横电波小室制造技术

技术编号:37004864 阅读:50 留言:0更新日期:2023-03-25 18:30
本公开实施例公开了一种横电波小室,横电波小室包括:导体片,导体片包括中间部和设置在中间部两边的连接部,中间部与连接部之间设置有预定角度;导体片包括上导体片和下导体片;连接件,用于连接上导体片的连接部和下导体片的连接部;上导体片和下导体片合围形成横电波小室;连接器,与导体片连接;设置在连接件上;用于采集横电波小室中被测设备的电磁波。这里,上导体片和下导体片合围形成的横电波小室内没有冗余的结构,空间利用率高,在放置被测设备时不会形成物理干涉,结构简单。且在横电波小室中的被测设备发出电磁波后,能够被连接器充分接收并传输给检测设备。相较于小室被分割成多个空间的方式,空间利用率高且结构简单。单。单。

【技术实现步骤摘要】
横电波小室


[0001]本公开涉及电磁领域但不限于电磁领域,尤其涉及一种横电波小室。

技术介绍

[0002]为了满足用户低时延等要求,需要提升电子设备的运行速度。但是,随着电子设备的运行速度越来越快,电子设备中的集成电路的工作频率也在不断提高。同时,单位面积内集成的晶体管数目也在不断增加,单个芯片承载了越来越多的功能。随着上述两方面的变化,集成电路上的电磁干扰和电磁兼容的问题成为关注重点,与之关联的辐射发射试验被广泛应用。相关技术中,横电波小室是一种关键的辐射发射实验设备。相关技术中,横电波小室结构复杂且空间受限,制约了辐射发射实验工作的开展

技术实现思路

[0003]根据本公开实施例提供一种横电波小室,所述横电波小室包括:
[0004]导体片,所述导体片包括中间部和设置在所述中间部两边的连接部,所述中间部与所述连接部之间设置有预定角度;所述导体片包括上导体片和下导体片;
[0005]连接件,用于连接所述上导体片的连接部和所述下导体片的连接部;所述上导体片和所述下导体片合围形成横电波小室;
>[0006]连接器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种横电波小室,其特征在于,所述横电波小室包括:导体片,所述导体片包括中间部和设置在所述中间部两边的连接部,所述中间部与所述连接部之间设置有预定角度;所述导体片包括上导体片和下导体片;连接件,用于连接所述上导体片的连接部和所述下导体片的连接部;所述上导体片和所述下导体片合围形成横电波小室;连接器,与所述导体片连接,设置在所述连接件上,用于采集所述横电波小室中被测设备的电磁波。2.根据权利要求1所述的横电波小室,其特征在于,所述中间部两边的连接部的形状为梯形,靠近所述中间部的底边长度大于靠近连接件的顶边长度。3.根据权利要求1所述的横电波小室,其特征在于,所述连接件包括设置在所述导体片两端的第一连接件和第二连接件;所述连接器设置在所述第一连接件上;所述横电波小室还包括:负载电路,所述负载电路设置在所述第二连接件上,所述负载电路用于吸收电池波。4.根据权利要求3所述的横电波小室,其特征在于,所述负载电路包括电阻、电容和/或电感,所述电阻、电容和/或电感相互并联;所述负载电路的两端连接所述上导体片和所述下导体片。5.根据权利要求1所述的横电波小室,其特征在于,所述连接器包括内导体和外导体;所述内导体通过第一金属片与所述上...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗兴华
申请(专利权)人:北京小米移动软件有限公司
类型:新型
国别省市:

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