横电波小室制造技术

本公开实施例公开了一种横电波小室，横电波小室包括：导体片，导体片包括中间部和设置在中间部两边的连接部，中间部与连接部之间设置有预定角度；导体片包括上导体片和下导体片；连接件，用于连接上导体片的连接部和下导体片的连接部；上导体片和下导体片合围形成横电波小室；连接器，与导体片连接；设置在连接件上；用于采集横电波小室中被测设备的电磁波。这里，上导体片和下导体片合围形成的横电波小室内没有冗余的结构，空间利用率高，在放置被测设备时不会形成物理干涉，结构简单。且在横电波小室中的被测设备发出电磁波后，能够被连接器充分接收并传输给检测设备。相较于小室被分割成多个空间的方式，空间利用率高且结构简单。单。单。

【技术实现步骤摘要】
横电波小室


[0001]本公开涉及电磁领域但不限于电磁领域，尤其涉及一种横电波小室。

技术介绍

[0002]为了满足用户低时延等要求，需要提升电子设备的运行速度。但是，随着电子设备的运行速度越来越快，电子设备中的集成电路的工作频率也在不断提高。同时，单位面积内集成的晶体管数目也在不断增加，单个芯片承载了越来越多的功能。随着上述两方面的变化，集成电路上的电磁干扰和电磁兼容的问题成为关注重点，与之关联的辐射发射试验被广泛应用。相关技术中，横电波小室是一种关键的辐射发射实验设备。相关技术中，横电波小室结构复杂且空间受限，制约了辐射发射实验工作的开展

