镇流器制造技术

一种紧凑型荧光灯，在该荧光灯中由双向可控硅调光器控制照度水平。通过由至少一个电阻和至少一个电容器的串联组合构成跨接在紧凑型荧光灯的电磁干扰滤波器的输出端上的缓冲器，可避免双向可控硅调光器的过早截止。缓冲器衰减在紧凑型荧光灯内产生的振荡，从而供给紧凑型荧光灯足够的电功率，以在整个荧光灯的调光范围内维持双向可控硅调光器的导通。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及向带有双向可控硅调光器的灯提供电功率的镇流器，该镇流器包括电磁干扰滤波器，带有输入端和输出端，在工作期间输入端与双向可控硅调光器耦合；整流器，与滤波器的输出端耦合。本专利技术还涉及紧凑型荧光灯。双向可控硅调光镇流器控制提供的电功率量，从而控制由荧光灯产生的照度水平。常规双向可控硅调光镇流器，例如，在美国专利No.4392086中披露的常规双向可控硅调光镇流器，它不包括电磁干扰(EMI)滤波器。EMI滤波器滤除由镇流器产生的谐波。当镇流器被设定成高调光电平时，特别是在双向可控硅工作期间，这些谐波可比预定时间更早地使由镇流器拉出的电流下降至零。从而导致双向可控硅的过早截止。由于这种双向可控硅的过早截止，对于主电压的半周期60赫兹(Hz)的有效部分，镇流器不能拉出电流。使灯不能达到期望的照度水平。另一种常规的紧凑型荧光灯，例如在美国专利No.5313142中披露的那种荧光灯，它包括EMI滤波器，但当耦接双向可控硅时，由于镇流器产生的谐波，而在防止双向可控硅的过早截止方面无效。在不超出空间要求的情况下，在紧凑型荧光灯内的元件尺寸和数量的限制使其很难有效地滤除这些谐波。因此，期望提供改进的紧凑型荧光灯，通过使用双向可控硅调光器能够设定其照度水平。该改进的紧凑型荧光灯应该有效地滤除在其中产生的谐波，以便在设置高调光电平时预防双向可控硅调光器的过早截止。一般来说，按照本专利技术的第一方案，控制供给灯的电功率量的装置包括双向可控硅调光器和镇流器。镇流器包括带有输入端和输出端的电磁干扰滤波器，输入端与双向可控硅调光器耦合。镇流器还包括缓冲器和整流器。缓冲器有跨接在滤波器输出端上的串联连接的至少一个电阻和至少一个电容器。整流器与滤波器的输出端耦合。缓冲器充分衰减在镇流器内特别是在双向可控硅调光器导通期间产生的谐波，从而使双向可控硅不被过早地截止。灯负载与整流器的输出端耦合，用于把电功率提供给灯负载。通过设置包括跨接在滤波器输出端上的串联连接的至少一个电阻和至少一个电容器的较简单的缓冲器，能够满足在紧凑型荧光灯内的镇流器所要求的元件尺寸和数量两方面的限制。通过衰减在镇流器内产生的谐波(即振荡)，缓冲器维持双向可控硅导通。因此，对于主电压半周期60赫兹(Hz)的有效部分，镇流器拉出电流。从而可达到灯照度的期望水平。按照本专利技术的另一方案，该装置包括双向可控硅调光器和紧凑型荧光灯。紧凑型荧光灯包括带有输入端和输出端的电磁干扰滤波器，输入端与双向可控硅调光器耦合。紧凑型荧光灯还包括缓冲器、整流器和灯负载。缓冲器有跨接在滤波器输出端上串联连接的至少一个电阻和至少一个电容器。整流器耦合滤波器的输出端。灯负载与整流器的输出端耦合。缓冲器衰减在紧凑型荧光灯内产生的谐波，否则该谐波会使双向可控硅调光器过早地截止。按照本专利技术的第三方案，控制紧凑型荧光灯的方法包括调整双向可控硅调光器切入(cut-in)角的步骤，以使紧凑型荧光灯达到相应的期望照度水平；根据双向可控硅调光器的切入角，通过双向可控硅调光器把电功率提供给紧凑型荧光灯的电磁干扰滤波器；通过电磁干扰滤波器滤除由紧凑型荧光灯产生的谐波；和通过由至少一个电阻和至少一个电容器的串联组合形成的跨接在电磁干扰滤波器输出端上的缓冲器，随着双向可控硅调光器首先导通，衰减由紧凑型荧光灯产生的振荡。从而由紧凑型荧光灯拉出足够的电功率，避免双向可控硅调光器过早地截止。该方法还包括把根据双向可控硅切入角的调光信号提供给驱动控制器，其中驱动控制器控制紧凑型荧光灯的照度水平。该方法还包括在大约最小功率因数下控制紧凑型荧光灯，以便一旦双向可控硅导通就维持双向可控硅的导通。因此，本专利技术的目的在于提供不过早地截止双向可控硅调光器的改进的可调光双向可控硅紧凑型荧光灯。