一种电磁炉用控制板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电磁炉用控制板，包括MCU微处理元件，MCU微处理元件上分别连接有谐振电路、同步检测电路、散热器的传感器、锅底传感器、电流检测电路、显示板通讯接口、过压欠压保护电路、电压浪涌保护器、IGBT驱动电路和开关电源，开关电源与谐振电路之间连接有整流模块，谐振电路与同步检测电路之间电性连接，整流模块包括DB1，DB1的引脚一上连接有D1，DB1的引脚二上连接有D2，D1与D2之间连接有C11，过压欠压保护电路包括并联设置的R13、EC1、C888和C12，本实用新型专利技术在过压欠压保护电路、电压浪涌保护器和整流模块的配合下，当电磁炉用控制板使用不当或出现短路时，可有效降低电路电压，降低了电磁炉用控制板烧坏的风险。降低了电磁炉用控制板烧坏的风险。降低了电磁炉用控制板烧坏的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁炉用控制板


[0001]本技术涉及过压保护
，具体为一种电磁炉用控制板。

技术介绍

[0002]过压保护是指被保护线路电压超过预定的最大值时，使电源断开或使受控设备电压降低的一种保护方式。
[0003]经检索，申请哈为201511001384.X的专利公开了一种电磁炉用控制板微处理元件的过压保护装置，在三端稳压器LM7805电路之前，另加装一片三端稳压器LM7809为双重保护CPU芯片，以确保CPU及控制板供电电路正常。在LM7805接地端“串入”一支IN4007二极管，来提高LM7805输出端的电压+5.6V，同时在LM7805输出端串联一支保险电阻10Ω，再对地并联一支稳压二极管，(+5.1V)做过电压保护装置。当LM7805输入端与输出端击穿时，稳压二极管反向导通有效的防止高电压进入CPU芯片，从而达到保护CPU的目的。在LM7805输出端与地之间，并联上稳压二极管5.1V/1W，当LM7805输入端与输出端击穿时，导致稳压二极管反向导通，保护了CPU电脑芯片。
[0004]上述方案仅仅依靠稳压二极管进行降压处理，稳压的效果不明显，当稳压二极管发生损坏或是电路中电压过大时，电磁炉用控制板仍存在烧坏的风险，因此我们需要提出一种电磁炉用控制板。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种电磁炉用控制板，在过压欠压保护电路、电压浪涌保护器和整流模块的配合下，当电磁炉用控制板使用不当或出现短路时，可有效降低电路电压，降低了电磁炉用控制板烧坏的风险，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种电磁炉用控制板，包括MCU微处理元件，所述MCU微处理元件上分别连接有谐振电路、同步检测电路、散热器的传感器、锅底传感器、电流检测电路、显示板通讯接口、过压欠压保护电路、电压浪涌保护器、IGBT驱动电路和开关电源，所述开关电源与谐振电路之间连接有整流模块，所述谐振电路与同步检测电路之间电性连接；
[0007]所述整流模块包括DB1，所述DB1的引脚一上连接有D1，所述DB1的引脚二上连接有D2，所述D1与D2之间连接有C11，所述过压欠压保护电路包括并联设置的R13、EC1、C888和C12，所述R13的一端连接有R9，所述R9的一端连接在D1与D2的连接处，所述电压浪涌保护器包括并联设置的ZD4、C16和C15，所述ZD4的一端连接有R17，所述R17的另一端连接有R20，所述R17与R20串联，所述R17的一端连接有R15，所述R15和D1与D2的连接处之间并联设置有R10与C13。
[0008]优选的，所述MCU微处理元件包括U4，所述U4的引脚五上连接有R11，所述U4的引脚六上连接有R12，所述U4的引脚八上分别连接有R37和R24，所述U4的引脚十一和引脚十二上分别连接有R32和R31，所述U4的引脚十三上分别连接有D7和R220，所述U4的引脚十八上连
接有并联设置的EC205、C221和R225。
[0009]优选的，所述谐振电路包括IGBT1，所述IGBT1的三个引脚上分别连接有C777、C999和R107，所述C777和R107连接在C999上，所述C777的两端连接有OUT2，所述OUT2的一端连接有C1，所述C1的一端连接有OUT1，所述OUT1的一端连接有L4，所述OUT1的另一端连接有KANGYONGSH，所述KANGYONGSH与OUT1之间连接有C5；所述R107上并联设置有Z1，所述Z1的一端连接有R103；
[0010]所述IGBT驱动电路包括串联设置的Q5、Q15和Q203，所述Q5上连接有R226、R205和J211，所述Q203的一端连接有并联设置的R212和C229，所述R103的一端连接在Q5与Q15之间。
