荧光X射线分析装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种包括X射线源、检测器以及铁制的试样室并且试样室的内部表面的至少一部分被由源自熔融铝的铝构成的层包覆的荧光X射线分析装置、以及包括X射线源、检测器以及铁制的试样室并且试样室的内部表面的大致整个表面被由源自熔融铝的铝构成的层包覆的荧光X射线分析装置，该X射线源用于对试样照射X射线，该检测器用于检测通过X射线的照射而从试样放出的荧光X射线，该铁制的试样室用于收纳试样。试样。试样。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】荧光X射线分析装置


[0001]本专利技术涉及一种荧光X射线分析装置。

技术介绍

[0002]荧光X射线分析装置通过对固体试样、粉末试样或液体试样照射初级X射线并检测由初级X射线激发而放出的荧光X射线，来进行该试样中含有的元素的定性或定量分析。现今，荧光X射线分析装置被广泛地用作有用的分析装置，其分析对象涉及金属领域至食品领域的多方面领域。
[0003]图3是示出以往的一般荧光X射线分析装置的构成的概要图。荧光X射线分析装置101具备：试样室20，用于在其内部配置试样S；以及装置壳体60，在其内部配置有X射线源10和检测器30。
[0004]试样室20具有四边形板状的试样基座21、以及具有四边形板状的上表面的方柱形状的上部腔室22。在试样基座21的中央部形成有圆形状的开口21a。以使上部腔室22的一个侧壁的下表面与试样基座21的上表面侧的一边成为轴的方式能够相对于试样基座21旋转地安装上部腔室22。而且，上部腔室22的内部与真空泵(未图示)连接，使得能够被真空泵排气为真空。根据这样的试样室20，能够通过打开上部腔室22来以试样S的分析面堵塞开口21a的方式配置试样S，能够在配置了试样S后关闭上部腔室22并将上部腔室22的内部排气为真空。
[0005]装置壳体60是具有四边形板状的下表面的方柱形状，试样基座21的下表面侧的周缘部被安装在方柱形状的侧壁的上表面。而且，在装置壳体60的内部配置有X射线源10和检测器30。
[0006]X射线源10例如为点聚集的X射线管，具有壳体，在壳体的内部配置有作为阳极的靶(未图示)和作为阴极的灯丝(未图示)。由此，通过对靶施加高电压并且对灯丝施加低电压，来使从灯丝放射出的热电子撞击靶的端面，由此射出在靶的端面产生的初级X射线。
[0007]X射线源10被固定安装于试样基座21的开口21a的左下方，构成为使从X射线源10射出的初级X射线以入射角θ入射到开口21a中。因此，由于试样S的分析面以堵塞开口21a的方式抵接，由此试样S的分析面被初级X射线以入射角θ照射。
[0008]检测器30例如具有形成有导入窗的壳体，在壳体的内部配置有检测荧光X射线的检测元件(半导体元件)。而且，检测器30被固定安装于试样基座21的开口21a的右下方，构成为使在试样S的分析面产生的荧光X射线入射到导入窗。因此，当试样S的分析面被初级X射线照射时，检测器30检测在试样S的分析面产生的荧光X射线。
[0009]在X射线分析装置101中，为了降低使用者被透过了试样S的X射线辐射的风险，将试样S收纳于试样室20内。构成试样室20的试样基座21及上部腔室22由屏蔽材料形成。即，试样室20由屏蔽材料形成。作为屏蔽材料，在日本特开2011
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022163号公报(专利文献1)中示出了例如使用厚度3.2mm的铁。图4示出了铁的厚度与X射线透射率的关系。参照图4，在使用厚度15mm的铁作为屏蔽材料的情况下，透过试样室20的管电压50kV的X射线衰减10位数，
大幅降低使用者被X射线辐射的风险。另外，在一般使用铁作为试样室20的屏蔽材料的情况下，作为防锈对策，对铁实施镀镍。作为与利用镍进行的铁的防锈加工有关的专利文献，例如有日本特开2004
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197151号公报(专利文献2)。
[0010]现有技术文献
[0011]专利文献
[0012]专利文献1：日本特开2011
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022163号公报
[0013]专利文献2：日本特开2004
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197151号公报

