路电流；高压包(4)，所述高压包(4)的C点通过信号采样后与负载的另一端连接构成回路。2.根据权利要求1所述的可设置输出功率上下限的开路短路保护电路，其特征在于，所述红外信号接收及开关电路(1)包括：红外接收管QS1，所述红外接收管QS1的一端与电阻Rs3连接后与稳压管Dz2连接，所述红外接收管QS1的另一端与电阻Rs2连接后与二极管Ds1和电容Cs2连接；MOS管QS2，所述MOS管QS3的漏极经上拉电阻Rs4与二极管Ds1的一端相连接，所述MOS管QS3的栅极与二极管Ds1的另一端相连接，所述MOS管QS3的源极接地，且所述上拉电阻Rs4经电阻Rs1与整流桥DB1相连；MOS管QS3，所述MOS管QS3的栅极与MOS管QS3的漏极相连接，所述MOS管QS3的漏极与高频振荡及推动电路(3)的电源负相连，所述MOS管QS3的源极接地。3.根据权利要求1所述的可设置输出功率上下限的开路短路保护电路，其特征在于：所述信号采样及红外信号发射电路(2)包括：高频整流桥，由二极管VD1、VD2、VD3和VD4组...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖开义，
申请(专利权)人：佛山市义容电子有限公司，
类型：新型
国别省市：