[0011]优选的，所述同步检测电路包括R214和R219，所述R214和R219的一侧并联设置有C228，所述R214和R219的另一侧并联设置有C224和C227，所述C12与R214之间连接有R1，所述C1与C224之间连接有R5，所述电流检测电路包括并联设置的R222和C205，所述R222的一端连接有C201，所述C777与R222之间连接有OUT1。
[0012]优选的，所述散热器的传感器包括并联的RT1和C75，所述RT1的一端连接有R18，所述C75的一端连接有R29；所述锅底传感器包括CN20以及并联设置的R19与C26，所述CN20的引脚一和引脚二上连接在R19上，所述CN20的引脚三与R19之间连接有R155，所述C26的一端连接有R25。
[0013]优选的，所述开关电源包括U2，所述U2的引脚三与引脚四之间依次连接有ZD2、D15、D16和D17，所述D17的一端连接有EC9，所述D15和D16之间连接有并联设置有EC13、C7、EC99和EC100。
[0014]优选的，所述显示板通讯接口包括CN203，所述CN203的引脚一接地，所述CN203的引脚二接5A的电流，所述CN203的引脚三上连接有IGBT12，所述CN203的引脚四上连接有GUO2T。
[0015]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0016]本技术在过压欠压保护电路、电压浪涌保护器和整流模块的配合下，当电磁炉用控制板使用不当或出现短路时，可有效降低电路电压，降低了电磁炉用控制板烧坏的风险。
附图说明
[0017]图1为本技术MCU微处理元件的结构示意图；
[0018]图2为本技术整流模块、过压欠压保护电路和电压浪涌保护器的结构示意图；
[0019]图3为本技术谐振电路、同步检测电路、电流检测电路和IGBT驱动电路的结构示意图；
[0020]图4为本技术散热器的传感器和锅底传感器结构示意图；
[0021]图5为本技术开关电源的结构示意图；
[0022]图6为本技术显示板通讯接口的结构示意图；
[0023]图7为本技术的结构框图。
[0024]图中：1、MCU微处理元件；2、整流模块；3、谐振电路；4、同步检测电路；5、散热器的传感器；6、锅底传感器；7、电流检测电路；8、显示板通讯接口；9、过压欠压保护电路；10、电
压浪涌保护器；11、IGBT驱动电路；12、开关电源。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]在不同附图中以相同标号来标示相同或类似组件；另外请了解文中诸如“第一”、“第二”、“第三”、“上”、“下”、“前”、“后”、“内”、“外”、“端”、“部”、“段”、“宽度”、“厚度”、“区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁炉用控制板，包括MCU微处理元件(1)，其特征在于：所述MCU微处理元件(1)上分别连接有谐振电路(3)、同步检测电路(4)、散热器的传感器(5)、锅底传感器(6)、电流检测电路(7)、显示板通讯接口(8)、过压欠压保护电路(9)、电压浪涌保护器(10)、IGBT驱动电路(11)和开关电源(12)，所述开关电源(12)与谐振电路(3)之间连接有整流模块(2)，所述谐振电路(3)与同步检测电路(4)之间电性连接；所述整流模块(2)包括DB1，所述DB1的引脚一上连接有D1，所述DB1的引脚二上连接有D2，所述D1与D2之间连接有C11，所述过压欠压保护电路(9)包括并联设置的R13、EC1、C888和C12，所述R13的一端连接有R9，所述R9的一端连接在D1与D2的连接处，所述电压浪涌保护器(10)包括并联设置的ZD4、C16和C15，所述ZD4的一端连接有R17，所述R17的另一端连接有R20，所述R17与R20串联，所述R17的一端连接有R15，所述R15和D1与D2的连接处之间并联设置有R10与C13。2.根据权利要求1所述的一种电磁炉用控制板，其特征在于：所述MCU微处理元件(1)包括U4，所述U4的引脚五上连接有R11，所述U4的引脚六上连接有R12，所述U4的引脚八上分别连接有R37和R24，所述U4的引脚十一和引脚十二上分别连接有R32和R31，所述U4的引脚十三上分别连接有D7和R220，所述U4的引脚十八上连接有并联设置的EC205、C221和R225。3.根据权利要求1所述的一种电磁炉用控制板，其特征在于：所述谐振电路(3)包括IGBT1，所述IGBT1的三个引脚上分别连接有C777、C999和R107，所述C777和R107连接在C999上，所述C777的两端连接有OUT2，所述OUT2的一端连接有C1，所述C1的一端连接有OUT1，所述OUT1的一端连接有L4，所述OUT1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈仪财，麦健锋，
申请(专利权)人：中山纽泰诺科技有限公司，
类型：新型
国别省市：