技术实现思路

[0014]专利技术要解决的问题
[0015]在具有对铁制的试样室20的内部表面实施镀镍的构造的情况下，在透过了试样S的X射线照到了试样基座21或上部腔室22时，会产生镍的荧光X射线(Ni
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K：7478eV)。这样的镍的荧光X射线能够与在试样S的分析面产生的荧光X射线一起被检测器30检测。因此，存在对荧光X射线分析结果造成不良影响的担忧。另外，即使在不对铁制的试样室20的内部表面实施镀镍的情况下，在透过了试样S的X射线照到了试样室20的试样基座21或上部腔室22时，也会产生铁的荧光X射线(FE
‑
K：6403eV)。这样的铁的荧光X射线也能够与在试样S的分析面产生的荧光X射线一起被检测器30检测。因此，存在对荧光X射线分析结果造成不良影响的担忧。
[0016]以下，透过了试样S的X射线照到试样室20的试样基座21或上部腔室22而产生的镍的荧光X射线也被记为“源自镍的杂质射线”，透过了试样S的X射线照到试样室20的试样基座21或上部腔室22而产生的铁的荧光X射线也被记为“源自铁的杂质射线”。
[0017]镍能够成为荧光X射线分析装置101的分析对象。例如，在试样S为医药用品、食品、化学药品等的情况下，能够以测定试样S的杂质为目的来进行镍的微量分析。在这样的情况下，认为源自镍的杂质射线对于试样S中的镍的微量分析而言成为很大的妨碍。
[0018]另外，近年来利用荧光X射线分析装置的微量(ppm级)分析的需求高涨。为了进行微量分析，需要准备ppm级的标准试样。在这样的标准试样的调制中一般使用盐酸等酸溶剂。在对包含酸溶剂的标准试样进行荧光X射线分析时，酸溶剂挥发。挥发的酸溶剂侵蚀被实施于铁制的试样室20的内部表面的镀镍。其结果，虽然不会对分析的性能本身造成影响，但还存在在试样室20的内部表面产生黑渍而损害荧光X射线分析装置的美观度这样的问题。
[0019]本专利技术的目的在于，在包括铁制的试样室的荧光X射线分析装置中，降低源自镍的杂质射线及源自铁的杂质射线对荧光X射线分析的影响，并抑制因酸溶剂引起的试样室内部表面处的黑渍的产生。
[0020]用于解决问题的方案
[0021]本专利技术提供以下所示的荧光X射线分析装置。
[0022][1]一种荧光X射线分析装置，包括：X射线源，其用于对试样照射X射线；检测器，其用于检测通过X射线的照射而从试样放出的荧光X射线；以及铁制的试样室，其用于收纳试样，其中，试样室的内部表面的至少一部分被由源自熔融铝的铝构成的层包覆。由此，能够降低源自镍的杂质射线及源自铁的杂质射线对荧光X射线分析的影响。还能够抑制因酸溶
剂引起的试样室内部表面处的黑渍的产生。
[0023][2]根据[1]所述的荧光X射线分析装置，其中，试样室的内部表面的大致整个表面被由源自熔融铝的铝构成的层包覆。由此，能够更充分地降低源自镍的杂质射线及源自铁的杂质射线对荧光X射线分析的影响。
[0024][3]根据[1]或[2]所述的荧光X射线分析装置，其中，在由源自熔融铝的铝构成的层上还具有包覆层，包覆层是用于使铝的荧光X射线衰减的层。由此，还能够降低源自铝的杂质射线对荧光X射线分析的影响。
[0025][4]根据[3]所述的荧光X射线分析装置，其中，包覆层是由碳构成的层。由此，能够更充分地降低源自铝的杂质射线对荧光X射线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种荧光X射线分析装置，包括：X射线源，其用于对试样照射X射线；检测器，其用于检测通过所述X射线的照射而从所述试样放出的荧光X射线；以及铁制的试样室，其用于收纳所述试样，其中，所述试样室的内部表面的至少一部分被由源自熔融铝的铝构成的层包覆。2.根据权利要求1所述的荧光X射线分析装置，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：森久祐司，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：