发光装置以及不溶膜制造方法及图纸

发光装置包括发光元件以及覆盖发光元件的不溶膜(6)。不溶膜(6)具有一层无机不溶层(26)和一层有机不溶层(27)。有机不溶层(27)包含高分子材料，该高分子材料在分子链上具有无机原子，还具有氮原子及氧原子中的至少一方。还具有氮原子及氧原子中的至少一方。还具有氮原子及氧原子中的至少一方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置以及不溶膜


[0001]本专利技术涉及具备覆盖发光元件的不溶膜的发光装置以及不溶膜。

技术介绍

[0002]发光元件一般容易受到水分等的影响，因与微量的水分等反应导致其特性劣化，损害发光装置的驱动寿命。
[0003]因此，为了防止水分等异物渗入发光元件内，例如已知通过在发光元件上形成不溶膜来密封发光元件的技术(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献
[0004]专利文献1：日本国公开特许公报“特开2017
‑
224508号公报”
技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题
[0005]例如，如专利文献1所示，不溶膜通常具有将第一无机不溶层和第二无机不溶层隔着有机不溶层层叠的构成。之后更详细地进行说明，作为其理由，可举出以下的理由。
[0006]例如，如专利文献1所示，上述第一无机不溶层及上述第二无机不溶层使用氮化硅膜等无机绝缘膜。另外，例如如专利文献1所示，上述有机不溶层例如使用丙烯酸树脂等树脂。
[0007]用作第一无机不溶层及第二无机不溶层的氮化硅膜等无机绝缘膜，与用于有机不溶层的有机绝缘膜相比，对水分等异物的阻挡性高，但具有较多的缺陷(孔)。目前通常作为有机不溶层使用的丙烯酸树脂等树脂与无机不溶层的粘接性低，另外，不能充分填满上述无机不溶层的缺陷。
[0008]因此，若将无机不溶层设为一层，则防湿效果等阻挡效果极大地降低。因此，现状下，需要在有机不溶层的下侧以及上侧分别形成无机不溶层。
[0009]但是，氮化硅膜等无机不溶层通过CVD(化学蒸镀)法进行成膜，因此需要高真空装置，成膜费用高。另外，层叠数越多，制造越需要时间。因此，期望减少无机不溶层的层叠数。
[0010]本公开的一方面鉴于上述问题点而完成，其目的在于提供一种即使仅设置一层无机不溶层阻挡效果也高、驱动寿命长的发光装置，以及即使仅设置一层无机不溶层但阻挡效果也高的不溶膜。用于解决技术问题的技术方案
[0011]为了解决上述问题，本公开的一方式涉及的发光装置包括：发光元件以及覆盖所述发光元件不溶膜，所述不溶膜具有一层无机不溶层和一层有机不溶层，所述有机不溶层包含高分子材料，所述高分子材料在分子链上具有无机原子，还具有氮原子及氧原子中的至少一方。
[0012]为了解决上述问题，本公开的一方式涉及的不溶膜具有一层无机不溶层和一层有
机不溶层，所述有机不溶层包含高分子材料，所述高分子材料在分子链上具有无机原子，还具有氮原子及氧原子中的至少一方。有益效果
[0013]根据本公开的一方式，能够提供一种即使仅设置一层无机不溶层阻挡效果也高、驱动寿命长的发光装置，以及即使仅设置一层无机不溶层但阻挡效果也高的不溶膜。
附图说明
[0014]图1是示意性地示出实施方式1所涉及的不溶膜的要部的构成的截面图。图2是示出实施方式1涉及的显示装置的制造方法的一个例子的流程图。图3是示出实施方式1所涉及的显示装置的要部的概略构成的一例的截面图。图4是示出实施方式1所涉及的显示装置的概略构成的一例的截面图。图5是示意地表示现有的不溶膜的问题点的截面图。
具体实施方式
[0015][实施方式1]下面，详细地说明本专利技术的一实施方式。此外，以下，作为本公开所涉及的发光装置的一个例子，列举具备多个发光元件的显示装置为例进行说明。但是，本公开并不限定于此，上述发光装置也可以是具备一个以上的发光元件的显示装置或者照明装置等。
[0016]另外，在以下说明中，“同层”意味着在同一工序(成膜工序)中形成的层。“下层”指的是在比较对象层更早的工序中形成的。“上层”指的是在比较对象层更后面的工序中形成的。此外，关于两个数字A和B的“AB”这样的记载，只要没有特别明示，就是指“A以上且B以下”。
[0017](显示装置的制造方法及概略构成)图2是示出本实施方式所涉及的显示装置2的制造方法的一个例子的流程图。图3是示出本实施方式所涉及的显示装置2的要部的概略构成的一例的截面图。图4是示出本实施方式所涉及的显示装置2的概略构成的一例的截面图。
[0018]如图2和图3所示，当制造柔性显示装置2时，首先，在未图示的透光性的支承基板(例如，母玻璃)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成阻挡层3(步骤S2)。接着，形成薄膜晶体管(TFT)层4(步骤S3)。接着，形成发光元件层5(步骤S4)。接着，形成不溶膜6(Encapsulation Layer)作为密封层(步骤S5)。接着，在不溶膜6上粘贴上表面膜7(步骤S6)。
