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耦合剂恒温器制造技术

技术编号:3701547 阅读:141 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公布了一种耦合剂恒温器,主要包括壳体(1),壳体(1)中空成放置耦合剂瓶的腔室(2),腔室(2)上端开口,在壳体(1)底部设有电源开关K,其特征是所述的腔室周围设有加热元件(3),加热元件(3)与电源开关K之间连接有可预置温度的温度调节装置。在本实用新型专利技术中设有温度调节装置,它可以预设加热的温度,这样升温调节方便,在温度调节装置中设有可控硅,它可以实现电热元件通断时的无火花和无震动,有效的抑制对B超的超声波影响。采用电热丝进行加热,可以使热量分布均匀,提高安全性能。(*该技术在2014年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种耦合剂恒温器,尤其用于B超耦合剂的加热。
技术介绍
目前的耦合剂恒温器采用的温度控制电路为直接采用正温度热敏电阻进行控制,这样的升温方式比较固定,不能预置加热的温度。在进行加热时,加热元件在通断时会产生火花及震动对B超产生干扰,另外现在的加热元件采用PTC陶瓷发热元件,启动瞬间电流大,加热集中,引起耦合剂的温度不均匀,容易出现安全隐患。
技术实现思路
本技术提供一种耦合剂恒温器,它不仅升温调节方便,而且安全性能好。本技术采用以下技术方案一种耦合剂恒温器,主要包括壳体和加热元件,壳体中空成放置耦合剂瓶的腔室,腔室上端开口,壳体底部设有电源开关,所述的腔室周围设有加热元件,加热元件与电源开关之间连接有可预置温度的温度调节装置。所述的可预置温度的温度调节装置包括电位器Rw、放大电路、可控硅Q4、温度传感器,所述的电位器Rw与放大电路、可控硅Q4门极连接,可控硅Q4与加热元件连接,所述的电位器Rw同时与温度传感器连接,温度传感器与可控硅Q4的阴极连接,所述的电位器Rw与温度传感器通过放大电路给可控硅Q4门极提供触发电压,控制可控硅Q4的导通与截止,以接通或断开加热元件,对耦合剂加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耦合剂恒温器,主要包括壳体(1),壳体(1)中空成放置耦合剂瓶的腔室(2),腔室(2)上端开口,在壳体(1)底部设有电源开关K,其特征是所述的腔室周围设有加热元件(3),加热元件(3)与电源开关K之间连接有可预置温度的温度调节装置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:申旻鸿
申请(专利权)人:申旻鸿
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]

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