技术实现思路

[0003]根据本公开实施例提供一种横电波小室，所述横电波小室包括：
[0004]导体片，所述导体片包括中间部和设置在所述中间部两边的连接部，所述中间部与所述连接部之间设置有预定角度；所述导体片包括上导体片和下导体片；
[0005]连接件，用于连接所述上导体片的连接部和所述下导体片的连接部；所述上导体片和所述下导体片合围形成横电波小室；
[0006]连接器，与所述导体片连接，设置在所述连接件上，用于采集所述横电波小室中被测设备的电磁波。
[0007]在一个实施例中，所述中间部两边的连接部的形状为梯形，靠近所述中间部的底边长度大于靠近连接件的顶边长度。
[0008]在一个实施例中，所述连接件包括设置在所述导体片两端的第一连接件和第二连接件；所述连接器设置在所述第一连接件上；所述横电波小室还包括：负载电路，所述负载电路设置在所述第二连接件上，所述负载电路用于吸收电池波。
[0009]在一个实施例中，所述负载电路包括电阻、电容和/或电感，所述电阻、电容和/或电感相互并联；所述负载电路的两端连接所述上导体片和所述下导体片。
[0010]在一个实施例中，所述连接器包括内导体和外导体；所述内导体通过第一金属片与所述上导体片连接；所述外导体通过第二金属片与所述下导体片连接。
[0011]在一个实施例中，所述第一金属片和所述第二金属片为三角形；所述第一金属片的底边与所述上导体片的连接部连接，所述第一金属片的顶点与所述内导体连接；所述第二金属片的底边与所述下导体片的连接部连接，所述第二金属片的顶点与所述外导体连接。
[0012]在一个实施例中，所述负载电路包括第一端和第二端；所述第一端通过第三金属片与所述上导体片连接；所述第二端通过第四金属片与所述下导体片连接。
[0013]在一个实施例中，所述第三金属片和所述第四金属片为三角形；所述第三金属片的底边与所述上导体片的连接部连接，所述第三金属片的顶点与所述第一端连接；所述第
四金属片的底边与所述下导体片的连接部连接，所述第四金属片的顶点与所述第二端连接。
[0014]在一个实施例中，所述三角形的底边的长度与所述导体片的连接部的端部长度相同。
[0015]在一个实施例中，远离所述连接器一侧的所述上导体片的连接部的内侧和所述下导体片的连接部的内侧设置有材料层，所述材料层用于吸收电磁波。
[0016]本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0017]在本公开实施例中，所述横电波小室包括：导体片，所述导体片包括中间部和设置在所述中间部两边的连接部，所述中间部与所述连接部之间设置有预定角度；所述导体片包括上导体片和下导体片；连接件，用于连接所述上导体片的连接部和所述下导体片的连接部；所述上导体片和所述下导体片合围形成横电波小室；连接器，与所述导体片连接；设置在所述连接件上；用于采集所述横电波小室中被测设备的电磁波。这里，所述上导体片和所述下导体片合围形成的横电波小室内没有冗余的结构，空间利用率高，在放置被测设备时不会形成物理干涉，结构简单。且在所述横电波小室中的被测设备发出电磁波后，能够被连接器充分接收并传输给检测设备。相较于小室被分割成多个空间的方式，空间利用率高且结构简单，被测设备的取放方便，实验效果更好。
[0018]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0019]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0020]图1是根据一示例性实施例示出的一种横电波小室的示意图。
[0021]图2是根据一示例性实施例示出的一种横电波小室的示意图。
[0022]图3是根据一示例性实施例示出的一种横电波小室的示意图。
[0023]图4是根据一示例性实施例示出的一种横电波小室的示意图。
[0024]图5是根据一示例性实施例示出的一种测试效果的示意图。
具体实施方式
[0025]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本专利技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本专利技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0026]为了便于本领域内技术人员理解，本公开实施例列举了多个实施方式以对本公开实施例的技术方案进行清晰地说明。当然，本领域内技术人员可以理解，本公开实施例提供的多个实施例，可以被单独执行，也可以与本公开实施例中其他实施例的方法结合后一起被执行，还可以单独或结合后与其他相关技术中的一些方法一起被执行；本公开实施例并不对此作出限定。
[0027]为了更好地理解本公开实施例，以下通过一些实施例对相关技术中的横电波小室
进行说明：
[0028]在一个实施例中，横电波小室由两层外导体和一层内导体共三层导体组成；通过过渡段与同轴线进行连接。被测设备(DUT，Device Under Test)被放置在横电波小室的腔体内，横电磁波小室接收到DUT发出的电磁波，通过同轴线传输给频谱仪，用频谱仪测量出电磁波强度。需要说明的是，该实现方法存在以下不足：1、由内导体和外导体组成，结构较复杂；2、由内导体和外导体组成，测试空间被内导体分割成两部分，测试时只能使用到一半空间，不利于对体积较大的被测对象进行测试；3、仅采用过度段结构渐变的方式进行阻抗变换，达到宽频范围内低反射的效果有限。
[0029]如图1所示，本实施例中提供一种横电波小室，所述横电波小室包括：
[0030]导体片11，所述导体片11包括中间部111和设置在所述中间部111两边的连接部112，所述中间部111与所述连接部112之间设置有预定角度；所述导体片11包括上导体片11a和下导体片11b；
[0031]连接件12，用于连接所述上导体片11a的连接部112和所述下导体片11b的连接部112；所述上导体片11a和所述下导体片11b合围形成横电波小室；
[0032]连接器13，与所述导体片11连接，设置在所述连接件12上，用于采集所述横电波小室中被测设备的电磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种横电波小室，其特征在于，所述横电波小室包括：导体片，所述导体片包括中间部和设置在所述中间部两边的连接部，所述中间部与所述连接部之间设置有预定角度；所述导体片包括上导体片和下导体片；连接件，用于连接所述上导体片的连接部和所述下导体片的连接部；所述上导体片和所述下导体片合围形成横电波小室；连接器，与所述导体片连接，设置在所述连接件上，用于采集所述横电波小室中被测设备的电磁波。2.根据权利要求1所述的横电波小室，其特征在于，所述中间部两边的连接部的形状为梯形，靠近所述中间部的底边长度大于靠近连接件的顶边长度。3.根据权利要求1所述的横电波小室，其特征在于，所述连接件包括设置在所述导体片两端的第一连接件和第二连接件；所述连接器设置在所述第一连接件上；所述横电波小室还包括：负载电路，所述负载电路设置在所述第二连接件上，所述负载电路用于吸收电池波。4.根据权利要求3所述的横电波小室，其特征在于，所述负载电路包括电阻、电容和/或电感，所述电阻、电容和/或电感相互并联；所述负载电路的两端连接所述上导体片和所述下导体片。5.根据权利要求1所述的横电波小室，其特征在于，所述连接器包括内导体和外导体；所述内导体通过第一金属片与所述上...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗兴华，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：新型
国别省市：