[0019]接着，利用激光的照射等将支承基板从树脂层12剥离(步骤S7)。接着，在密封层12的下表面粘贴下表面膜10(步骤S8)。接着，将包含下表面膜10、树脂层12、阻挡层3、薄膜晶体管层4、发光元件层5、不溶膜6、上表面膜7的层叠体切割以获得多个单片(步骤S9)，同时，上表面膜7的一部分也被切掉。接着，在得到的单片上，剥离薄膜晶体管层4的端子部上的上表面膜7，进行端子突出(步骤S11)。端子部形成于薄膜晶体管层4中比形成有多个子像素的显示区域DA更靠外侧(非显示区域NDA、边框区域)的一部分。接着，在显示区域DA中上表面膜7上粘贴功能膜8(步骤S12)。接着，使用ACF(各向异性导电膜)将电子电路基板41安装在端子部(步骤S13)。另外，上述各步骤由显示装置的制造装置(包括执行步骤S1至S5的每个
工序的成膜装置)执行。
[0020]作为树脂层12的材料可以例举例如，PI(聚酰亚胺)。树脂层12的部分可以用两层树脂膜(例如，聚酰亚胺膜)和夹在其间的无机绝缘膜代替。
[0021]阻挡层3是防止水、氧气等异物侵入薄膜晶体管层4和发光元件层5的层，例如可以由通过CVD法形成的氧化硅膜(SiO
x
)、氮化硅膜(SiN
x
)、氧氮化硅膜(SiON)、或这些层的层叠膜构成。
[0022]如图4所示，薄膜晶体管层4包括半导体膜15、比半导体膜15更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、比无机绝缘膜16更上层的栅极GE和栅极布线GH、比栅极GE和栅极布线GH更上层的无机绝缘膜18、比无机绝缘膜18更上层的电容电极CE、比电容电极CE更上层的无机绝缘膜20、比无机绝缘膜20更上层的源极布线SH、以及比源极布线SH更上层的平坦化膜21(层间绝缘膜)。
[0023]半导体膜15由例如低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如In
‑
Ga
‑
Zn
‑
O系半导体)构成，晶体管(薄膜晶体管)构成为包括半导体膜15和栅极GE。在图4中，晶体管被表示为顶栅结构，但也可以是底栅结构。
[0024]栅极GE、栅极布线GH、电容电极CE和源极布线SH由例如包含铝、钨、钼、钽、铬、铬、钛和铜中的至少一种的金属的单层膜或层叠膜构成。图4的薄膜晶体管层4上包括一层半导体层和三层金属层。
[0025]无机绝缘膜16、18、20可以由例如通过C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光装置，其特征在于，包括:发光元件以及覆盖所述发光元件不溶膜，所述不溶膜具有一层无机不溶层和一层有机不溶层，所述有机不溶层包含高分子材料，所述高分子材料在分子链上具有无机原子，还具有氮原子及氧原子中的至少一方。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述高分子材料是聚膦腈。3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述聚膦腈是由下述通式(1)表示的至少一种聚合物，[化1]式中，R1及R2相互独立地表示
‑
O(CH2)
m
CH3基、
‑
NH(CH2)
m
CH3基、
‑
O(C6H4)CH3基、
‑
NH(C6H4)CH3基、
‑
O(CH2)
m
CF3基、
‑
NH(CH2)
m
CF3基、
‑
O(C6H4)C2H5基、
‑
NH(C6H4)C2H5基、
‑
O(CH2)
m
F基、
‑
NH(CH2)
m
F基、
‑
N{(CH2)
m
CH3}2基、
‑
N{(C6H4)CH3}2基、
‑
N{(CH2)
m
CF3}2基、
‑
N{(C6H4)C2H5}2基、或
‑
N{(CH2)
m
F}2基，m分别独立地表示1～10的整数，n表示1～3000的整数。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述聚膦腈是选自由:上述R1和R2分别为
‑
O(CH2)2CH3基的聚合物；上述R1为
‑
O(C6H4)CH3基、上述R2为
‑
NH(C6H4)CH3基的聚合物；上述R1为
‑
N(C2H5)2基、R2为
‑
N{(C6H4)C2H5}2基的聚合物组成的组中的至少一种聚合物。5.根据权利要求2至4中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述有机不溶层还含有(甲基)丙烯酸类聚合物。6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述(甲基)丙烯酸类聚合物是由下述通式(2)表示的至少一种单体构成的聚合物，[化2]式中，R3表示氢原子或甲基，p表示1～10的整数。7.根据权利要求5或6所述的发光装置，其特征在于，所述聚膦腈∶所述(甲基)丙烯酸类聚合物的混合比以重量比计在1∶8～2∶1的范围内。8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述无机不溶层是SiN
x
膜，x＝1或2。9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述不溶膜从所述发光元件侧按照所述无机不溶层、所述有机不溶层的顺序层叠。10.根据权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：水崎真伸，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：