本专利技术的另一目的在于提供能够在高调光电平下可维持双向可控硅导通的改进的可调光双向可控硅紧凑型荧光灯。本专利技术的再一目的在于提供使有效地衰减灯内产生的谐波所需要的元件数量和元件尺寸最小化的改进的可调光双向可控硅紧凑型荧光灯。从说明书中将使本专利技术的其它目的和优点更明确和更明显。为了更好地理解本专利技术，应该参照结合下列附图的说明，其中附图说明图1是本专利技术的双向可控硅可调光紧凑型荧光灯的方框图；图2是图1所示的双向可控硅调光器的示意图；图3是紧凑型荧光灯的示意图；图4是用作图3的驱动控制电路的集成电路的逻辑方框图；和图5是图3所示的施密特触发器的示意图。如图1所示，由A.C.电源20表示的A.C.电源线通过双向可控硅调光器30对紧凑型荧光灯10供电。紧凑型荧光灯10包括衰减电磁干扰(EMI)滤波器40，辅助电源45，整流器/电压倍增器50，调光接口55，变换器60，驱动控制电路65，负载70和功率反馈电路90。作为CFL10镇流器输出端的变换器60的输出端连接负载70。负载70包括灯85和由变压器T的初级绕组75和多个电容器80、81及82形成的调谐电路。衰减EMI滤波器40充分地衰减由变换器60产生的谐波(即振荡)。整流器/电压倍增器50对A.C.电源20提供的正弦电压整流，产生带有升高波纹的D.C.电压，并把大致恒定的D.C.电压提供给变换器60。除了灯负载70以外的紧凑型荧光灯10的那些部分都接在一起，形成称为对灯负载70供电的镇流器。在根据期望的照度水平改变转换频率时，由驱动控制电路65驱动变换器60。由变换器60将D.C.电压转换成供给负载70的方波电压波形。通过分别减小和增加该方波电压波形的频率，能够增加和减小灯照度水平。由双向可控硅调光器30设定灯照度的期望水平，并通过调光接口55连通驱动控制电路65。功率反馈电路90把来自调谐电路的一部分功率反馈给电压倍增器，由此在点火后产生维持双向可控硅导通所需的最小功率因数补偿。辅助电源45把电功率提供给驱动控制器65，以便当满足负载要求下变换器60的干线电压暂时下降时，将电功率补充给驱动控制器65。如图2所示，双向可控硅调光器30通过一对线21和22跨接在A.C.电源20上。双向可控硅调光器30包括通过电感32和可变电阻33的串联组合充电的电容器31。双向击穿二极管34与双向可控硅35的门电路连接。当电容器31上的电压达到双向击穿二极管34的击穿电压时，双向可控硅35点火。将电流(即双向可控硅35的锁存电流(latching current))通过电感器32和双向可控硅35提供给CFL10。在60Hz的末端，1/2波周期，双向可控硅35中的电流水平下降到其保持电流(即维持双向可控硅35导通所需的最小阳极电流)以下。双向可控硅35截止。可通过改变可变电阻器33的电阻来调整点火角，即在双向可控硅35首先导通时0至180度之间的角。可变电阻器33可以是分压器，但并不限于此。用双向击穿二极管34的击穿电压限定最大点火角。电感器32限定di/dt升高和下降的时间。电容器36作为缓冲器，特别是当双向可控硅35和CFL10之间的布线长度过长时可防止闪烁。由与这种长布线相关的电感和寄生电容引起的谐波被电容器36旁路。因此，双向可控硅电流的水平和双向可控硅36的工作不受双向可控硅35和CFL10之间布线长度的影响。可避免通过这种谐波造成的灯85的闪烁。双向可控硅调光器30有由CFL10限定的/与CFL10有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镇流器，用于向带有双向可控硅调光器（３０）的灯提供电功率，该镇流器包括： 电磁干扰滤波器（４０），带有输入端和输出端，在工作期间所述输入端与双向可控硅调光器耦合； 整流器（５０），与滤波器的输出端耦合， 其特征在于，包括至少一个电阻（４４）和至少一个电容器（４３）的串联结构的缓冲器跨接在滤波器的输出端上，用于衰减镇流器内产生的谐波。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：PM格拉德基，J杨查克，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]